Вибрані публікаці І.А. Большакової

Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля: Монографія. Заредакцією Готри З.Ю. / Большакова І.А., Гладун М.Р., Голяка Р.Л., Готра З.Ю.,Лопатинський І.Є., Потенцкі Є., Сопільник Л.І.— Львів: ВидавництвоНаціонального університету «Львівська політехніка», 2001. — 412c.

Bolshakova I., Moskovets T., Ostrovskii I., Ostrovskaya A., Klimenko A..Modelling of InSb and InAs whiskers growth. // Computational Materials Science.— 1998. — Vol.10. — P.38-41.

Bolshakova I. Magnetic microsensors: technology, properties,applications // Sensors & Actuators A. — 1998. — Vol. 68. — P. 282-285.

Большакова І.А. Застосування магнітних мікросенсорів // Вісник ДУ«Львівська політехніка». Електроніка. — 1998. — № 357. — С. 3-7.

Большакова І.А., Московець Т.А., Копцев П.С., Макідо О.Ю. Моделюванняфізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідниковихмікрокристалів // Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2002. — №455. — С. 121-125.

Большакова І.А Отримання мікрокристалів напівпровідників A3B5 длястворення магнітних мікросенсорів // Вісник ДУ «Львівська політехніка».Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. — 1998. — № 325. — С.8-10.

Большакова І., Голяка Р. Алгоритми термостабілізаціїфункціонально-інтегрованих магнітометичних перетворювачів. // Вісник ДУ«Львівська політехніка». Радіоелектроніка та телекомунікації. — 2000. — № 387.— С.70-75.

Большакова І.А., Воронін В.О., Копцев П.С., Мельник І.І., Московець Т.А.Дослідження рівноважного складу газової фази систем InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 //Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2000. — № 401. — С. 54-56.

Большакова І.А., Брайлян Р.І., Голяка Р.Л., Єгоров А.Г., Когут І.В.,Копцев П.С., Марусенков А.В. Використання радіаційностійких перетворювачівХолла в системах орієнтації космічних апаратів // Вісник НУ «Львівськаполітехніка». Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 39-44.

Большакова І.А., Мельник І.І., Московець Т.А. Дослідження впливулегування домішковими комплексами на основі Sn, Cr, Mn та Al на електрофізичнівластивості мікрокристалів InSb // Вісник НУ «Львівська політехніка».Електроніка. — 2001. — № 430. — С. 47-54.

Большакова І.А. Сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальнихумовах // Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2002. — № 459. — С.29-49.

Большакова І.А., Заячук Д. М., Московець Т. А., Макідо О. Ю., Копцев П.С., Шуригін Ф. М. Дослідження температурної залежності параметрів легованихмікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77525К// Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 86-91.

Большакова І.А., Кость Я.Я., Луців Р.В., Макідо О.Ю., Московець Т.А.Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованихербієм//Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка.- 2005. — № 532. —С.15-20.

Большакова І.А., Московець Т. А. Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідженнямасопереносу InSb в системі InSb — J2// Вісник НУ «Львівська Політехніка».Електроніка.- 2004. — № 513. — C.48-54.

Большакова І.А., Макідо О.Ю., Московець Т.А., Шуригін Ф.М., КовальоваН.В. Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових тамонокристалічних мікросенсорів на основі InSb // Вісник НУ «ЛьвівськаПолітехніка». Електроніка.- 2006. — № 558. — С.108-112.

Большакова І.А., Голяка Р.В., Єрашок В.Е. Пристрій картографуваннямагнітного поля циклотронних магнітів на основі матриць холлівських сенсорів //Вісник НУ «Львівська Політехніка». Елементи теорії та прилади твердотільноїелектроніки.- 2005.— № 542. — С.45-52.

Большакова І.А., Голяка Р.В., Єрашок В.Є. Гальваномагнітні пристрої дляреакторів термоядерного синтезу: основні підходи// Вісник НУ «ЛьвівськаПолітехніка». Електроніка.- 2005.— № 532. — С.3-14.

Bolshakova I., Leroy C., Kumada M. Investigation of indium antimonitemicrocrystals irradiated with fast neutrons // Вісник НУ «Львівськаполітехніка». Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. — 2002. — №458. — С.241-245.

