Відмінності між версіями «Фечан Андрій Васильович»
(Створена сторінка: {{Особа | П.І.Б = Фечан Андрій Васильович | Зображення (фото) = Fechan.jpg | Підпис зображення ...) |
|||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
| − | |||
| − | |||
{{Особа | {{Особа | ||
| П.І.Б = Фечан Андрій Васильович | | П.І.Б = Фечан Андрій Васильович | ||
| Рядок 28: | Рядок 26: | ||
| Спеціальність = електронна техніка | | Спеціальність = електронна техніка | ||
| Військове звання = | | Військове звання = | ||
| − | | Галузь наукових інтересів= рідкокристалічний стан речовини та застосування | + | | Галузь наукових інтересів= рідкокристалічний стан речовини та застосування рідких кристалів у пристроях обробки та відображення оптичної інформації. |
| Кваліфікаційний рівень = Інженер електронної техніки | | Кваліфікаційний рівень = Інженер електронної техніки | ||
| Науковий ступінь = доктор технічних наук | | Науковий ступінь = доктор технічних наук | ||
| Рядок 34: | Рядок 32: | ||
| Дата присвоєння н_с = 2010 р. | | Дата присвоєння н_с = 2010 р. | ||
| Вчене звання = доцент | | Вчене звання = доцент | ||
| − | | Дата присвоєння в_з = | + | | Дата присвоєння в_з = 2007 р. |
| Відомі учні | | Відомі учні | ||
| Відомі команди = | | Відомі команди = | ||
| Відомий у зв’язку з = | | Відомий у зв’язку з = | ||
| − | | Поточне місце роботи = [[Національний університет | + | | Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра електронних приладів]] |
| Почесні звання = | | Почесні звання = | ||
| Державні нагороди = | | Державні нагороди = | ||
| Рядок 45: | Рядок 43: | ||
| Власний сайт = | | Власний сайт = | ||
}} | }} | ||
| − | Фечан Андрій Васильович —доктор технічних наук професор, [[ | + | '''Фечан Андрій Васильович''' —доктор технічних наук професор, [[Кафедра електронних приладів |кафедри електронних приладів]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]]. |
=== Біографічна довідка === | === Біографічна довідка === | ||
| − | + | ||
| + | Народився в м. Львові 7 січня 1969 році. | ||
| − | З 1975 | + | З 1975 до 1985 навчався в львівській середній школі № 55. |
| − | В 1990 р.закінчив із відзнакою Львівський політехнічний інститут за спеціальністю«Інженер електронної техніки». | + | В 1990 р.закінчив із відзнакою [[Львівський політехнічний інститут]] за спеціальністю«Інженер електронної техніки». |
| − | В 1993 р.закінчив аспірантуру Державного університету «Львівська політехніка». | + | В 1993 р.закінчив аспірантуру [[Державний університет «Львівська політехніка»|Державного університету «Львівська політехніка»]]. |
| − | В 1999році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня | + | В 1999році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук в Інституті Фізики Національної Академії Наук України(м. Київ). |
| − | У 2002 р.отримав грант Європейської Наукової Асоціації INTAS. | + | У 2002 р. отримав грант Європейської Наукової Асоціації INTAS. |
| − | У | + | У рамках проекту проводив наукові дослідження в галузі фізики рідких кристалів вуніверситеті П’єра та Марії Кюрі (Париж, Франція). |
| − | В | + | В 2007 році отримав вчене звання доцента. |
| − | У | + | У 2010 році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук у галузі рідкокристалічної оптоелектроніки у [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національному університеті «Львівська політехніка»]]. |
| − | З | + | З 2013 року професор [[кафедра електронних приладів|кафедри електронних приладів]]. |
| + | |||
=== Наукова діяльність === | === Наукова діяльність === | ||
====Тема кандидатської дисертації==== | ====Тема кандидатської дисертації==== | ||
| − | + | ||
| + | Фізичні процеси при холестерико - нематичному переході в сильнополярних індукованих холестериках: Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.15/ Державний ун-т «Львівська політехніка». — К., 1999. — 129л. — Бібліогр.: л.121-129. | ||
| + | |||
==== Тема докторської дисертації ==== | ==== Тема докторської дисертації ==== | ||
