Відмінності між версіями «Фечан Андрій Васильович»

Версія за 15:35, 8 січня 2014

Фечан Андрій Васильович
д.т.н., професор
Дата народження	07.01.1969р.
Місце народження	м. Львів
Громадянство	Україна
Національність	українець
Alma mater	Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення	1990р.
Спеціальність	електронна техніка
Галузь наукових інтересів	рідкокристалічний стан речовини та застосування рідких кристалів у пристроях обробки та відображення оптичної інформації.
Кваліфікаційний рівень	Інженер електронної техніки
Науковий ступінь	доктор технічних наук
Науковий керівник	доктор технічних наук, професор Готра Зенон Юрійович, Національний університет «Львівська політехніка».
Дата присвоєння н.с.	2010 р.
Вчене звання	доцент
Дата присвоєння в.з.	2007 р.
Поточне місце роботи	Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра електронних приладів

Фечан Андрій Васильович —доктор технічних наук професор кафедри електронних приладів Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився в м. Львові 7 січня 1969 році.

З 1975 до 1985 навчався в львівській середній школі № 55.

В 1990 р.закінчив із відзнакою Львівський політехнічний інститут за спеціальністю«Інженер електронної техніки».

В 1993 р.закінчив аспірантуру Державного університету «Львівська політехніка».

В 1999році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук в Інституті Фізики Національної Академії Наук України(м. Київ).

У 2002 р. отримав грант Європейської Наукової Асоціації INTAS.

У рамках проекту проводив наукові дослідження в галузі фізики рідких кристалів вуніверситеті П’єра та Марії Кюрі (Париж, Франція).

В 2007 році отримав вчене звання доцента.

У 2010 році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук у галузі рідкокристалічної оптоелектроніки у Національному університеті «Львівська політехніка».

З 2013 року професор кафедри електронних приладів.

Наукова діяльність

Тема кандидатської дисертації

Фізичні процеси при холестерико - нематичному переході в сильнополярних індукованих холестериках: Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.15/ Державний ун-т «Львівська політехніка». — К., 1999. — 129л. — Бібліогр.: л.121-129.

Тема докторської дисертації

Рідкокристалічна електроніка на основі ефекту холестерико-нематичного переходу [Текст] : дис. ... д-ра техн. наук : 05.12.20 / Фечан Андрій Васильович ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л., 2010. — с.296, [2] арк. : рис.

Науковий керівниук: доктор технічних наук, професор Готра Зенон Юрійович, Національний університет «Львівська політехніка».

Апробація результатів докторської дисертації

Наукові інтереси

рідкокристалічнийстан речовини та застосування рідких кристалів у пристроях обробки тавідображення оптичної інформації.

Результати наукових досліджень опубліковані в двох монографіях та понад 100 наукових працях, захищені 20 патентами.Член міжнародних наукових товариств SPIE та SID.

Вибрані публікації

Фечан А.В.Елементи оптоелектроніки на основі рідкокристалічних матеріалів. — Львів:Видавництво Львівської політехніки, 2010. — 254 с.

Рідкокристалічна електроніка / [З. Готра, Р. Зелінський, З. Микитюк, В. Сорокін, Львів:О.Сушинський, А. Фечан]: За редакцією проф. З. Готри. 532 с.Видавництво«Апріорі», 2010. 532 с.

Пат.10131, Україна. МПК С08G61/10, С08F138/00. Оптичний елемент з електрохромовим полімерним шаром / Аксіментьєва О.І., Конопельник О.І., Стахіра П.Й., ЧерпакВ.В., Фечан А.В.: заявник і власник патенту Львівський національний університетімені Івана Франка. — № 200500105, опубл. 15.09.2005., Бюл. № 9.

Пат. 28742 Україна, МПК (2006) G11B 11/00, G11C 11/00, G11C 13/04, H03K 17/78. Спосіб отримання наноструктурованого електрохромного матеріалу Аксіментьєва О.І., Фечан А.В.,Микитюк З.М., Польовий Д.О.: заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка; заявл. 02.07.2007, опубл. 25.12.2007, Бюл. №21.

Пат. 41105,Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою /Готра З.Ю., Микитюк З.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Шимчишин М.О.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 133/1: заяв. 14.10.2008.,опубл. 12.01.09, Бюл. № 9.

Пат.41119, Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного пристрою / Готра З.Ю., Микитюк З.М., ФечанА.В., Сушинський О.Є., Шимчишин М.О., Коцун В.І.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 17341/1: заяв. 28.10.2008., опубл.12.05.09, Бюл. № 9.

Пат.50345, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення планарного оптичного підсилювача / Готра З.Ю., Микитюк З.М., Фечан А. В., Сушинський О.Є.,Ясиновська О.Й.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — №11829/1: заяв. 20.07.2009., опубл. 10.06.10, Бюл. № 11.

Пат.50347, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора / Готра З.Ю., МикитюкЗ.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Ясиновська О.Й.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 15488/1: заяв. 03.08.2009., опубл.10.06.10, Бюл. № 11.

Пат.51230, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення оптоелектронного планарного рідкокристалічного багатоканального світловоду / Готра З.Ю., МикитюкЗ. М., Фечан А. В., Сушинський О. Є., Вараниця А.В..: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 7797/1: заяв. 28.12.2009., опубл.12.07.10, Бюл. № 13.

Пат.51231, Україна, МПК(2009) G02F 1/00. Спосіб виготовлення первинного перетворювача для сенсорів шкідливих речовин / Готра З.Ю., Микитюк З. М., ФечанА. В., Сушинський О. Є., Ясиновська О.Й. : заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 7798/1: заяв. 28.12.2009., опубл. 12.07.10, Бюл. №13.

Пат. 50530, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення планарного рідкокристалічного світловоду із змінним профілем показника заломлення / ГотраЗ.Ю., Микитюк З. М., Фечан А. В., Сушинський О. Є., Шимчишин М.О.: заявникНаціональний університет «Львівська політехніка». — № 6836/1: заяв.28.12.2009., опубл. 10.06.10, Бюл. №

Періодика, тези конференцій

Контакти

ІТРЕ, каф. ЕП, 108 к. III н.к., тел. 258-26-03