Вибрані публікаці І.А. Большакової

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Перейти до: навігація, пошук
  1. Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля: Монографія. За редакцією Готри З.Ю. / Большакова І.А., Гладун М.Р., Голяка Р.Л., Готра З.Ю., Лопатинський І.Є., Потенцкі Є., Сопільник Л.І.— Львів: Видавництво «Львівська політехніка», 2001. — 412c.
  2. Bolshakova I., Moskovets T., Ostrovskii I., Ostrovskaya A., Klimenko A..Modelling of InSb and In As whiskers growth. // Computational Materials Science.— 1998. — Vol.10. — P.38-41.
  3. Bolshakova I. Magnetic microsensors: technology, properties,applications // Sensors & Actuators A. — 1998. — Vol. 68. — P. 282-285.
  4. Большакова І.А. Застосування магнітних мікросенсорів // Вісник ДУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 1998. — № 357. — С. 3-7.
  5. Большакова І.А., Московець Т.А., Копцев П.С., Макідо О.Ю. Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів // Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2002. — №455. — С. 121-125.
  6. Большакова І.А Отримання мікрокристалів напівпровідників A3B5 для створення магнітних мікросенсорів // Вісник ДУ «Львівська політехніка».Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. — 1998. — № 325. — С.8-10.
  7. Большакова І., Голяка Р. Алгоритми термостабілізації функціонально-інтегрованих магнітометичних перетворювачів. // Вісник ДУ «Львівська політехніка». Радіоелектроніка та телекомунікації. — 2000. — № 387.— С.70-75.
  8. Большакова І.А., Воронін В.О., Копцев П.С., Мельник І.І., Московець Т.А.Дослідження рівноважного складу газової фази систем InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 //Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2000. — № 401. — С. 54-56.
  9. Большакова І.А., Брайлян Р.І., Голяка Р.Л., Єгоров А.Г., Когут І.В.,Копцев П.С., Марусенков А.В. Використання радіаційностійких перетворювачівХолла в системах орієнтації космічних апаратів // Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 39-44.
  10. Большакова І.А., Мельник І.І., Московець Т.А. Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Cr, Mn та Al на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb // Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2001. — № 430. — С. 47-54.
  11. Большакова І.А. Сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальних умовах // Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2002. — № 459. — С.29-49.
  12. Большакова І.А., Заячук Д. М., Московець Т. А., Макідо О. Ю., Копцев П.С., Шуригін Ф. М. Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77525К// Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 86-91.
  13. Большакова І.А., Кость Я.Я., Луців Р.В., Макідо О.Ю., Московець Т.А.Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованихербієм//Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка.- 2005. — № 532. —С.15-20.
  14. Большакова І.А., Московець Т. А. Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідження масопереносу InSb в системі InSb — J2// Вісник НУ «Львівська Політехніка».Електроніка.- 2004. — № 513. — C.48-54.
  15. Большакова І.А., Макідо О.Ю., Московець Т.А., Шуригін Ф.М., КовальоваН.В. Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових тамонокристалічних мікросенсорів на основі InSb // Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка.- 2006. — № 558. — С.108-112.
  16. Большакова І.А., Голяка Р.В., Єрашок В.Е. Пристрій картографування магнітного поля циклотронних магнітів на основі матриць холлівських сенсорів //Вісник НУ «Львівська Політехніка». Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки.- 2005.— № 542. — С.45-52.
  17. Большакова І.А., Голяка Р.В., Єрашок В.Є. Гальваномагнітні пристрої дляреакторів термоядерного синтезу: основні підходи// Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка.- 2005.— № 532. — С.3-14.
  18. Bolshakova I., Leroy C., Kumada M. Investigation of indium antimonitemicrocrystals irradiated with fast neutrons // Вісник НУ «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. — 2002. — №458. — С.241-245.
  19. І.А. Большакова, Р.Л. Голяка, О.Ю. Макідо, А.В.Марусенков.Тонкоплівковий гальваномагнітний 3-D сенсор // Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка.- 2006. — № 558. — С.35-42.
