Губа Сергій Костянтинович

Губа Сергій Костянтинович
к.т.н., доцент
Дата народження	05.12.1959 р .
Громадянство	Україна
Національність	українець
Alma mater	Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення	1982 р.
Спеціальність	електрофізика
Галузь наукових інтересів	дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВVметодом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електроннихпристроїв на їх основі
Кваліфікаційний рівень	інженер-електрофізик
Науковий ступінь	кандидат технічних наук
Дата присвоєння н.с.	1995 р.
Вчене звання	доцент
Дата присвоєння в.з.	2003 р.
Поточне місце роботи	Національний університет «Львівськаполітехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Губа Сергій Костянтинович – кандидат технічнхнаук, доцент кафедри напівпровідникової електронікиНаціонального університету«Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився 5 грудня 1959 року.

Закінчив середню школу у 1977 році.

З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичномуфакультеті Львіского політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрінапівпровідникової електроніки.

Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (напосадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).

Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.

Вчене звання доцента з 2003 року

Працює на кафедрі НПЕ з 1995 р. (на посадахасистент, доцент).

З 1996 р. до 1999 навчався в докторантуріДержавного університету «Львівська політехніка».

=Викладацька діяльність

Читає та веде практичні заняття з наступнихдисціплін:

«Функціональна електроніка»,

«Технологічні основи електроніки»,

«Мікросенсори фізичних величин»,

«Гетероепітаксійні структури»,

«Електроніка біохімічних процесів»,

«Фізичні методи діагностики в медицині»,

«Сенсори та фотоелектричні перетворювачі

Основна тематика наукових досліджень накафедрі

1. Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBVметодом газофазної епітаксії

2. Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBVметодом газофазної епітаксії

3. Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів таінжекційних лазерів.

Наукові інтереси

дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВVметодом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електроннихпристроїв на їх основі.

Видавнича діяльність

Автор понад 100 наукових та методичних робіт, вт.ч. 6 патентів на винаходи.

Основні публікації

Основи технології напівпровідникових матеріалів [Текст] :навч. посіб. / І. В. Курило, С. К. Губа ; Нац. ун-т «Львів. Політехніка». - Л.: Вид-во Львів. політехніки, 2012. - 239 с. : рис., табл. - Бібліогр.: с.233-234. - 300 экз. - ISBN 978-617-607-236-2

Моделюваннянизькотемпературного осадження з газової фази гетеро- та наноструктурсполук III-V / С.К. Губа, Р.Й. Петрович // Матеріали електронної техніки та сучасніінформаційні технології : тези доп. Третьої міжнар. наук.-практ. конф.,Кременчук, 21–23трав. 2008 р. — Кременчук, 2008. — С. 207–208. — Бібліогр.: 5 назв.

Розрахунокі проектування функціональних пристроїв : метод. вказівки до викон. курс.роботи з курсу «Функціон. мікроелектроніка» для студ. спец. 8.090801 «Мікроелектрон.та напівпровідник. Прилади» / Нац. ун-т «Львів.політехніка» ; [уклад.: С.К.Губа, І.В. Курило]. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2008. — 24 с. —Бібліогр.: с. 23 (19 назв).

Характертемпературних змін фізичних характеристик поверхневого шару сполук III-V/С.К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило // Актуальні проблеми фізикинапівпровідників : тезидоп. VI Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 23–26 верес. 2008 р. — Дрогобич,2008. — С. 40. — Бібліогр.: 3 назви.

Химическоеосаждение из паровой фазы гетеро- и наноструктур соединений III-V / В.А.Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.— 2008. — № 5. — С. 36–40. — Библиогр.: 13 назв.

Хімічнеосадження газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V / В.О. Воронін, С.К.Губа, І.В. Курило // Современные информационные и электронные технологии : тр. Девятоймеждунар. науч.-практ. конф., 19–23 мая 2008 г., Одесса, Украина. — Одесса, 2008.— Т. 2. — С. 108.

Modellingof growth of the A III B V hetero nanostructures by isothermal CVD-methods / S.K.Guba, R.Yo. Petrovich // XIV International seminar on physics and chemistry ofsolids : progr.collected abstr., Lviv, 1–4 June 2008 / I. Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci.Research Company «Carat».— Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 45. — Bibliogr.: 9 titles.

Кинетика роста вискеров GaAs вхлоридной системе GaAs-HCl-H2 / С. К. Губа, Я. Я. Кость // Современныеинформационные и электронные технологии : тр. ХІ Междунар. науч.-практ. конф.,24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. - Одесса, 2010. -Т. 2. - С. 95. - Библиогр.:4 назв.

Кінетика формування адсорбційногошару на грані (100) GaAs під час зародкоутворення квантових точок InAs впроцесі хлоридної епітаксії / С. К. Губа, І. В. Курило, Р. Й. Петрович //Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп.четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна.- Кременчук, 2010. - С. 150-151. - Бібліогр.: 3 назви.

Переход неупорядоченного состояния вкристаллическое при формировании структуры пленок соединений II-VI и III-V / И.В. Курило, С. К. Губа, И. А. Рудый, И. С. Вирт // Наноструктурныематериалы-2010: Беларусь - Россия - Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф.,19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. -Киев, 2010. - С. 792. - Библиогр.: 3 назв.

Получение арсенид-галлиевых структурсиловых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В. А.Воронин, С. К. Губа, И. В. Курило // Технология и конструирование в электрон.аппаратуре. - 2010. - № 2. - С. 31-35. -Библиогр.: 13 назв.

Контакти

ІТРЕ, каф.НПЕ, 315к. 3 н.к., тел. 258-26-27,

gubask@polynet.lviv.ua