Вибрані публікації

Si and Si-Ge wires for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu.Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk // Physica Status Solidi ©. — 2011. — V. 8(3). — P. 867–870.

Seebeck’seffect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya.Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460.

Особливостістворення нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський,Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Фізика і хімія твердого тіла. — 2009. — Т. 10, №4. — C. 777–780.

Получениенитевидных нанокристаллов Si и SiGe / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н.Ховерко, С.И. Ничкало // Зб. наук. праць «Наносистеми, наноматеріали,нанотехнології». — 2011. — Т. 9. — С. 925–931.

Низкоразмерныекристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей / А.А. Дружинин, И.П.Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Е.И. Бережанский // Технология иконструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 11–13.

Моделюваннякінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П.Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2 (28).— С. 75.

Аналізкінетики росту нановіскерів кремнію / А.О. Дружинін, С.І. Нічкало, Ю.Р. Когут,А.М. Вуйцик // Зб. наук. праць «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології». —2011. — Т. 9. — С. 933–940.

Використаннянаноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А.О. Дружинін, В.Ю.Єрохов, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Вісник ЧеркаськогоНаціонального університету ім. Б. Хмельницького. Серія «Хімічні науки». — 2010.— Вип. 175. — С.51—54.

Вирощуваннянано- та мікродротин кремнію методом CVD та можливість їх сенсорних застосувань/ А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Наук.-техн.збірн. «Электроника и связь». — 2009. — № 2–3. — С. 56–60.

Вирощуваннянанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А.О. Дружинін, І.П.Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Вісник НУ «Львівська політехніка»«Електроніка». — 2009. — № 646. — С. 11–16.

Магнетоопірниткуватих кристалів Si-Ge з концентрацією домішки в околі концентраційногопереходу метал-діелектрик за кріогенних температур / А.О. Дружинін, І.П.Островський, Ю.Р. Когут, С.І. Нічкало // Вісник НУ «Львівська політехніка»«Електроніка». — 2008. — № 619. — С. 127–134.

Патент№ 63926 Україна, МПК H01L 21/00, C30B 29/00 Спосіб одержання масивівнанокристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М.Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201103520; заявл. 24.03.2011; опубл. 25.10.2011, Бюл. № 20, 2011 р.

Патент№ 66137 Україна, МПК H01L 31/05 Спосіб одержання поверхневої функціональноїнанотекстури / А.О. Дружинін, В.Ю. Єрохов, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М.Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівськаполітехніка». — № u201106810; заявл. 30.05.2011, опубл. 26.12.2011, Бюл. № 24,2011р.

Growthof Si wires array by CVD method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovski, Yu.M.Khoverko, S.I. Nichkalo // E-MRS 2009 Spring Meeting, Strasbourg (France), June8–12, 2009: Book of Abstracts. Symposium: I Advanced Silicon materials researchfor electronic and photovoltaic applications. — 2009. — P. 155.

MicroelectromechanicalSystem Design Based on Si Nanowires / A. Klimovskaya, I. Ostrovskii, Yu.Khoverko, S. Nichkalo // Proc. of the Xth Int. Conf. «The Experience ofDesigning and Application of CAD Systems in Microelectronics», February 28–29,2009, Svalyava, Ukraine. — 2009. — P. 504–505.

Peculiaritiesof Si nanowires growth / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, S.I.Nichkalo // Materials of International Meeting «Clusters and nanostructuredmaterials (CNM-2)», September 27–30, 2009, Uzhgorod, Ukraine. — 2009. — P. 58.

One-dimensionalsilicon-based crystals for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu.Kogut, S. Nichkalo // Proceedings of the International Conference TCSET ’2010,February 23–27, 2010, Lviv-Slavske, Ukraine. — 2010. — P. 327-328.

Використаннякремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С.І. Нічкало,В.Ю. Єрохов, І.П. Островський // XIII наук.-техн. конф. Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки НУ «Львівськаполітехніка» з проблем електроніки, 13–15.04.2010, Львів: Тези доповідей. —2010. — С. 49.

Strain-inducedmagnetoresistance of Si1-xGex whiskers / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, N.S.Liakh-Kaguy, Iu.R. Kogut, S.I. Nichkalo // 8-th Int. Conf. on ElectronicProcesses in Organic and Inorganic Materials, May 17–22, 2010, Ivano-Frankivsk,Ukraine: Book of Abstracts. — 2010. — P. 67–68.

Growthof Si-based nanowires for alternative energy sources / A.A. Druzhinin, Yu.M.Khoverko, S.I. Nichkalo, Iu.R. Kogut // E-MRS 2010 Fall Meeting, Warsaw(Poland), September 13–17, 2010: Scientific Programme and Book of Abstracts.Symp.E: Nanoscaled Si, Ge based materials. — 2010. — P.40.

Hysteresisof magnetic susceptibility of Si nanowires / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii,S.I. Nichkalo, R.M. Koretskii // Materials of the Mediterranean-East-EuropeMeeting «Multifunctional nanomaterials (NanoEuroMed 2011)», 12–14.05.2011,Uzhgorod, Ukraine. — 2010. — P. 47.