  20. Bolshakova I., Brudnyi V., Boiko V., Kolin N., Kumada M., Leroy C.,Merkurisov D.. The radiation hardness of magnetic sensors and devices inextreme conditions of irradiation with high neutron fluxes // Вісник НУ «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки.— 2004. — № 512. — С.86-92.
  21. Bolshakova I., Brudnyi V., Kolin N., Koptsev P., Kost Ya., Kovaleva N.,Makido O., Moskovets T., Shoorigin F. The behaviour of InSb under theirradiation with reactor neutrons // Вісник НУ «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. — 2004. — № 510. —С.56-61.
  22. Патент № 37505 України, МКИ 7 G 01 R 31/02. Електромагнітна система формування керуючих моментів космічного апарата / Большакова І.А., Гладілін В.С., Дмитрієв Б.В., Меланченко О.Г., Нікітіна Н.П., Покатаєв В.М., Попов А.А.,Салтиков Ю.Д., Ткали В.Г., Шмідт І.Р. (Україна); ДКБ «Південне» ім.М.К.Янгеля —№ 99042336; Заявлено 24.04.99; Опубл. 15.11.02, Бюл. № 11. — 6 с.
  23. Патент № 52637 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Магнітний мультісенсор / Большакова І.А., Гумен С.С., Мороз А.П., Московець Т.А.(Україна) — № 98073795; Заявлено 14.07.98; Опубл. 15.01.03, Бюл. № 1. — 3 с.
  24. Патент № 52636 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Магнітний мікросенсор / Большакова І.А., Гумен С.С., Московець Т.А. (Україна) — №98073794; Заявлено 14.07.98; Опубл. 15.01.03, Бюл. № 1. — 3 с.
  25. Патент № 72824 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/10. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003032789; Заявлено 31.03.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 2 с.
  26. Патент № 72825 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/10. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003032790; Заявлено 31.03.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.
  27. Патент № 72826 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/10. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003032791; Заявлено 31.03.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.
  28. Патент № 72831 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003065531; Заявлено 13.06.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.
  29. Патент № 72832 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003065533; Заявлено 13.06.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.
  30. Патент № 73816 України, МКИ 7 G 01 R 33/06. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — № 2003065532;Заявлено 13.06.03; Опубл. 15.09.05, Бюл. № 9. — 3 с.
  31. Патент № 74628 України, МКИ МПК(2006) G 01 R 33/06, Н 01 L 43/00.Багатопозиційний 3-D сенсор магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — № 2003098632; Заявлено 22.09.03; Опубл. 16.01.06, Бюл. № 1. — 3 с.
  32. Патент № 76132 України, МКИ МПК(2006) G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06.Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — № 2003076517; Заявлено 11.07.03; Опубл. 17.07.06, Бюл. № 7. — 4 с.
  33. Заявка GB2427700 на патент Великобританії, G1U U1S Int Cl G01R 35/00(2006.01) G01R 33/07 (2006.01). Magnetic field measurement with continuouscalibration. Priorities: [UA200506331 29 Jun 2006] / Bolshakova I., Holyaka R.(Ukraine) — GB0518433.8; Заявлено 09.09.05; Опубл. 03.01.07, Patents and Designs Journal No.6137. — 10 p.
  34. Заявка FR 2 887 991 на патент Франції, Int Cl G 01 R 33/06 (2006.01)Procede de mesure du champ magnetique quasi-statique. Priorite: [29.06.06 UA200506331]/ Bolshakova I., Holyaka R. (Ukraine) — 05 08903; Заявлено 31.08.05;Опубл. 05.01.07, Bulletin 07/01. — 10 p.
