Вибрані публікаці Ховерко Ю.М.

1. Druzhinin A., Lavitska Е.,Maryamova I., Kogut І., Khoverko Y. On possibility to extend the operation temperature range of SOI sensors with polysilicon piezoresistors // J. of Telecom. and Inform. Techn.— 2001. — No 1. — P. 40–45.

2. Druzhinin А., Lavitska E.,Maryamova I., Khoverko Y. Laser recrystallized SOI layers for sensorapplications at cryogenic temperatures // F. Balestra et al. (eds.) Progress in SOI structures and Devices Operating at Extreme Conditions. Kluwer Acad. Publ.Printed in the Netherlands.— 2002. — P. 233–237.

3. Druzhinin A., Pankevich I.,Khoverko Y. Recrystallized polysilicon on insulater substrates as a materialfor optoelectsensors // Proc. of SPIE. — 1999. — Vol. 3730. — P. 47–50.

4. Дружинін А.О., Когут I.Т., ЛитвинI.С., Тиханський М.В., Ховерко Ю.М. Дослідження фотоелектричних властивостей структур типу КНД // Вiсн. Держ. ун—ту «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотiльної електронiки». — 1998. — № 325. — С. 53–57.

5. Панков Ю.М., Ховерко Ю.М., КогутI.Т., Георгiєва I.А. Мiк-роелектроннi ємнiснi сенсори тиску на основi структуркрем-нiй на iзоляторi // Вiсн. Держ. ун—ту «Львівська політехніка», «Теорiя i проектування напiвпровiдникових та радiоелектронних пристроїв. — 1998. — №326. — С. 95–99.

6. Ховерко Ю.М., Сень О.В.Особливостi анiзотропного трав-лення при виготовленнi мiкроелектронних сенсорiвтиску // Вiсн. Держ. ун—ту «Львівська політехніка» «Елементи теорiї та прилади твердотiльної електронi-ки». — 1998. — № 325. — С. 140–143.

7. Дружинін А.О., Лавитська О.М.,Панков Ю.М., Мар’ямова І.Й., .Ховерко Ю.М. Мікроелектронні сенсори на основішарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням // Вiсн. Держ. ун—ту «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотiльної електронiки».— 2000. — № 393. — С. 7–12.

8. Дружинін А.О., Мар’ямова І.Й.,Лавитська О.М., Кутраков О.П., Панков Ю.М., Ховерко Ю.М. П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристаліві КНІ-структур // Вісн. Нац. ун—ту «Львівська політехніка» «Електроніка». —2002. — № 459. — С. 75–91.

9. Дружинін А.О., Лавитська О.М.,Мар’ямова І.Й., Ховерко Ю.М. Дослідження властивостей шарів полі—Si длястворення на їх основі сенсорів працездатних при кріогенних температурах //Вісн. Нац. ун—ту «Львівська політехніка» «Електроніка». — 2002. — № 455. — С.134–141.

10. Патент України № 32784А,6H01L27/12. Спосіб виготовлення кремній-на-ізоляторі — структур /Дружинін А.О., Когут І.Т., Ховерко Ю.М.; Заявл.10.04.98р; Опубл.15.02.2001 р.,бюл № 1. С.4.

11. Патент України № 34721А,6H01L27/12. Спосіб виготовлення структур кремній-на-ізоляторі / Дружинін А.О.,Когут І.Т., Ховерко Ю.М.; Заявл. 17.06.99р; Опубл. 15.03.2001 р., бюл. № 2.С.4.

12. Budjak Y., Druzhinin A.,Pankevich I., Khoverko Y. Improving of temperature stability of polysiliconlayer’s parameters by laser recrystallization // 41. Intern.Wissensch.Kolloquium. 23–26.09.1996. Vortragsreihen. Ban 3.Technische Univ., Ilmenau(Germany). — 1996. — P. 678–681.

13. Дружинін А.О., Когут I.Т.,Панкевич I.М., Ховерко Ю.М. Структура та властивостi шарiв полiкремнiю наiзолюючих пiдкладах, рекристалiзованих лазерним випромінюванням // Труди Українсь-кого Вакуумного Товариства, Харків (Україна). — 1997. — Т.3. — С.271–274.

14. Druzhinin A., Maryamova I.,Lavitska E. and Khoverko Y. Efof the Laser Recrystallization on theTemperature—Dependent Characteristics of SOI Piezoresistors // Proc. of 5th Nexuspan Workshop «Thermal Aspects in Microsystem Technology», Buda(Hungary ).— 1998. — P. 63–65.

15. Druzhinin A., Lavitska E.,Maryamova I., Khoverko Y. Modification of the electrical and piezoresistiveproperties of polysilicon layers by the laser recrystallization // Труды III Междунар. симпоз. «Вакуумные технологии и оборудование», Харьков (Украина).—1999. — Т.1. — С. 148–152.

16. Druzhinin A., Lavitska E.,Maryamova I., Khoverko Y. Carrier transport in laser—recrystallized polysiliconlayers for microelectronic devices and sensors // Proc. of Intern.Semiconductor Conf., CAS’99. — Sinaia (Romania). — 1999. — Vol. 1. — P.327–330.

17. Мар’ямова I.Й., Когут I.Т.,Кутраков О.П., Панкевич I.М., Ховерко Ю.М. Температурнi характеристики тонких шарiв полiкремнiю // Матерали VI Мiжн. конф. з фiзики i техн. тонких плiвок,Iвано—Франкiвськ (Україна). — 1997. — Т.1. — С. 153.

