Логуш Олег Іларійович

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Версія від 19:33, 13 січня 2014, створена Валерій Куріленков (обговореннявнесок) (Створена сторінка: {{Особа | П.І.Б = Логуш Олег Іларійович | Зображення (фото) = 36.jpg‎ | Підпис зображення (фото...)

(різн.) ← Попередня версія • Поточна версія (різн.) • Новіша версія → (різн.)
Перейти до: навігація, пошук


Логуш Олег Іларійович
36.jpg
старший викладач
Дата народження 1968 р.
Громадянство Україна
Національність українець
Alma mater Львіський політехнічний інститут
Дата закінчення 1972 р.
Спеціальність електрофізика
Галузь наукових інтересів дослідження структурних дефектів в системахдіелектрик-напівпровідник.
Кваліфікаційний рівень електрофізик
Поточне місце роботи Національний університет «Львівськаполітехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Логуш Олег Іларійович - старшийвикладач кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».

Біографія

Народився 3 січня 1951 року.

Закінчив у 1967 році середню школу.

З 1967 до 1972 р. навчався на електрофізичному факультеті Львіськогополітехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідниковоїелектроніки.

Працює на кафедрі напівпровідникової електроніки з 1972 р. (на посадахінженер, ст.інженер, молодший та старший науковий співробітник, асистент).

З 1995 р. на посаді ст.викладач займається дослідженням структурних дефектівв системах діелектрик-напівпровідник.

З 1994 року — керівник відділу працевлаштування та зв’язків з виробництвомНаціонального університету «Львівська політехніка».

Педагогічна діяльність

Читає та веде практичні заняття з наступних дисціплін: «Метрологія»,

«Кристалофізика»,

«Твердотільна електроніка».


Основна тематика наукових досліджень накафедрі

Генерування дефектів в системах Si-SiO2

Наукові інтереси

дослідження структурних дефектів в системахдіелектрик-напівпровідник.

Видавнича діяльність

Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 7 патентів на винаходи.

=Вибраніпублікаці]

Наслідування дефектами плівоктермічного SiO2 дислокаційної структури підкладки /0. І. Логуш // Дванадцятавідкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки,7-9 квітня 2009 р. : тези доп. / Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л.: Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. - С. 42.

Стабілізація параметрів МОН-структурпри гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / О. І. Логуш, В. А.Павлиш // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. - Л. : Вид-воНац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. - С. 95-103. - (Вісник / Нац.ун-т "Львів. політехніка" ; № 646). - Бібліогр.: 17 назв.


Контакти

ІТРЕ, каф. НПЕ, 319к. 3н.к.


logoi@lp.edu.ua