Відмінності між версіями «Кеньо Галина Володимирівна»
(Створена сторінка: {{Особа | П.І.Б = Кеньо Галина Володимирівна | Зображення (фото) = RTEmagicC_Keno_Galina_Volodimirivna_01.jpg.j...) |
|||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
| − | |||
| − | |||
{{Особа | {{Особа | ||
| П.І.Б = Кеньо Галина Володимирівна | | П.І.Б = Кеньо Галина Володимирівна | ||
| Рядок 28: | Рядок 26: | ||
| Спеціальність = напівпровідникові та мікроелектронні прилади | | Спеціальність = напівпровідникові та мікроелектронні прилади | ||
| Військове звання = | | Військове звання = | ||
| − | | Галузь наукових інтересів = моделювання фізичних процесів у матеріалах | + | | Галузь наукових інтересів = моделювання фізичних процесів у матеріалах та приладах електронної техніки, технологія напівпровідникових матеріалів та приладів твердотілої електроніки |
| Кваліфікаційний рівень = інженер електронної техніки | | Кваліфікаційний рівень = інженер електронної техніки | ||
| Науковий ступінь = кандидат технічних наук | | Науковий ступінь = кандидат технічних наук | ||
| Рядок 38: | Рядок 36: | ||
| Відомі команди = | | Відомі команди = | ||
| Відомий у зв’язку з = | | Відомий у зв’язку з = | ||
| − | | Поточне місце роботи = [[кафедра захисту інформації]], [[ | + | | Поточне місце роботи = [[кафедра захисту інформації]], [[Інститут комп’ютерних технологій,автоматики та метрології]], [[Національний університет «Львівська політехніка»]]. |
| Почесні звання = | | Почесні звання = | ||
| Державні нагороди = | | Державні нагороди = | ||
| Рядок 45: | Рядок 43: | ||
| Власний сайт = | | Власний сайт = | ||
}} | }} | ||
| − | ''' Кеньо Галина Володимирівна''' —кандидат | + | ''' Кеньо Галина Володимирівна''' —кандидат технічних наук,доцент [[кафедра захисту інформації|кафедри захисту інформації]],[[Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології|Інституту комп’ютерних технологій,автоматики та метрології]],[[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].. |
== Загальні відомості == | == Загальні відомості == | ||
Народилась 29 жовтня 1961 р . | Народилась 29 жовтня 1961 р . | ||
| − | У 1983 р. закінчила [[Львівський політехнічний інститут]] за спеціальністю напівпровідникові | + | У 1983 р. закінчила [[Львівський політехнічний інститут]] за спеціальністю напівпровідникові та мікроелектронні прилади (інженер електронної техніки). |
Кандидатську дисертацію захистила у 1995 р. (спеціальність 05.27.10— «Твердотільна електроніка, включаючи функціональну»). | Кандидатську дисертацію захистила у 1995 р. (спеціальність 05.27.10— «Твердотільна електроніка, включаючи функціональну»). | ||
| − | Прогнозування та контроль параметрів і | + | Тема дисертації: Прогнозування та контроль параметрів і характеристик приладів на основі структур «кремній-на-ізоляторі» [Текст] : дис... канд. техн.наук: 05.27.01 / Кеньо Галина Володимирівна ; [[Державний університет «Львівська політехніка»|Державний ун-т «Львівська політехніка»]]. — Львів, 1995. — 139 л. |
| − | У 2001 р. | + | У 2001 р. присвоєно вчене звання доцента [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]] (атестат доцента ДЦ№ 003264У). |
==Навчальна робота== | ==Навчальна робота== | ||
'''Лекційні курси''' | '''Лекційні курси''' | ||
| − | + | «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації» | |
«Фізико-технологічні основи ВІС», | «Фізико-технологічні основи ВІС», | ||
| Рядок 67: | Рядок 65: | ||
«Технологія кристалічних матеріалів», | «Технологія кристалічних матеріалів», | ||
| − | + | «Проектування елементів інтегральних схем». | |
==Наукова діяльність== | ==Наукова діяльність== | ||
| − | Наукові інтереси: моделювання фізичних процесів у матеріалахта приладах електронної техніки, технологія напівпровідникових матеріалів | + | Наукові інтереси: моделювання фізичних процесів у матеріалахта приладах електронної техніки, технологія напівпровідникових матеріалів та приладів твердотілої електроніки. |
| − | Науковий напрям при кафедрі: Дослідження фізичної природи виникнення та поширення | + | Науковий напрям при кафедрі: Дослідження фізичної природи виникнення та поширення інформаційних сигналів в каналах витоку інформації |
== Вибрані публікації == | == Вибрані публікації == | ||
