Островський Ігор Петрович

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Версія від 12:54, 15 листопада 2019, створена Ірина Мартин (обговорення • внесок) (Островський)

(різн.) ← Попередня версія • Поточна версія (різн.) • Новіша версія → (різн.)
Перейти до: навігація, пошук
Островський Ігор Петрович
30.jpg
д.т.н., професор
Дата народження 05.06.1965 р
Громадянство Україна
Alma mater Львівський державний університет імені Івана Франка.
Дата закінчення 1987 р.
Спеціальність фізика
Галузь наукових інтересів фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі
Кваліфікаційний рівень фізик
Науковий ступінь доктор технічних наук
Дата присвоєння н.с. 2012р.
Вчене звання професор
Дата присвоєння в.з. 2013р.
Поточне місце роботи Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Островський Ігор Петрович — доктор технічних наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Лекційні курси:

  • «Наноструктури»,
  • «Квантова та оптоелектроніка».

Наукова діяльність

Тема кандидатської дисертації: Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1996. — 159 л. — л.: 146-159

Тема докторської дисертації: Структурні особливості та фізичні властивості за впливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський. — Львів : Б.в., 2011.

Основна тематика наукових досліджень на кафедрі

  • Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первин­них перетворювачів фізичних величин.
  • Вирощування субмікронних ниткоподіб­них кристалів кремнію методом CVD.
  • Термоелектричні та магнетні характер­истики ниткоподібних кристалів твердих розчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.

Наукові інтереси

Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.

Видавнича діяльність

Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, одну монографію.

Вибрані публікації

  1. Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»,2010. — С. 49. — Бібліогр.: 2 назви.
  2. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
  3. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники и нанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. — Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
  4. Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. 2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
  5. Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
  6. Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
  7. Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.
  8. Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. 2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
  9. Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, 0. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. 2010. — Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
  10. Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С. 8-9.
  11. Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.
  12. Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.
  13. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
  14. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, I. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Новітехнології. 2010. — № 2 (28). — С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
  15. Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
  16. Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь — Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438. — Библиогр.: 2 назв.
  17. Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge для сенсорів фізичних величин / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко,П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — Т. 2. — С. 127.
  18. One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали X Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / Нац.ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2010. — C. 327-328. — Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
  19. Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.
  20. A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, K. Rogacki, P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, Yu.O. Ugrin Magnetic susceptibility and magnetoresistance of neutron-irradiated doped SI whiskers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials.– 2015.– Vol. 393.– P. 310–315.
  21. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh-Kaguy, Іu. Kogut Thermoelectric properties of oblique SiGe whiskers // Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2016.– Vol. 8(2).– P. 02030-1¬–02030-5.
  22. Klimovskaya, A., Vysotskaya, N., Chaikovsky, Yu., Korsak, A., Lichodievskiy, V., Ostrovskii, I. Morphology of the interface "silicon wire - nerve fiber" // Journal of Nano Research. – 2016, Volume 39Pages 214-220.
  23. Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Sergij Yatsukhnenko Magnetic properties of doped Si<B,Ni> whiskers for spintronics // Journal of Nano Research.– 2016.– Vol. 39.– P. 43–54.
  24. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko and N. Liakh-Kaguy Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin // Low Temperature Physics.– 2016.– Vol. 42.– P. 453–457.
  25. A.A. Druzhinin, N.S. Liakh-Kaguy, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, K. Rogacki Superconductivity and Kondo effect of PdxBi2Se3 whiskers at low temperatures // Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2017.– Vol. 9 (5).– P. 05013-1–05013-5.
  26. Anatoly Druzhinin, Ihor Ostrovskii, Natalia Liakh-Kaguy, Tomasz Zyska, Azhar Tuleshova, Maksabek Satymbekov, Aigul Iskakova. Thermoelectric properties of SiGe whiskers with various morphology // Proceedings of SPIE.– 2017.– Vol. 10445.– P. 1044556-1–1044556-9.
  27. Khytruk I., Druzhinin A., Ostrovskii I., Khoverko Yu., Liakh-Kaguy N. Properties of moped GaSb whiskers at low temperatures // Nanoscale Research Letters.– 2017.– Vol.12(156).– P.1-8.
  28. Yatsukhnenko S., Druzhinin A., Ostrovskii I., Khoverko Yu., Chernetskiy M. Nanoscale conductive channels in silicon whiskers with nickel impurity // Nanoscale Research Letters.– 2017.– Vol.12(78).– P.-7.
  29. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, and N. Liakh-Kaguy Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers // Low Temperature Physics.– 2017.– Vol. 43.– P. 692–698.
  30. Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Roman Koretskii, Sergii Yatsuhneko Impedance of boron and nickel doped silicon whiskers / Journal Molecular and Liquid Crystal. 2018. – P.1-8.
  31. Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Krzysztof Rogacki Igor Kogut, Victor Golota// Nanoscale polysilicon in sensors of physical values at cryogenic temperatures/ Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2018. – P.1-7.
  32. Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Krzysztof Rogacki , Natalia Liakh Kaguy. Superconductivity and weak localization of PdxBi2Se3 whiskers at low temperatures// Journal Applied Nanoscience . –2018. – P. 1-7.
  33. A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, R.M. Koretskyy, M.Yu. Chernetskiy. Transport Phenomena for Development Inductive Elements Based on Silicon Wires // Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2018.– Vol. 10 (2).– P. 02038-1 - 02038-5.


Контакти

ІТРЕ, каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ «Кристал»,

тел. +38 (032) 258-26-27

e-mail: iostrov@polynet.lviv.ua

Отримано з https://wiki.lpnu.ua/wiki/index.php?title=Островський_Ігор_Петрович&oldid=46565