  35. Bolshakova I., Brudnyi V., Holyaka R., Kolin N., Kumada M., Leroy C.,Matkovsky A. Experimental investigation of High-energy neutron effect on indiumantimonide semiconductor microcrystals directly during their irradiation inreactor channel // Proc. 8th International Conference on Advanced Technologyand Particle Physics (VOIC2003). — Villa Olmo, Como (Italy). — on-line: www.worldscientific. com/books/physics/5553
  36. Брудный В.Н., Большакова И.А., Каменская И.В., Колин Н.Г. Образование радиационных дефектов в InSb при облучении высокоэнергетическими частицами. //Proc. of 12-th. International Conference On Radiation Physics and Chemistry OfInorganic Materials (RPC-12). — Tomsk (Russia). — 2003. — Р.235-239
  37. Bolshakova I., Duran I., Kulikov S., Kumada M., Leroy C. Radiationresistant magnetic sensors for accelerators // Proceedings of 9th European Particle Accelerator Conference (EPAC04). — Lucerne (Switzerland). — 2004. —P.773-775. http://accelconf.web.cern.ch/AccelConf/e04/PAPERS/MOPLT103.PDF
  38. Bolshakova I., Brudnyi V., Holyaka R., Kolin N., Leroy C., Luschikov V.,Shoorygin F. Magnetic F Sensors under Extreme Conditions // Proc. 18th International Conference on Solid-State Sensors (EUROSENSORS XVIII). — Rome(Italy). — 2004. —Р. 526-527.
  39. Hristoforou E., Bolshakova I., Holyaka R.; Duran I.; Stockel J.;Viererbl L.; Vayakis G. Sensors and instrumentation for the magnetic fieldmeasurement under high neutron fluences// Proc. of IEEE Sensors 2004 Conf. —Vienna (Austria), — 2004. — Vol.3. — P. 1075-1077.
  40. Duran J., Hron M., Stöckel J. J., Viererbl L., Všolák R., Červa V.,Bolshakova I., Holyaka R., Vayakis G. Stability of the Hall sensors performanceunder neutron irradiation // Proceedings of the 12th International Congress on Plasma Physics (ICPP 2004). — Nice (France). — 2004. —http://hal.archives-ouvertes.fr/ hal-00001781/en/
  41. Bolshakova I., Coccorese V., Duran I., Gerasimov S., Holyaka R., MoreauP., Murari A., Saint-Laurent F., Stockel J. and JET EFDA Contributors.Present-day Experience In The Use of Galvanomagnetic Radiation Hard Transducersin Fusion Devices // Proceeding of 13th International Congress on PlasmaPhysics (ICPP’ 2006) — Kiev (Ukraine) — 2006. — P.B124 (CD).http://icpp2006.kiev.ua/CD/B/B121p.pdf.
  42. Murari A., de la Luna E., Brzozowski J., Edlington T., Angelone M.,Bolshakova I., Ericcson G., Gorini G., Holyaka R., Kaellne J., Kiptily V.,LeGuern F., Pillon M., Rubel M., Santala M., Tardocchi M. and JET-EFDAcontributors. Progress in Diagnostic ITER-relevant Technologies at JET // Proc.of the 21st IAEA Fusion Energy Conference (IAEA2006) — Chengdu (China).- 2006.-IT/P1-23.- P.1-8 www-pub.iaea.org/MTCD/Meetings/FEC2006/it_pl-23.pdf
  43. Donné A.J.H., Costley A.E., for the ITPA Topical Group on Diagnostics(Additional contributing authors: Bertalot L., Bolshakova I., Esposito B.,Holyaka R. at all). High Priority R&D Topics in Support of ITER Diagnostic Development // Proc. of the 21st IAEA Fusion Energy Conference (IAEA2006) —Chengdu (China).— 2006.— IT/P1-24.— P.1-8 www.iter.org/IAEA2006/ITERP1-24.pdf
  44. Большакова И.А., Брудный В.Н., Голяка Р.Л., Макидо Е.Ю., МарусенковА.В., Мороз А.П. Тонкопленочный III-V полупроводниковый 3-D сенсор магнитногополя // Материалы 9ой международной конференции «Арсенид Галлия и полупроводниковыесоединения группы III-V» (GaAs-2006). — Томск (Россия). — С.541-544
  45. Inessa Bolshakova, Yaroslav Kost, Elena Makido, Fedor Shurygin.Mathematical simulation, synthesis, characterization and application of indiumarsenide whiskers. // Journal of Crystal Growth. — 2007. —Volume 310. — Issues7-9. — pp. 2254-2259.
