Большакова Інеса Антонівна
| Большакова Інеса Антонівна | |
 д.т.н., професор | |
| Дата народження | 1938 р. |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Alma mater | Львівський державний університет імені Івана Франка. |
| Дата закінчення | 1959 р. |
| Спеціальність | фізика |
| Галузь наукових інтересів | радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для сенсорної електроніки тавимірювальні сенсорні системи. |
| Кваліфікаційний рівень | фізик |
| Науковий ступінь | доктор технічних наук |
| Дата присвоєння н.с. | 2008р. |
| Вчене звання | професор |
| Дата присвоєння в.з. | 2010р. |
| Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
Большакова Інеса Антонівна– доктор технічнх наук, науковий керівних науково-дослідної лабораторії магнітних сенсорів центру «Кристал», професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографія
Народилась у 1938 році.
Вищу освіту дістала на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. І.Франка.
В аспірантурі навчалася на кафедрі напівпровідникової електроніки Львівського політехнічного інституту.
Трудову діяльність розпочала асистентом кафедри фізики Львівського політехнічного інституту,далі старшим науковим співробітником, ведучим науковим співробітником тазавідувачем створеної нею лабораторії магнітних сенсорів.
Керує держбюджетною та госпдоговірною тематикою та темами Міністерства освіти і науки України та з міжнародного науково-технічного співробітництва.
Член Наукової Ради НАНУ з проблем «Фізика плазми та плазмова електроніка».
Є членом Європейського та Американського фізичних товариств.
Керує науковою роботою аспірантів.
Нагороди та відзнаки
Нагрудний знак «За наукові досягнення» ( 1989 р.)
Наукова діяльність
Тема докторської дисертації
Большакова Інеса Антонівна. Радіаційностійкі сенсорим агнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткого випромінювання : дис... д-ра техн. наук: 05.27.01 / Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л., 2007. — 361арк. — Бібліогр.: арк. 336-353.
Апробація результатів дисертації
Основна тематика наукових досліджень на кафедрі
1. Розробка технології вирощування ниткоподібних кристалів AIIIBV та їх твердих розчинів
2. Моделювання фізичних процесів в технології вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів з газової фази
3. Розробка сенсорів фізичних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів
4. Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів під дією радіаційного опромінення.
Наукові інтереси
Радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для сенсорної електроніки та вимірювальні сенсорні системи
Видавнича діяльність
Автор понад 150 наукових публікацій та 10 патентівУ країни.
Вибрані публікаці
Контакти
ІТРЕ, каф.НПЕ, НДЦ «Кристал», 20к. XVIII н.к., тел.:261-34-82
inessa@mail.lviv.ua
