Островський Ігор Петрович
Островський Ігор Петрович | |
д.т.н., професор | |
Дата народження | 05.06.1965 р |
---|---|
Громадянство | Україна |
Alma mater | Львівський державний університет імені Івана Франка. |
Дата закінчення | 1987 р. |
Спеціальність | фізика |
Галузь наукових інтересів | фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі |
Кваліфікаційний рівень | фізик |
Науковий ступінь | доктор технічних наук |
Дата присвоєння н.с. | 2012р. |
Вчене звання | професор |
Дата присвоєння в.з. | 2013р. |
Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
Островський Ігор Петрович – доктор технічнх наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографічна довідка
- Народився 5 червня 1965 року.
- У 1982 р. закінчив середню школу.
- У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. Івана Франка.
- У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- Працює на кафедрi напівпровідникової електроніки з 1994 р.
- У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.
- У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ «Кристал».
- Викладацьку діяльність розпочав у 1998 році: спочатку асистент, а з 2000 р. – доцент кафедри напівпровідникової електроніки.
- У 2003 році отримав вчене звання доцента.
- У 2008-2010 рр. навчався в докторантурі Національного університету «Львівська політехніка».
- У 2011 році захистив докторську дисертацію.
- З 2011 р. працює на посаді професора кафедри напівпровідникової електроніки.
- Член Вченої ради Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки.
Лекційні курси:
«Наноструктури»,
«Квантова та оптоелектроніка».
Наукова діяльність
Тема кандидатської дисертації
Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-тфізики напівпровідників. - К., 1996. - 159 л. - л.: 146-159
Тема докторської дисертації
Структурні особливості та фізичні властивості завпливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський . – Львів : Б.в., 2011.
Основна тематика наукових досліджень на кафедрі
- Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первинних перетворювачів фізичних величин.
- Вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію методом CVD.
- Термоелектричні та магнетні характерристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.
Наукові інтереси
Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.
Видавнича діяльність
Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію.
Вибрані публікаці
- Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»,2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви.
- Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
- Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
- Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
- Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
- Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
- Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.
- Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
- Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, 0. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
- Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9.
- Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.
- Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.
- Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
- Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, I. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Новітехнології. — 2010. — № 2 (28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
- Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
- Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв.
- Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко,П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127.
- One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріалиX Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / Нац.ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2010. -C. 327-328.— Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
- Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.
Контакти
ІТРЕ,каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ „Кристал”,
тел. 258-26-27
iostrov@polynet.lviv.ua