  46. Большакова І.А., Брудний В.Н.,Заячук Д.М., Макідо О.Ю.,Маслюк В.Т.,Мегела І.Г., Московець Т.А., Шуригін Ф.М. Вплив електронного опромінення намікрокристали InSb< Sn> та InAs <Sn> //Фізика і хімія твердоготіла. — 2005. — Т.6,№ 2. — С.198-202. Physics and Chemistry of Solid State. —2005. — V.6,№ 2. — Р.198-202.
  47. Большакова И.А., Макидо Е.Ю., Маслюк В.Т., Мегела И.Г., Московец Т.А.,Шурыгин Ф.М. Влияние электронного облучения на микрокристаллы InAs<Sn>,выращенные методом химических транспортных реакций // Известия ВУЗов. Физика. —2006. — Т.49, № 3. — C.8-10.
  48. Большакова І.А., Ковальова Н.В., Кость Я.Я., Копцев П.С., Московець Т.А. Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідження процесів росту та властивостеймікрокристалів арсенідів галію та індію//Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка. — 2004. — № 513. — C.40-47.
  49. Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М. Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газовоїфази // Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка. — 2007. — № 592. —C.3-7.
  50. I.Bolshakova, V.Brudnyi, N.Kolin, P. Koptsev, Ya. Kost, N. Kovaleva,O.Makido, T.Moskovets, F.Shoorigin The behaviour of InSb under the irradiationwith reactor neutrons // Вісник НУ «Львівська політехніка». Елементи теорії таприлади твердотільної електроніки. — 2004. — № 510. — С.56-61.
  51. Bolshakova I., Brudnyi V., Duran I., Holyaka R., Kolin N., Kumada M.,Leroy C., Luschikov V., Shoorygin F., Stôckel J., Vayakis G., Viererbl L.Magnetic Field Sensors under Harsh Radiation Conditions of Neutron Irradiation// Digest of Technical Papers of 18th International Conference on Solid-StateSensors (EUROSENSORS XVIII). — Rome (Italy). — 2004. — СD. — P2.52 — P.682-685.
  52. Большакова І.А., Московець Т. А., Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідженнямасопереносу InSb в системі InSb — J2 // Вісник НУ «Львівська Політехніка».Електроніка. — 2004. — № 513. — C.48-54.
  53. Большакова І.А., Московець Т. А., Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Опромінення високоенергетичними електронами тонко плівкових та монокристалічнихмікросенсорів на основі InSb // Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка.— 2006. — № 558. — C.108-113.
  54. I. Bolshakova, V.Brudnyi, R.Holyaka, N. Kolin, C. Leroy, V.Luschikov,F.Shoorygin. Magnetic F Sensors under Extreme Conditions // Digest of TechnicalPapers of 18th International Conference on Solid-State Sensors (EUROSENSORSXVIII). — Rome (Italy). — 2004. —P. 526-527.
  55. Большакова И.А., Макидо Е.Ю., Маслюк В.Т., Мегела И.Г., Московец Т.А.,Шурыгин Ф.М. Влияние электронного облучения на микрокристаллы InSb // Известия ВУЗов. Физика. — 2006. — Т.49, № 2. — C.42-45.
  56. Большакова І.А., Заячук Д. М.,Московець Т. А., Макідо О. Ю., Копцев П. С., Шуригін Ф. М. Дослідженнятемпературної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію вінтервалі температур 77525К // Вісник НУ «Львівська політехніка».Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 86-91.
Отримано з https://wiki.lpnu.ua/wiki/index.php?title=Вибрані_публікаці_І.А._Большакової&oldid=25087