Кількість наукових публікацій: понад 30. | Кількість наукових публікацій: понад 30. | ||
'''Основні публікації:''' | '''Основні публікації:''' | ||
| − | 1. Кеньо Г.В. Малик О.П. Моделювання електронних процесів уприладах на основі структур кремній-на-діелектрику. 4-а наук.-техн.кон-ція | + | 1. Кеньо Г.В. Малик О.П. Моделювання електронних процесів уприладах на основі структур кремній-на-діелектрику. 4-а наук.-техн.кон-ція «Досвід розробки та застосування приладо-технолог. САПР мікро-електроніки»,1997, С.79-80. |
2. H. Kenyo I.Petrovych, W.Kalita. A model of breakdown infield-effekt transistors. 4-th International Symposi-um on MicroelectronicTechnologies and Micro-systems. Zwickau, October 26-27, 2000. P. 110-114. | 2. H. Kenyo I.Petrovych, W.Kalita. A model of breakdown infield-effekt transistors. 4-th International Symposi-um on MicroelectronicTechnologies and Micro-systems. Zwickau, October 26-27, 2000. P. 110-114. | ||
| − | 3. Кеньо Г.В. Малик О.П. Розрахунок | + | 3. Кеньо Г.В. Малик О.П. Розрахунок високочастотних вольт-фарадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах кремній-на-ізоляторі«. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії таприлади твердотілої електроніки», № 454, 2002, с.53-58. |
| − | 4. H. Kenyo I.Petrovych .Simulation of OutputCurrent-Voltage Characteristics of MOS Transistors formed on«Silicon-on-Insulator» Structures«. Вісник НУ «Львівська політехніка» | + | 4. H. Kenyo I.Petrovych .Simulation of OutputCurrent-Voltage Characteristics of MOS Transistors formed on«Silicon-on-Insulator» Structures«. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 458, 2003, с.231-238. |
| − | 5. Малик О.П, Кеньо Г.В.Петрович I.В., Собчук I.С.Побудоваточного розв’язку стацiонарного рiвняння Больцмана. Вісник НУ | + | 5. Малик О.П, Кеньо Г.В.Петрович I.В., Собчук I.С.Побудоваточного розв’язку стацiонарного рiвняння Больцмана. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 491, 2003,с.3-8. |
| − | 6. Кеньо Г.В. Мищишин В.М. Ударна i | + | 6. Кеньо Г.В. Мищишин В.М. Ударна i термостимульована iонiзацiя в КНI МОН транзисторах. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 569, 2006, с.54-60 |
7. Електроніка тамікросхемотехніка [Текст] : навч. посіб. для студ. дистанц. форми навчання / В.Б. Дудикевич, Г. В. Кеньо, І. В. Петрович ; Нац. ун-т «Львів. політехніка»,Ін-т дистанц. навчання. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010 . | 7. Електроніка тамікросхемотехніка [Текст] : навч. посіб. для студ. дистанц. форми навчання / В.Б. Дудикевич, Г. В. Кеньо, І. В. Петрович ; Нац. ун-т «Львів. політехніка»,Ін-т дистанц. навчання. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010 . | ||
| − | Ч. 1 : Електроніка. — 2010. — 204 с. : рис., табл. — ( | + | Ч. 1 : Електроніка. — 2010. — 204 с. : рис., табл. — (Серія «Дистанційне навчання» ; № 52). — Бібліогр.: с. 203.— ISBN 978-966-553-908-7 |
Ч. 2 : Аналогова схемотехніка : навч. посіб. - 2010.- 224 с. - (Дистанційне навчання ; №53). - Бібліогр.: с. 222.. - ISBN 978-966-553-912-4 | Ч. 2 : Аналогова схемотехніка : навч. посіб. - 2010.- 224 с. - (Дистанційне навчання ; №53). - Бібліогр.: с. 222.. - ISBN 978-966-553-912-4 | ||
==Контакти== | ==Контакти== | ||
Версія за 10:41, 1 травня 2014
| Кеньо Галина Володимирівна | |
 к.т.н., доцент | |
| Дата народження | 29 жовтня 1961 р |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Alma mater | Львівський політехнічний інститут |
| Дата закінчення | 1983 р. |
| Спеціальність | напівпровідникові та мікроелектронні прилади |
| Галузь наукових інтересів | моделювання фізичних процесів у матеріалах та приладах електронної техніки, технологія напівпровідникових матеріалів та приладів твердотілої електроніки |
| Кваліфікаційний рівень | інженер електронної техніки |
| Науковий ступінь | кандидат технічних наук |
| Дата присвоєння н.с. | 1996 р. |
| Вчене звання | доцент |
| Дата присвоєння в.з. | 2001 р. |
| Поточне місце роботи | кафедра захисту інформації, Інститут комп’ютерних технологій,автоматики та метрології, Національний університет «Львівська політехніка». |
Кеньо Галина Володимирівна —кандидат технічних наук,доцент кафедри захисту інформації,Інституту комп’ютерних технологій,автоматики та метрології,Національного університету «Львівська політехніка»..