| − | + | ||
| + | Рідкокристалічна електроніка на основі ефекту холестерико-нематичногопереходу [Текст] : дис. ... д-ра техн. наук : 05.12.20 / Фечан АндрійВасильович ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л., 2010. — с.296, [2] арк. : рис. | ||
| − | + | Науковий керівниук доктор технічних наук, професор [[Готра Зенон Юрійович]], [[Національний університет «Львівська політехніка»]]. | |
| − | =====[[Апробація результатів | + | =====[[Апробація результатів докторської дисертації Фечан А.В|Апробація результатів докторської дисертації]] ===== |
| + | |||
==== Наукові інтереси ==== | ==== Наукові інтереси ==== | ||
| + | |||
рідкокристалічнийстан речовини та застосування рідких кристалів у пристроях обробки тавідображення оптичної інформації. | рідкокристалічнийстан речовини та застосування рідких кристалів у пристроях обробки тавідображення оптичної інформації. | ||
| + | |||
| − | + | Результати наукових досліджень опубліковані в двох монографіях та понад 100 наукових працях, захищені 20 патентами.Член міжнародних наукових товариств SPIE та SID. | |
| + | |||
| − | ==== | + | ====Вибрані публікації==== |
| + | |||
Фечан А.В.Елементи оптоелектроніки на основі рідкокристалічних матеріалів. — Львів:Видавництво Львівської політехніки, 2010. — 254 с. | Фечан А.В.Елементи оптоелектроніки на основі рідкокристалічних матеріалів. — Львів:Видавництво Львівської політехніки, 2010. — 254 с. | ||
| − | + | Рідкокристалічна електроніка / [З. Готра, Р. Зелінський, З. Микитюк, В. Сорокін, Львів:О.Сушинський, А. Фечан]: За редакцією проф. З. Готри. 532 с.Видавництво«Апріорі», 2010. 532 с. | |
| − | Пат.10131, Україна. МПК С08G61/10, С08F138/00. Оптичний елемент з | + | Пат.10131, Україна. МПК С08G61/10, С08F138/00. Оптичний елемент з електрохромовим полімерним шаром / Аксіментьєва О.І., Конопельник О.І., Стахіра П.Й., ЧерпакВ.В., Фечан А.В.: заявник і власник патенту Львівський національний університетімені Івана Франка. — № 200500105, опубл. 15.09.2005., Бюл. № 9. |
| − | Пат. | + | Пат. 28742 Україна, МПК (2006) G11B 11/00, G11C 11/00, G11C 13/04, H03K 17/78. Спосіб отримання наноструктурованого електрохромного матеріалу Аксіментьєва О.І., Фечан А.В.,Микитюк З.М., Польовий Д.О.: заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка; заявл. 02.07.2007, опубл. 25.12.2007, Бюл. №21. |
| − | Пат. 41105,Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою /Готра З.Ю., Микитюк З.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Шимчишин М.О.: | + | Пат. 41105,Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою /Готра З.Ю., Микитюк З.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Шимчишин М.О.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 133/1: заяв. 14.10.2008.,опубл. 12.01.09, Бюл. № 9. |
| − | Пат.41119, Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення | + | Пат.41119, Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного пристрою / Готра З.Ю., Микитюк З.М., ФечанА.В., Сушинський О.Є., Шимчишин М.О., Коцун В.І.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 17341/1: заяв. 28.10.2008., опубл.12.05.09, Бюл. № 9. |
| − | Пат.50345, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення планарного | + | Пат.50345, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення планарного оптичного підсилювача / Готра З.Ю., Микитюк З.М., Фечан А. В., Сушинський О.Є.,Ясиновська О.Й.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — №11829/1: заяв. 20.07.2009., опубл. 10.06.10, Бюл. № 11. |
| − | Пат.50347, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення | + | Пат.50347, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора / Готра З.Ю., МикитюкЗ.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Ясиновська О.Й.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 15488/1: заяв. 03.08.2009., опубл.10.06.10, Бюл. № 11. |
