Курило Іван Васильович
Курило Іван Васильович | |
д.ф-м.н., професор | |
Дата народження | 24.07.1942р. |
---|---|
Місце народження | м. Дрогобич. |
Громадянство | Україна |
Національність | українець |
Alma mater | Дрогобицький державний педінститут ім. Ів.Франка |
Дата закінчення | 1964 р. |
Спеціальність | фізика |
Галузь наукових інтересів | напівпровідникове матеріалознавство |
Кваліфікаційний рівень | фізик |
Науковий ступінь | доктор фізико-математичних наук |
Дата присвоєння н.с. | 1992 р. |
Вчене звання | професор |
Дата присвоєння в.з. | 1996 р. |
Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
Курило Іван Васильович - доктор фізико-математичних наук наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографія
Народився 24липня 1942 року.
З 1959 до 1964 р. студент Дрогобицького державного педінституту ім. Ів.Франка(фізико-математичний факультет) спеціальність – учитель фізики середньої школи.
Етапи трудового шляху:
учитель фізики середньої школи (1964–1969);
інженер,молодший науковий співробітник науково-дослідного сектора Львівського держуніверситету ім. Ів.Франка (1969–1971);
старший інженер, молодший науковий співробітник, старший науковий співробітник НДЛ Львівського політехнічного інституту;
старший викладач, доцент кафедри напівпровідникової електроніки Львівського політехнічного інституту (1971–1994);
професор цієї кафедри з 1994 р.
Захистив кандидатську (1979) і докторську (1992) дисертації за спеціальністю 01.04.07 –фізика твердого тіла.
Фахівець у галузі напівпровідникового матеріалознавства.
Член спеціалізованої вченої ради із захисту докторських дисертацій, відповідальний секретар Вісника Національного університету «Львівська політехніка» «Електроніка».
Наукова діяльність
Був керівником (консультантом) одного кандидата і двох докторів наук.
Основна тематика наукових досліджень на кафедрі
1. Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3.
2. Напруження в гетероструктурах на основі сполук II–VI, III–V.
3. Напівмагнітні матеріали ZnMeO (Me = Mn, Cr, Co) для сенсорної електроніки.
4. Лазерне формування плівок і наноструктур для електроніки.
5. Вплив дефектів структури на властивості напівпровідникових приладів.
6. Фізико-механічні властивості кристалів і плівок II–VI, III–V і IV–VI.
Наукові інтереси
Напівпровідникове матеріалознавство
Видавича діяльність
Автор(співавтор) понад 330 наукових праць, ут.ч. 5 монографій, 2 навчально-практичних довідників, 3 навчальних посібників,3 винаходів. Видав понад 50 навчально-методичних розробок.
Вибрані публікаці
Збірник задач з елементарної фізики [Текст] : [Навч. посіб. для студ. стаціонар. форми навчання/ І. Є. Лопатинський, А.О. Матковський, І.В. Курило та ін.] ; Нац. ун-т «Львів.політехніка». — Львів : Нац. ун-т Львів. політехніка, 2003. — 170 с. : іл. —Авт. зазначено на звороті тит. арк. — Бібліогр.: с. 170. — ISBN 966-553-299-5
Кристали і плівки сполук ІІ-VІ : морфологія, структура і фізико-механічні властивості [Текст] :монографія / [І. В. Курило, І. О. Рудий, І. Є. Лопатинський та ін.] ; за ред. :І. В. Курило ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Львів : Львівська політехніка,2011. — 339 с. : іл., табл. — Бібліогр. : с. 306-337 (374 назви). — ISBN978-617-607-179-2
Основи технології напівпровідникових матеріалів [Текст] : навч. посіб. / І. В. Курило, С. К. Губа; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2012. —237 с. : іл., табл. — Бібліогр. : с. 233-234. — ISBN 978-617-607-236-2
Як правильно :помилки мовлення в наукових виданнях із технічних наук [Текст] : навч.-практ.довід. / Іван Курило ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — 2-ге вид., випр. —Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2012. — 412 с. — Бібліогр. : с. 410-412. —ISBN 978-617-607-313-0
Як правильно :помилки мовлення засобів масового інформування [Текст] : навч.-практ. довід. /Іван Курило ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — 2-ге вид., випр. — Львів :Вид-во Львів. політехніки, 2012. — 847 с. — Бібліогр. : с. 842-847. — ISBN978-617-607-315-4
Комплексное исследование несовершенств структуры кристалов CdTe и CdTe : Cl, выращенных методом сублимации / В. Д. Попович, И. В. Курило, И. О. Рудый, Ф. Ф. Сизов, Д.Д. Шуптар // Физика твердого тела. — 2010. — Т. 52, вып. 12. — С. 2312¬2318. —Библиогр.: 33 назв.
Осаждение тонкихпленок Bi2Te3 и Sb2Te3 методом импульсной лазерной абляции / И. С. Вирт, Т. П.Шкумбатюк, И. В. Курило, И. О. Рудый, И. Е. Лопатинский, Л. Ф. Линник, В. В.Тетёркин, А. Г. Федоров // Физика и техника полупроводников. −2010. — Т. 44,вып. 4. — C. 564-569. — Библиогр.: 20 назв.
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В. А. Воронин, С. К. Губа, И. В. Курило // Технология иконструирование в электрон. аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. -Библиогр.:13 назв.
Структура та електроповідність спресованих матеріалів на основів оксиду цинку / І. В.Курило, І. Є. Лопатинський, І. О. Рудий, М. С. Фружинський, С. В. Фадеев, І. С.Вірт, І. В. Гадзаман // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. —Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — С. 126-133. — (Вісник /Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 681). — Бібліогр.: 11 назв.
A complex study ofstructural imperfections of the CdTe and CdTe : Cl crystals gromn by thesublimation method / V. D. Popovych, I. V. Kurilo, I. O. Rudyi, F. F. Sizov, D.D. Shuptar // Physics Solid State. — 2010. — Vol. 52, № 12. — P. 2472-2478. —Bibliogr.: 33 titles.
Deposiion of thinBi2Te3 and Sb2Te3 films by pulsed laser ablation / I. S. Vint, T. P.Sckumbatiuk, I. V. Kurilo, I. O. Rudyi, I. Ye. Lopatynskyi, L. F. Linnik, V. V.Tetyyorkin, A. G. Phedorov // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, № 4. — P.544-549.
Properties of ZnOand ZnMnO thin films obtained by pulsed laser ablation / I. S. Virt, I. V.Hadzaman, I. S. Biltk, I. O. Rudyi, I. V. Kurilo, M. S. Frugynsyi, P. Potera //Acta Physica Polonica A. — 2010. — Vol. 117, № 1. — P. 34-37. — Bibliogr.: 9titles.
Контакти
ІТРЕ, каф. НПЕ, 221к. 3 н.к., тел.258-21-13,
kuryloiv@jahoo.com