18. Druzhinin A.A., Lavitska E.N.,Maryamova I.I., Khoverko Y.M. Carrier Transport and Pezoresistance inLaser—Recrystallized Polysilicon Layers // Proc. of Third Intern. School—Conf.«Physical Problems in Material Science of Semiconductors», Chernivtsi(Ukraine). — 1999. — P. 172.

19. Дружинин А.О., Марьямова И.И.,Матвиенко С.Н., Ховерко Ю.Н. Исследование свойств слоев поликремния наизоляторе при креогенных температурах для создания сенсора // Труды IV Междун.научно-практ. конф. «Современные информационные и электронные технорлогии».СИЭТ — 2003, Одесса (Украина). — 2003. — C. 265.

20. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko and N. Liakh-Kaguy Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin // Low Temperature Physics.– 2016.– Vol. 42.– P. 453–457.

21. Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Sergij Yatsukhnenko Magnetic properties of doped Si<B,Ni> whiskers for spintronics // Journal of Nano Research.– 2016.– Vol. 39.– P. 43–54.

22. A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, І.I. Khytruk The electron scattering on local potential of crystal defects in GaSb whiskers // Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2015.– Vol. 7(4).– P. 04084-1¬–04084-4.

23. Magneto-transport properties of polysilicon in SOI structures at low temperatures/ Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Kogut, I., Khoverko Yu., Koretskii, R., Kogut, I. // Materials Science in Semiconductor Processing.–Vol. 31.–2015.– P. 19-26.

24. Strain-induced effects in p-type Si whiskers at low temperatures/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, R. Koretskii. // Materials Science in Semiconductor Processing.– 2015.–Vol. 40.– P. 766–771.

25. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, I. Khytruk, K. Rogacki Peculiarities of magnetoresistance in InSb whiskers at cryogenic temperatures // Materials Research Bulletin.– 2015.– Vol.72.– P.324–330.

26. Magnetic susceptibility and magnetoresistance of neutron-irradiated doped SI whiskers/ A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, K. Rogacki, P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, Yu.O. Ugrin // Journal of Magnetism and Magnetic Materials.– 2015.– Vol. 393.– P. 310–315.

27. Technological approaches for growth of silicon nanowire arrays. In: Fesenko O., Yatsenko L. (eds) Nanocomposites, nanophotonics, nanobiotechnology, and applications/ Druzhinin A., Evtukh A., Ostrovskii I., Khoverko Yu., Nichkalo S., and Dvornytskyi S.// Springer International Publishing, Cham, 2015.–P. 301–308.

28. Наноразмерные системы и наноматериалы: исследования в Украине / А.А. Евтух, А.А. Григорьев, А.Ю. Кизяк, О.В. Стеблова, А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало Электронные полевые эмисионные катоды и резонансно-туннельные структуры на основе нанопроволок кремния / Кол.моногр. под ред. А.Г. Наумовец // НАН Украины. – К.: Академпериодика, 2014. – 768 с.

29. Properties of low-dimentional polysilicon in SOI structures for low temperature sensors/ A. Druzhinin, Yu. Khoverko, I. Kogut, R. Koretskii //Advanced Materials Research.– 2014.– Vol. 854.– P. 49–55.

30. Variable-range hopping conductance in Si whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, R. Koretskyy, Iu. Kogut // Phys. Status Solidi A 211, No. 2.–2014.–P. 504–508.

31. Impedance spectroscopy of polysilicon in SOI structures/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, Iu. Kogut // Physica Status Solidi C 11.–№1.– 2014.– P.156–159.

32. Magnetic susceptibility of doped Si nanowhiskers/ Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Khoverko Yu.M., Kogut Iu.R., Nichkalo S.I., Warchulska J.K. // Journal of Nanoscience and Nanotechnology.– 2012.–Vol. 12.– P.8690–8693.

33. Структури кремній-на-ізоляторі для сенсорної електроніки/ Дружинін А.О., Когут І.Т., Ховерко Ю.М.// Монографія. – Львів: Вид. НУ “Львівська політехніка”. – 2013. – 233 с.

34. Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si/ Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Корецький Р.М. // Журнал фізичних досліджень. – 2012.–Т.16, № 3. – С. 3703 (1–4).

35. Strain effect on magnetoresistance of SiGe solid solution whiskers at low temperatures/ A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, N.S. Liakh-Kaguj and Iu.R. Kogut // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2011. – Vol. 14, № 1. – P. 18–22.

36. Polysilicon on Insulator Structures for Sensor Application at Electron Irradiation & Magnetic Fields/ Anatoly Druzhinin, Inna Maryamova, Igor Kogut, Yuriy Khoverko // Advanced Materials Research. – 2011. – Vol. 276. – P. 109–116.

37. The Device-Technological Simulation of The Field-Emission Micro-Cathods Based on Three-Demensional SOI-Structures/ Anatolij Druzhinin, Victor Holota, Igor Kogut, Sergij Sapon, Yurij Khoverko// ECS Transactions (The Electrochemical Society). – 2008. – Vol. 14, № 1. – P. 569–580.

38. Polysilicon-on-insulator layers at cryogenic temperatures and high magnetic fields/ Druzhinin А., I. Maryamova, I. Kogut, Yu. Pankov, Yu. Khoverko, T. Palewski // D. Flandre et al. (eds.), Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment. – Kluwer Academic Publishers. – 2005. – P. 297–302.

39. Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method/ A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, Ya.V. Gij // Functional materials.–2005. – Vol. 12, № 4.– P.738–741.