І.А. Большакова, Р.Л. Голяка, О.Ю. Макідо, А.В.Марусенков.Тонкоплівковий гальваномагнітний 3-D сенсор // Вісник НУ «ЛьвівськаПолітехніка». Електроніка.- 2006. — № 558. — С.35-42.

Bolshakova I., Brudnyi V., Boiko V., Kolin N., Kumada M., Leroy C.,Merkurisov D.. The radiation hardness of magnetic sensors and devices inextreme conditions of irradiation with high neutron fluxes // Вісник НУ«Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки.— 2004. — № 512. — С.86-92.

Bolshakova I., Brudnyi V., Kolin N., Koptsev P., Kost Ya., Kovaleva N.,Makido O., Moskovets T., Shoorigin F. The behaviour of InSb under theirradiation with reactor neutrons // Вісник НУ «Львівська політехніка».Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. — 2004. — № 510. —С.56-61.

Патент № 37505 України, МКИ 7 G 01 R 31/02. Електромагнітна системаформування керуючих моментів космічного апарата / Большакова І.А., ГладілінВ.С., Дмитрієв Б.В., Меланченко О.Г., Нікітіна Н.П., Покатаєв В.М., Попов А.А.,Салтиков Ю.Д., Ткали В.Г., Шмідт І.Р. (Україна); ДКБ «Південне» ім.М.К.Янгеля —№ 99042336; Заявлено 24.04.99; Опубл. 15.11.02, Бюл. № 11. — 6 с.

Патент № 52637 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Магнітниймультісенсор / Большакова І.А., Гумен С.С., Мороз А.П., Московець Т.А.(Україна) — № 98073795; Заявлено 14.07.98; Опубл. 15.01.03, Бюл. № 1. — 3 с.

Патент № 52636 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Магнітниймікросенсор / Большакова І.А., Гумен С.С., Московець Т.А. (Україна) — №98073794; Заявлено 14.07.98; Опубл. 15.01.03, Бюл. № 1. — 3 с.

Патент № 72824 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/10. Вимірювальнийперетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003032789; Заявлено 31.03.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 2 с.

Патент № 72825 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/10. Вимірювальнийперетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003032790; Заявлено 31.03.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.

Патент № 72826 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/10. Вимірювальнийперетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003032791; Заявлено 31.03.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.

Патент № 72831 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Вимірювальнийперетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003065531; Заявлено 13.06.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.

Патент № 72832 України, МКИ 7 G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06. Вимірювальнийперетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — №2003065533; Заявлено 13.06.03; Опубл. 15.04.05, Бюл. № 4. — 3 с.

Патент № 73816 України, МКИ 7 G 01 R 33/06. Вимірювальний перетворювачмагнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л. (Україна) — № 2003065532;Заявлено 13.06.03; Опубл. 15.09.05, Бюл. № 9. — 3 с.

Патент № 74628 України, МКИ МПК(2006) G 01 R 33/06, Н 01 L 43/00.Багатопозиційний 3-D сенсор магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л.(Україна) — № 2003098632; Заявлено 22.09.03; Опубл. 16.01.06, Бюл. № 1. — 3 с.

Патент № 76132 України, МКИ МПК(2006) G 01 R 33/06, Н 01 L 43/06.Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Большакова І.А., Голяка Р.Л.(Україна) — № 2003076517; Заявлено 11.07.03; Опубл. 17.07.06, Бюл. № 7. — 4 с.

Заявка GB2427700 на патент Великобританії, G1U U1S Int Cl G01R 35/00(2006.01) G01R 33/07 (2006.01). Magnetic field measurement with continuouscalibration. Priorities: [UA200506331 29 Jun 2006] / Bolshakova I., Holyaka R.(Ukraine) — GB0518433.8; Заявлено 09.09.05; Опубл. 03.01.07, Patents andDesigns Journal No.6137. — 10 p.

