Відмінності між версіями «Мищишин Володимир Михайлович»

Версія за 11:46, 26 квітня 2019

Мищишин Володимир Михайлович
к.т.н.,доцент
Дата народження	04.06.1963 р.
Громадянство	Україна
Alma mater	Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення	1985 р.
Спеціальність	автоматика і телемеханіка
Галузь наукових інтересів	створення твердих планарних джерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію в технологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів та зінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні за розподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур 850-1150оС.
Науковий ступінь	кандидат технічних наук
Науковий керівник	доктор технічних наук, професор Воронін Валерій Олександрович, Національний університет «Львівська політехніка»
Дата присвоєння н.с.	2005 р.
Вчене звання	доцент
Дата присвоєння в.з.	2007 р.
Поточне місце роботи	кафедра комп’ютеризованих систем автоматики, Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології, Національний університет «Львівська політехніка».

Мищишин Володимир Михайлович — кандидат технічних наук, доцент кафедри комп’ютеризованих систем автоматики, Інституту комп’ютерних технологій, автоматики та метрології, Національного університету «Львівська політехніка».

Загальна інформація

• Випускник Львівського політехнічного інституту (1985 р.)
• Кандидат технічних наук (2005 р.), на посаді доцента(2007р.).

Тема дисертації: Тверді планарні джерела для дифузії бору залюмоборосилікатних сполук [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 /Мищишин Володимир Михайлович ; Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л., 2005. — 129 арк. — арк. 116-126

Науковий керівник: доктор технічних наук, професор Воронін Валерій Олександрович, Національний університет «Львівська політехніка»

Займається розробленням твердих планарних джерел бору та фосфору.

Педагогічна робота

Читає лекції з наступних дисциплін: 1. Планування експерименту та опрацювання результатів досліджень. 2. Алгоритмізація та програмування.

Керує дипломним проектуванням та магістерськими роботами.

Наукові інтереси

Напрям наукових досліджень — створення твердих планарних джерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію в технологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів та зінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні за розподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур 850-1150^о С.

Вибрані публікації

Кількість наукових публікацій: 32 публікації, з них 29 наукових та 3 навчально-методичного характеру

Основні наукові праці:

1. Богдановський Ю.М., Гасько Л.З., Мищишин В.М. Оцінка термічних напруг у дисках кремнію при вводі в зону реакції. Вісник Державного університету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — № 325, 1998, — С.3-6.
2. А.с. 1738032 СССР МКИ H01L21/22. Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии бора / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин. Приоритет изоб. 06.03.89 р. Зарегистрировано 01.02.92р.
3. Valeriy O. Voronin, Yuriy M.Bogdanovski, Lubomyr Z.Hasko, Volodymyr M.Myshchyshin. Diffusion Doping of 300 mm Silicon Plates by Means ofSolid Planar Sources of Boron and Phosphorus. — European Materials ResearchSociety. E-MRS’2002 Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg(France) June 18-21, 2002, O.
4. Voronin V.O., Bogdanovski Y.M., Hasko L.Z., MyshchyshinV.M. Solid Planar Sources of Boron and Phosphorus for Highly Uni-formal Dopingof Large Diameter Silicon Plates. European Materials Research Society.E-MRS’98Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg (France) June 16-19, 1998,.
5. Новый твердый планарный источник для диффузии бора в кремний. / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин и др. //Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции «Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники» (АИ2ПТМ), г.Ленинград, 22-24ноября 1989. — Л.: Изд. ЛЭТИ, 1989. — С.62-64.
6. Мищишин В.М., Богдановский Ю.М. Оптимізація технології виготовлення твердих планарних джерел бору. Вісник Національного університету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — №491. 2003, — c. 86-90.
7. Богдановський Ю.М., Мищишин В.М. Масоперенос в системі тверде планарне джерело бору — пластина кремнію діаметром 300мм. «Фізика і хімія твердого тіла». — Т.5, № 1, 2004, — С.70-76.
8. Г.В.Кеньо, Ю.М. Богдановський, Л.З.Гасько, І.П.Полюжин, В.М.Мищишин. «Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердих планарних джерел бору на термостійких підкладках», — Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», — № 569, 2006, — с.120-125.
9. Malyk O.P., Kynash Yu.E., Myshchyshyn V.M. The modeling of the electron scattering on the short-range potential in cadmium telluride: ab initio approach. // Технічні вісті = Technical news : наук.-соц. часопис / Укр. інж. т-во у Львові. - Л., 2016. - № 1(43), 2(44). - С.76-77.
10. The Short-range Charge Carrier Scattering Models in Indium Antimonide. Orest Malyk, Galyna Kenyo, Volodymyr Myshchyshyn, Stepan Voytusik. TCSET’2014, Міжнародна конференція. СУЧАСНІ ПРОБЛЕМИ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ, ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙ, КОМП’ЮТЕРНОЇ ІНЖЕНЕРІЇ. 25 лютого-1 березня, Львів-Славське-2014, с.340-342.
11. С. Войтусік, В. Мищишин. Визначення динамічних характеристик розпилення твердих тіл методом Монте – Карло. Міжнародна науково-технічна конференція Системи – 2013. Tермографія і термометрія, метрологічне забезпечення вимірювань та випробувань. Тези доповідей 23–27 вересня 2013, с.202.

Контакти

вул. Ст. Бандери 28а, 79013, Львів; 5-йкорпус, кімната 603,

тел.: +38(032)258-24-64, +38(032)258-21-97

E-mail: ksa@lp.edu.ua