Губа Сергій Костянтинович

Губа Сергій Костянтинович
к.т.н., доцент
Дата народження	05.12.1959 р .
Громадянство	Україна
Національність	українець
Alma mater	Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення	1982 р.
Спеціальність	електрофізика
Галузь наукових інтересів	дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі
Кваліфікаційний рівень	інженер-електрофізик
Науковий ступінь	кандидат технічних наук
Дата присвоєння н.с.	1995 р.
Вчене звання	доцент
Дата присвоєння в.з.	2003 р.
Поточне місце роботи	Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань

Губа Сергій Костянтинович — кандидат технічних наук, доцент Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився 5 грудня 1959 року.

Закінчив середню школу у 1977 році.

З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.

Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).

Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.

Вчене звання доцента з 2003 року

Працював на кафедрі НПЕ з 1995 р. по 2022 р. на на посадах асистента, доцента.

З 2022 року працює на кафедрі ТРР.

З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі Державного університету «Львівська політехніка».

Викладацька діяльність

Веде практичні та лабораторні заняття з наступних дисциплін:

• Аналогова схемотехніка
• Основи електротехніки
• Моделювання радіоелектронних засобів
• Системи інформаційної безпеки

Основна тематика наукових досліджень на кафедрі

• Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
• Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
• Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів та інжекційних лазерів.

Наукові інтереси

Дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі.

Видавнича діяльність

Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 6 патентів на винаходи.

Нагороди

• Диплом НУЛП 2009 р.
• Диплом НУЛП 2012 р.

Основні публікації

1. Воронин В.А., Губа С.К., Сиверс В.Н., Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3 (63), - 2006, c. 50 – 55
2. І.В. Курило, С.К. Губа Основи технології напівпровідникових матеріалів. Навчальний посібник //Львів: Видавництво Національного Університету “Львівська політехніка”, 2012. – 240 с.
3. V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53
4. Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40
5. L.V. Kurilo, S.K. Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
6. Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
7. I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
8. I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
9. R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices// Semiconductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
10. S.K. Guba and V.N. Yuzevich. Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
11. Guba S.K., Yuzevich V.N. The temperature changes of the energy characteristics of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(4), 0-4065-1–0-4065-504065
12. Guba S.K., Formation InAs quantum dots in a matrix GaAs in kinetic mode for CVD-method // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03026
13. Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K. The effect of the electric 1eld on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation // Condensed Matter Physics, 2019, 22(1), 13801
14. Seneta, M.Y., Peleshchak, R.M., Nesterivskyi, A.I., Lazurchak, N.I., Guba, S.K. The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave // Condensed Matter Physics, 2021, 24(1), pp. 13401:1–13401:8
15. Smirnov O.B., Savkina R.K., Udovytska R.S., Guba S.K., Yuryev S.O., Malyi Y.V. Nanostructured ternary compound Hg(Cd)Te-based composite formed by ion bombardment Ag+ for hybrid photonics // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, 33(35), pp. 26178–26189

Контакти

ІТРЕ, каф. ТРР, 106. ХІ н.к.,

тел. +38(032)258-21-56

e-mail: gubask@polynet.lviv.ua