Investigationof Ga-In contacts to Si and Ge wires for sensor application / A.O. Druzhinin,Yu.M. Khoverko, I.P. Ostrovskii, S.I. Nichkalo, A.A. Nikolaeva, L.A. Konopko,I. Stich // Materials of XIII Int. conf. Physics and technology of thin filmsand nanosystems, May 16–21, Ivano-Frankivsk. — 2011. — V. 1. — P. 234.

Thewireless hardware-software system of strain measurement / R.M. Koretskii, S.I.Nichkalo, Ye.I. Berezhanskii, Iu.R. Kogut // Proceedings of the XIthInternational young scientists’ conference on applied physics, June 15–18,Kyiv. — 2011. — P. 205–206.

Si,Ge and SiGe wires for sensor application / A.A. Druzhinin, Yu.M. Khoverko, I.P.Ostrovskii, S.I. Nichkalo, A.A. Nikolaeva, L.A. Konopko, I. Stich //Proceedings of the 7th Int. conf. on «Microelectronics and computer science»,September 22–24, Chisinau, Moldova. — 2011. — P. 59–62.

Системамоніторингу температури та магнітного поля на основі нитчастих кристалів SiGe /А.О. Дружинін, Ю.М. Ховерко, І.П. Островський, А.М. Вуйцик, Р.М. Корецький,С.І. Нічкало // Матеріали І-ї Всеукр. наук.-практ. конф. «Фізико-технологічніпроблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- тамікроелектроніки» 13–15 жовтня, Чернівці, Україна. — 2011. — С. 201–203.

Використаннякремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворю¬вачах / С. І.Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський // Тринадцята відкританауково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки таелектронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» зпроблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту«Львів. політехніка», 2010. — С. 49. — Бібліогр.: 2 назви.

Використаннянаноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю.Єрохов, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту.Сер. Хімічні науки. — 2010. — Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.

Використаннянаноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дру-жинін, В. Єрохов,І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало // Органические и неор¬ганическиематериалы для молекулярной электроники и нанофотоники : тез. докл. Меж¬дунар.конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас. нац. ун-т им. Б. Хмельницкого.-Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1 назва.

Моделюваннякінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки тасучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ.конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С.137-138. — Бібліогр.: 2 назви.

Моделюваннякінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2(28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.

Получениенитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А. Дружинин, И. П. Ост¬ровский, Ю. Н.Ховерко, С. И. Ничкало // Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия —Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина /Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438. — Библиогр.: 2назв.

One-dimensionalsilicon-based crystals for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu.Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій,комп’ю¬терної інженерії : матеріали X Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют.2010, Львів, Славське, Україна / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-воЛьвів. політехніки, 2010. -C. 327-328. — Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит.арк. англ.

Strain-inducedmagnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N.S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo // Electronic processes in organicmaterials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogora residence, Ivano-Frankivskreg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A. Vertsimakha. — К. : Наук. світ,2010. — P. 67-68.

Вирощуваннянано- та мікродротин кремнію методом CVD та можливості їх сенсорних застосувань/ А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Электроникаи связь : науч.-техн. сб. / Нац. техн. ун-т Украины «Киев. политехн. ин-т»,Гос. ун-т информ.- коммуникац. технологий. — Киев, 2009. — № 2/3, темат. вып. :Электроника и нанотехнологии, Ч. 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 5 назв.

Вирощуваннянанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І.П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Електроніка : [зб. наук. пр.] /відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С.11-16. -(Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 14назв.

Вирощуваннянанорозмірних кристалів Si методом газофазової ерітаксії /A. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Дванадцята відкританауково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки,7-9 квітня 2009 р. : тези доп. / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-воНац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С. 29.

Особливостістворення нанорозмірних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П. Островський,Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Фізика і технологія тонких плівок тана¬носистем : матеріали XII Міжнар. конф., 18-23 трав. 2009 р.,Івано-Франківськ, Україна / При¬карпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фіз.-хім.ін-т, НАН України. — Івано-Франківськ, 2009. -Т. 1. — С. 46-47. — Бібліогр.: 3назви.

Microelectromechanicalsystem design based on Si nanowires / A. Klimovskaya, I. Ostrovskii, Yu.Khoverko, S. Nichkalo // Досвід розробки та застосування приладо-технологічнихСАПР в мікроелектроніці : матеріали X Міжнар. наук.-техн. конф. (CADSM), 24-28лют. 2009 р., Львів, Поляна, Україна / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. :Вежа і Ко, 2009. — С. 504-505.

Microelectromechanicalsystem design based on Si nanowires / A. Klimovskaya, I. Ostrovskii, Yu.Khoverko, S. Nichkalo // Досвід розробки та застосування приладо-технологічнихСАПР в мікроелектроніці : матеріали X Міжнар. наук.-техн. конф. (CADSM), 24-28лют. 2009 р., Львів, Поляна, Україна / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. :Вежа і Ко, 2009. — С. 504-505. — Bibliogr.: 4 titles.

Peculiaritiesof Si nanowires growth / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, S.I. Nichkalo // Clusters and nanostructured materials : book of abstr. the 2ndIntern. meet., Uzhgorod, Ukraine, 27-30 Sept. 2009 / Nat. Acad. of Sciences ofUkraine, G. V. Kurdyumov Inst. of Metal Physics, V. E. Lashkaryov Inst. ofsemiconductor Physics. — Uzhgorod, 2009. — P. 58.