Логуш Олег Іларійович
Логуш Олег Іларійович | |
старший викладач | |
Дата народження | 1968 р. |
---|---|
Громадянство | Україна |
Національність | українець |
Alma mater | Львіський політехнічний інститут |
Дата закінчення | 1972 р. |
Спеціальність | електрофізика |
Галузь наукових інтересів | дослідження структурних дефектів в системах діелектрик-напівпровідник. |
Кваліфікаційний рівень | електрофізик |
Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
Почесні звання | Відмінник освіти України |
Логуш Олег Іларійович - старший викладач кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографія
Народився 3 січня 1951 року.
Закінчив у 1967 році середню школу.
З 1967 до 1972 р. навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.
Працює на кафедрі напівпровідникової електроніки з 1972 р. (на посадахінженер, ст.інженер, молодший та старший науковий співробітник, асистент).
З 1995 р. на посаді ст.викладач займається дослідженням структурних дефектівв системах діелектрик-напівпровідник.
З 1994 року — керівник відділу працевлаштування та зв’язків з виробництвом Національного університету «Львівська політехніка».
Педагогічна діяльність
Читає та веде практичні заняття з наступних дисціплін:
«Метрологія»,
«Кристалофізика»,
«Твердотільна електроніка».
Нагороди та відзнаки
Нагороджений
Нагрудним знаком Міністерства освіти і науки України «Відмінник освіти України»,
Почесним Знаком Державного центру зайнятості «За співпрацю»,
Подякою міністра освіти і науки України та Президента академіїпедагогічних наук України.
Основна тематика наукових досліджень накафедрі
Генерування дефектів в системах Si-SiO2
Наукові інтереси
дослідження структурних дефектів в системахдіелектрик-напівпровідник.
Видавнича діяльність
Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 7 патентів на винаходи.
=Вибраніпублікаці]
Наслідування дефектами плівоктермічного SiO2 дислокаційної структури підкладки /0. І. Логуш // Дванадцятавідкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки,7-9 квітня 2009 р. : тези доп. / Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л.: Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. - С. 42.
Стабілізація параметрів МОН-структурпри гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / О. І. Логуш, В. А.Павлиш // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. - Л. : Вид-воНац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. - С. 95-103. - (Вісник / Нац.ун-т "Львів. політехніка" ; № 646). - Бібліогр.: 17 назв.
Контакти
ІТРЕ, каф. НПЕ, 319к. 3н.к.
logoi@lp.edu.ua