| − | Пат.51230, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення | + | Пат.51230, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення оптоелектронного планарного рідкокристалічного багатоканального світловоду / Готра З.Ю., МикитюкЗ. М., Фечан А. В., Сушинський О. Є., Вараниця А.В..: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 7797/1: заяв. 28.12.2009., опубл.12.07.10, Бюл. № 13. |
| − | Пат.51231, Україна, МПК(2009) G02F 1/00. Спосіб виготовлення | + | Пат.51231, Україна, МПК(2009) G02F 1/00. Спосіб виготовлення первинного перетворювача для сенсорів шкідливих речовин / Готра З.Ю., Микитюк З. М., ФечанА. В., Сушинський О. Є., Ясиновська О.Й. : заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 7798/1: заяв. 28.12.2009., опубл. 12.07.10, Бюл. №13. |
| − | Пат. 50530, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення | + | Пат. 50530, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення планарного рідкокристалічного світловоду із змінним профілем показника заломлення / ГотраЗ.Ю., Микитюк З. М., Фечан А. В., Сушинський О. Є., Шимчишин М.О.: заявникНаціональний університет «Львівська політехніка». — № 6836/1: заяв.28.12.2009., опубл. 10.06.10, Бюл. № |
| − | ====[[ | + | |
| + | ====[[Періодика Фечан А.В.|Періодика, тези конференцій]] ==== | ||
===Контакти=== | ===Контакти=== | ||
| − | ІТРЕ, каф. ЕП, 108 к. III н.к., тел. 258-26-03 | + | |
| + | ІТРЕ, каф. ЕП, 108 к. III н.к., тел. 258-26-03 | ||
| + | |||
| + | |||
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]] | [[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]] | ||
| − | [[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та | + | [[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]] |
[[Категорія: Кафедра електронних приладів]] | [[Категорія: Кафедра електронних приладів]] | ||
[[Категорія:Викладачі]] | [[Категорія:Викладачі]] | ||
Версія за 15:33, 8 січня 2014
| Фечан Андрій Васильович | |
 д.т.н., професор | |
| Дата народження | 07.01.1969р. |
|---|---|
| Місце народження | м. Львів |
| Громадянство | Україна |
| Національність | українець |
| Alma mater | Львівський політехнічний інститут |
| Дата закінчення | 1990р. |
| Спеціальність | електронна техніка |
| Галузь наукових інтересів | рідкокристалічний стан речовини та застосування рідких кристалів у пристроях обробки та відображення оптичної інформації. |
| Кваліфікаційний рівень | Інженер електронної техніки |
| Науковий ступінь | доктор технічних наук |
| Науковий керівник | доктор технічних наук, професор Готра Зенон Юрійович, Національний університет «Львівська політехніка». |
| Дата присвоєння н.с. | 2010 р. |
| Вчене звання | доцент |
| Дата присвоєння в.з. | 2007 р. |
| Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра електронних приладів |
Фечан Андрій Васильович —доктор технічних наук професор, кафедри електронних приладів Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографічна довідка
Народився в м. Львові 7 січня 1969 році.
З 1975 до 1985 навчався в львівській середній школі № 55.
В 1990 р.закінчив із відзнакою Львівський політехнічний інститут за спеціальністю«Інженер електронної техніки».
В 1993 р.закінчив аспірантуру Державного університету «Львівська політехніка».
В 1999році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук в Інституті Фізики Національної Академії Наук України(м. Київ).
У 2002 р. отримав грант Європейської Наукової Асоціації INTAS.
У рамках проекту проводив наукові дослідження в галузі фізики рідких кристалів вуніверситеті П’єра та Марії Кюрі (Париж, Франція).
В 2007 році отримав вчене звання доцента.
У 2010 році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук у галузі рідкокристалічної оптоелектроніки у Національному університеті «Львівська політехніка».
З 2013 року професор кафедри електронних приладів.
Наукова діяльність
Тема кандидатської дисертації
Фізичні процеси при холестерико - нематичному переході в сильнополярних індукованих холестериках: Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.15/ Державний ун-т «Львівська політехніка». — К., 1999. — 129л. — Бібліогр.: л.121-129.