Загальні відомості
Народилась 29 жовтня 1961 р .
У 1983 р. закінчила Львівський політехнічний інститут за спеціальністю напівпровідникові та мікроелектронні прилади (інженер електронної техніки).
Кандидатську дисертацію захистила у 1995 р. (спеціальність 05.27.10— «Твердотільна електроніка, включаючи функціональну»).
Тема дисертації: Прогнозування та контроль параметрів і характеристик приладів на основі структур «кремній-на-ізоляторі» [Текст] : дис... канд. техн.наук: 05.27.01 / Кеньо Галина Володимирівна ; Державний ун-т «Львівська політехніка». — Львів, 1995. — 139 л.
У 2001 р. присвоєно вчене звання доцента кафедри напівпровідникової електроніки (атестат доцента ДЦ№ 003264У).
Навчальна робота
Лекційні курси «Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації»
«Фізико-технологічні основи ВІС»,
«Технологічні основи електроніки»,
«Технологія кристалічних матеріалів»,
«Проектування елементів інтегральних схем».
Наукова діяльність
Наукові інтереси: моделювання фізичних процесів у матеріалахта приладах електронної техніки, технологія напівпровідникових матеріалів та приладів твердотілої електроніки.
Науковий напрям при кафедрі: Дослідження фізичної природи виникнення та поширення інформаційних сигналів в каналах витоку інформації
Вибрані публікації
Кількість наукових публікацій: понад 30. Основні публікації: 1. Кеньо Г.В. Малик О.П. Моделювання електронних процесів уприладах на основі структур кремній-на-діелектрику. 4-а наук.-техн.кон-ція «Досвід розробки та застосування приладо-технолог. САПР мікро-електроніки»,1997, С.79-80.
2. H. Kenyo I.Petrovych, W.Kalita. A model of breakdown infield-effekt transistors. 4-th International Symposi-um on MicroelectronicTechnologies and Micro-systems. Zwickau, October 26-27, 2000. P. 110-114.
3. Кеньо Г.В. Малик О.П. Розрахунок високочастотних вольт-фарадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах кремній-на-ізоляторі«. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії таприлади твердотілої електроніки», № 454, 2002, с.53-58.
4. H. Kenyo I.Petrovych .Simulation of OutputCurrent-Voltage Characteristics of MOS Transistors formed on«Silicon-on-Insulator» Structures«. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 458, 2003, с.231-238.
5. Малик О.П, Кеньо Г.В.Петрович I.В., Собчук I.С.Побудоваточного розв’язку стацiонарного рiвняння Больцмана. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 491, 2003,с.3-8.
6. Кеньо Г.В. Мищишин В.М. Ударна i термостимульована iонiзацiя в КНI МОН транзисторах. Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 569, 2006, с.54-60
7. Електроніка тамікросхемотехніка [Текст] : навч. посіб. для студ. дистанц. форми навчання / В.Б. Дудикевич, Г. В. Кеньо, І. В. Петрович ; Нац. ун-т «Львів. політехніка»,Ін-т дистанц. навчання. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010 . Ч. 1 : Електроніка. — 2010. — 204 с. : рис., табл. — (Серія «Дистанційне навчання» ; № 52). — Бібліогр.: с. 203.— ISBN 978-966-553-908-7 Ч. 2 : Аналогова схемотехніка : навч. посіб. - 2010.- 224 с. - (Дистанційне навчання ; №53). - Бібліогр.: с. 222.. - ISBN 978-966-553-912-4
Контакти
вул. Кн. Романа 1, 79013, Львів; 19-й корпус, кімната204,тел+38(032)235-77-49 +38(032) 235-74-77
М. тел. 067 974 67 67
Halyna.kenyo@gmail.com]
