Большакова Інеса Антонівна

Большакова Інеса Антонівна
д.ф-м.н., професор
Дата народження	1938 р.
Громадянство	Україна
Alma mater	Львівський державний університет імені Івана Франка.
Дата закінчення	1959 р.
Спеціальність	фізика
Галузь наукових інтересів	радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для сенсорної електроніки тавимірювальні сенсорні системи.
Кваліфікаційний рівень	фізик
Науковий ступінь	доктор технічних наук
Дата присвоєння н.с.	2008р.
Вчене звання	професор
Дата присвоєння в.з.	2010р.
Поточне місце роботи	Національний університет «Львівськаполітехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Большакова Інеса Антонівна– доктор технічнх наук, науковий керівних науково-дослідноїлабораторії магнітних сенсорів центру «Кристал», професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».

Біографія

Народилась у 1938 році.

Вищу освіту дістала на фізичномуфакультеті Львівського державного університету ім. І.Франка.

В аспірантурі навчалася на кафедрінапівпровідникової електроніки Львівського політехнічного інституту.

Трудову діяльність розпочалаасистентом кафедри фізики Національного університету «Львівська політехніка»,далі старшим науковим співробітником, ведучим науковим співробітником тазавідувачем створеної нею лабораторії магнітних сенсорів.

Керує держбюджетною тагоспдоговірною тематикою та темами Міністерства освіти і науки України та зміжнародного науково-технічного співробітництва.

Член Наукової Ради НАНУз проблем «Фізика плазми та плазмова електроніка».

Є членом Європейського та Американського фізичнихтовариств.

Керуєнауковою роботою аспірантів.

Нагороди та відзнаки

Нагруднийзнак «За наукові досягнення» ( 1989 р.)

Наукова діяльність

Тема докторської дисертації

Большакова Інеса Антонівна. Радіаційностійкі сенсоримагнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткоговипромінювання : дис... д-ра техн. наук: 05.27.01 / Національний ун-т «Львівськаполітехніка». — Л., 2007. — 361арк. — Бібліогр.: арк. 336-353.

Основна тематика наукових досліджень накафедрі

1.Розробка технології вирощування ниткоподібних кристалів AIIIBVта їх твердих розчинів 2. Моделювання фізичних процесів в технології вирощування напівпровідниковихниткоподібних кристалів з газової фази 3. Розробка сенсорів фізичних величин на основінапівпровідникових ниткоподібних 4. Дослідження властивостейнапівпровідникових матеріалів під дією радіаційного опромінення.

Наукові інтереси

Радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для сенсорноїелектроніки та вимірювальні сенсорні системи

====Видавнича діяльність ====

Авторпонад 150 наукових публікацій та 10 патентівУкраїни.

Контакти

ІТРЕ, каф.НПЕ, НДЦ «Кристал», 20к. XVIII н.к., тел.:261-34-82

inessa@mail.lviv.ua