Островський Ігор Петрович

Островський Ігор Петрович
д.т.н., професор
Дата народження	05.06.1965 р
Громадянство	Україна
Alma mater	Львівський державний університет імені Івана Франка.
Дата закінчення	1987 р.
Спеціальність	фізика
Галузь наукових інтересів	фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- інаноелектронних структур та сенсорів на їх основі
Кваліфікаційний рівень	фізик
Науковий ступінь	доктор технічних наук
Дата присвоєння н.с.	2011р.
Вчене звання	професор
Дата присвоєння в.з.	2012р.
Поточне місце роботи	Національний університет «Львівськаполітехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Островський Ігор Петрович – доктор технічнх наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився 05 червня 1965 року.

У 1982 р. закінчив середню школу.

У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державногоуніверситету ім. Івана Франка.

У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАНУкраїни.

Працює на кафедрi напівпровідниковоїелектроніки з 1994 р. 

Лекційні курси:

«Наноструктури»,

«Квантова та оптоелектроніка».

У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидатафізико-математичних наук.

У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ «Кристал».

Викладацьку діяльність розпочав у 1998 році: спочатку асистент, а з 2000 р. – доцент кафедри напівпровідниковоїелектроніки.

У 2003 році отримав вчене звання доцента.

У 2008-2010 рр. навчався в докторантурі Національного університету «Львівська політехніка».

У 2011 році захистив докторську дисертацію.

З 2011 р. працює на посаді професора кафедри напівпровідникової електроніки.

Член Вченої ради Інституту телекомунікацій, радіелектроніки та електронноїтехніки.

Наукова діяльність

Тема кандидатської дисертації

Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібнихкристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-тфізики напівпровідників. - К., 1996. - 159 л. - л.: 146-159

Тема докторської дисертації

Структурні особливості та фізичні властивості завпливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGexдля сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / ІгорПетрович Островський . – Львів : Б.в., 2011.

Основна тематика наукових досліджень накафедрі

1. Ниткоподібні кристали кремнію як модельніоб’єкти для створення первин­них перетворювачів фізичних величин.

2. Вирощування субмікронних ниткоподіб­них кристалів кремнію методом CVD.

3. Термоелектричні та магнетні характер­ристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.

Наукові інтереси

Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібнихкристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.

Видавнича діяльність

Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію.

Вибраніпублікаці

Використання кремнієвих нанодротів в сучаснихфотоелектричних пере­творювачах / С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівськаполітехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»,2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви.

Використання наноструктур кремнію в фотоелектричнихперетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.

Використання наноструктур кремнію в фотоелектричнихперетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.

Вплив електронного опримінення на низькотемпературнупровідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.

Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.

Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- тамагнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемнітехнології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.

Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікро-системні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізикинапівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.

Вплив протонного опромінення на фізичні властивостіниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Хо­верко, А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.

Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібнікристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, 0. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.

Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібнікристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів­провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9.

Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGeзумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізикинапівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.

Исследование и моделирование магнитной восприимчивостинитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Пав­ловский, И. П. Островский // Физика и техникаполупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.

Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріалиелектронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертоїміжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.

Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, I. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Новітехнології. — 2010. — № 2 (28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.

Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).

Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Ост­ровский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв.

Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко,П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127.

One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, ком­п’ютерної інженерії : матеріалиX Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / Нац.ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2010. -C. 327-328.— Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.

Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.

Контакти

ІТРЕ,каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ „Кристал”, тел. 258-26-27

iostrov@polynet.lviv.ua