Заявка FR 2 887 991 на патент Франції, Int Cl G 01 R 33/06 (2006.01)Procede de mesure du champ magnetique quasi-statique. Priorite: [29.06.06 UA200506331]/ Bolshakova I., Holyaka R. (Ukraine) — 05 08903; Заявлено 31.08.05;Опубл. 05.01.07, Bulletin 07/01. — 10 p.

Bolshakova I., Brudnyi V., Holyaka R., Kolin N., Kumada M., Leroy C.,Matkovsky A. Experimental investigation of High-energy neutron effect on indiumantimonide semiconductor microcrystals directly during their irradiation inreactor channel // Proc. 8th International Conference on Advanced Technologyand Particle Physics (VOIC2003). — Villa Olmo, Como (Italy). — on-line:www.worldscientific.com/books/physics/5553

Брудный В.Н., Большакова И.А., Каменская И.В., Колин Н.Г. Образованиерадиационных дефектов в InSb при облучении высокоэнергетическими частицами. //Proc. of 12-th. International Conference On Radiation Physics and Chemistry OfInorganic Materials (RPC-12). — Tomsk (Russia). — 2003. — Р.235-239

Bolshakova I., Duran I., Kulikov S., Kumada M., Leroy C. Radiationresistant magnetic sensors for accelerators // Proceedings of 9th EuropeanParticle Accelerator Conference (EPAC04). — Lucerne (Switzerland). — 2004. —P.773-775. http://accelconf.web.cern.ch/AccelConf/e04/PAPERS/MOPLT103.PDF

Bolshakova I., Brudnyi V., Holyaka R., Kolin N., Leroy C., Luschikov V.,Shoorygin F. Magnetic F Sensors under Extreme Conditions // Proc. 18thInternational Conference on Solid-State Sensors (EUROSENSORS XVIII). — Rome(Italy). — 2004. —Р. 526-527.

Hristoforou E., Bolshakova I., Holyaka R.; Duran I.; Stockel J.;Viererbl L.; Vayakis G. Sensors and instrumentation for the magnetic fieldmeasurement under high neutron fluences// Proc. of IEEE Sensors 2004 Conf. —Vienna (Austria), — 2004. — Vol.3. — P. 1075-1077.

Duran J., Hron M., Stöckel J. J., Viererbl L., Všolák R., Červa V.,Bolshakova I., Holyaka R., Vayakis G. Stability of the Hall sensors performanceunder neutron irradiation // Proceedings of the 12th International Congress onPlasma Physics (ICPP 2004). — Nice (France). — 2004. —http://hal.archives-ouvertes.fr/ hal-00001781/en/

Bolshakova I., Coccorese V., Duran I., Gerasimov S., Holyaka R., MoreauP., Murari A., Saint-Laurent F., Stockel J. and JET EFDA Contributors.Present-day Experience In The Use of Galvanomagnetic Radiation Hard Transducersin Fusion Devices // Proceeding of 13th International Congress on PlasmaPhysics (ICPP’ 2006) — Kiev (Ukraine) — 2006. — P.B124 (CD).http://icpp2006.kiev.ua/CD/B/B121p.pdf.

Murari A., de la Luna E., Brzozowski J., Edlington T., Angelone M.,Bolshakova I., Ericcson G., Gorini G., Holyaka R., Kaellne J., Kiptily V.,LeGuern F., Pillon M., Rubel M., Santala M., Tardocchi M. and JET-EFDAcontributors. Progress in Diagnostic ITER-relevant Technologies at JET // Proc.of the 21st IAEA Fusion Energy Conference (IAEA2006) — Chengdu (China).- 2006.-IT/P1-23.- P.1-8 www-pub.iaea.org/MTCD/Meetings/FEC2006/it_pl-23.pdf

Donné A.J.H., Costley A.E., for the ITPA Topical Group on Diagnostics(Additional contributing authors: Bertalot L., Bolshakova I., Esposito B.,Holyaka R. at all). High Priority R&D Topics in Support of ITER DiagnosticDevelopment // Proc. of the 21st IAEA Fusion Energy Conference (IAEA2006) —Chengdu (China).— 2006.— IT/P1-24.— P.1-8 www.iter.org/IAEA2006/ITERP1-24.pdf