Тема докторської дисертації
Рідкокристалічна електроніка на основі ефекту холестерико-нематичногопереходу [Текст] : дис. ... д-ра техн. наук : 05.12.20 / Фечан АндрійВасильович ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л., 2010. — с.296, [2] арк. : рис.
Науковий керівниук доктор технічних наук, професор Готра Зенон Юрійович, Національний університет «Львівська політехніка».
Апробація результатів докторської дисертації
Наукові інтереси
рідкокристалічнийстан речовини та застосування рідких кристалів у пристроях обробки тавідображення оптичної інформації.
Результати наукових досліджень опубліковані в двох монографіях та понад 100 наукових працях, захищені 20 патентами.Член міжнародних наукових товариств SPIE та SID.
Вибрані публікації
Фечан А.В.Елементи оптоелектроніки на основі рідкокристалічних матеріалів. — Львів:Видавництво Львівської політехніки, 2010. — 254 с.
Рідкокристалічна електроніка / [З. Готра, Р. Зелінський, З. Микитюк, В. Сорокін, Львів:О.Сушинський, А. Фечан]: За редакцією проф. З. Готри. 532 с.Видавництво«Апріорі», 2010. 532 с.
Пат.10131, Україна. МПК С08G61/10, С08F138/00. Оптичний елемент з електрохромовим полімерним шаром / Аксіментьєва О.І., Конопельник О.І., Стахіра П.Й., ЧерпакВ.В., Фечан А.В.: заявник і власник патенту Львівський національний університетімені Івана Франка. — № 200500105, опубл. 15.09.2005., Бюл. № 9.
Пат. 28742 Україна, МПК (2006) G11B 11/00, G11C 11/00, G11C 13/04, H03K 17/78. Спосіб отримання наноструктурованого електрохромного матеріалу Аксіментьєва О.І., Фечан А.В.,Микитюк З.М., Польовий Д.О.: заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка; заявл. 02.07.2007, опубл. 25.12.2007, Бюл. №21.
Пат. 41105,Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою /Готра З.Ю., Микитюк З.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Шимчишин М.О.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 133/1: заяв. 14.10.2008.,опубл. 12.01.09, Бюл. № 9.
Пат.41119, Україна, МПК(2006) G02F 1/13. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного пристрою / Готра З.Ю., Микитюк З.М., ФечанА.В., Сушинський О.Є., Шимчишин М.О., Коцун В.І.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 17341/1: заяв. 28.10.2008., опубл.12.05.09, Бюл. № 9.
Пат.50345, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення планарного оптичного підсилювача / Готра З.Ю., Микитюк З.М., Фечан А. В., Сушинський О.Є.,Ясиновська О.Й.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — №11829/1: заяв. 20.07.2009., опубл. 10.06.10, Бюл. № 11.
Пат.50347, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора / Готра З.Ю., МикитюкЗ.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Ясиновська О.Й.: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 15488/1: заяв. 03.08.2009., опубл.10.06.10, Бюл. № 11.
Пат.51230, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення оптоелектронного планарного рідкокристалічного багатоканального світловоду / Готра З.Ю., МикитюкЗ. М., Фечан А. В., Сушинський О. Є., Вараниця А.В..: заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 7797/1: заяв. 28.12.2009., опубл.12.07.10, Бюл. № 13.
Пат.51231, Україна, МПК(2009) G02F 1/00. Спосіб виготовлення первинного перетворювача для сенсорів шкідливих речовин / Готра З.Ю., Микитюк З. М., ФечанА. В., Сушинський О. Є., Ясиновська О.Й. : заявник Національний університет «Львівська політехніка». — № 7798/1: заяв. 28.12.2009., опубл. 12.07.10, Бюл. №13.
Пат. 50530, Україна, МПК(2009) G02F 1/13. Спосіб виготовлення планарного рідкокристалічного світловоду із змінним профілем показника заломлення / ГотраЗ.Ю., Микитюк З. М., Фечан А. В., Сушинський О. Є., Шимчишин М.О.: заявникНаціональний університет «Львівська політехніка». — № 6836/1: заяв.28.12.2009., опубл. 10.06.10, Бюл. №
Періодика, тези конференцій
Контакти
ІТРЕ, каф. ЕП, 108 к. III н.к., тел. 258-26-03