Большакова И.А., Брудный В.Н., Голяка Р.Л., Макидо Е.Ю., МарусенковА.В., Мороз А.П. Тонкопленочный III-V полупроводниковый 3-D сенсор магнитногополя // Материалы 9ой международной конференции «Арсенид Галлия и полупроводниковыесоединения группы III-V» (GaAs-2006). — Томск (Россия). — С.541-544

Inessa Bolshakova, Yaroslav Kost, Elena Makido, Fedor Shurygin.Mathematical simulation, synthesis, characterization and application of indiumarsenide whiskers. // Journal of Crystal Growth. — 2007. —Volume 310. — Issues7-9. — pp. 2254-2259.

Большакова І.А., Брудний В.Н.,Заячук Д.М.,Макідо О.Ю.,Маслюк В.Т.,Мегела І.Г., Московець Т.А., Шуригін Ф.М. Вплив електронного опромінення намікрокристали InSb< Sn> та InAs <Sn> //Фізика і хімія твердоготіла. — 2005. — Т.6,№ 2. — С.198-202. Physics and Chemistry of Solid State. —2005. — V.6,№ 2. — Р.198-202.

Большакова И.А., Макидо Е.Ю., Маслюк В.Т., Мегела И.Г., Московец Т.А.,Шурыгин Ф.М. Влияние электронного облучения на микрокристаллы InAs<Sn>,выращенные методом химических транспортных реакций // Известия ВУЗов. Физика. —2006. — Т.49, № 3. — C.8-10.

Большакова І.А., Ковальова Н.В., Кость Я.Я., Копцев П.С., Московець Т.А. Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідження процесів росту та властивостеймікрокристалів арсенідів галію та індію//Вісник НУ «Львівська Політехніка».Електроніка. — 2004. — № 513. — C.40-47.

Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М. Особливостітехнології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газовоїфази // Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка. — 2007. — № 592. —C.3-7.

I.Bolshakova, V.Brudnyi, N.Kolin, P. Koptsev, Ya. Kost, N. Kovaleva,O.Makido, T.Moskovets, F.Shoorigin The behaviour of InSb under the irradiationwith reactor neutrons // Вісник НУ «Львівська політехніка». Елементи теорії таприлади твердотільної електроніки. — 2004. — № 510. — С.56-61.

Bolshakova I., Brudnyi V., Duran I., Holyaka R., Kolin N., Kumada M.,Leroy C., Luschikov V., Shoorygin F., Stôckel J., Vayakis G., Viererbl L.Magnetic Field Sensors under Harsh Radiation Conditions of Neutron Irradiation// Digest of Technical Papers of 18th International Conference on Solid-StateSensors (EUROSENSORS XVIII). — Rome (Italy). — 2004. — СD. — P2.52 — P.682-685.

Большакова І.А., Московець Т. А., Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідженнямасопереносу InSb в системі InSb — J2 // Вісник НУ «Львівська Політехніка».Електроніка. — 2004. — № 513. — C.48-54.

Большакова І.А., Московець Т. А., Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Опроміненнявисокоенергетичними електронами тонко плівкових та монокристалічнихмікросенсорів на основі InSb // Вісник НУ «Львівська Політехніка». Електроніка.— 2006. — № 558. — C.108-113.

I. Bolshakova, V.Brudnyi, R.Holyaka, N. Kolin, C. Leroy, V.Luschikov,F.Shoorygin. Magnetic F Sensors under Extreme Conditions // Digest of TechnicalPapers of 18th International Conference on Solid-State Sensors (EUROSENSORSXVIII). — Rome (Italy). — 2004. —P. 526-527.

Большакова И.А., Макидо Е.Ю., Маслюк В.Т., Мегела И.Г., Московец Т.А.,Шурыгин Ф.М. Влияние электронного облучения на микрокристаллы InSb // ИзвестияВУЗов. Физика. — 2006. — Т.49, № 2. — C.42-45.

Большакова І.А., Заячук Д. М.,Московець Т. А., Макідо О. Ю., Копцев П. С., Шуригін Ф. М. Дослідженнятемпературної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію вінтервалі температур 77525К // Вісник НУ «Львівська політехніка».Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 86-91.