Відмінності між версіями «Логуш Олег Іларійович»
| Рядок 38: | Рядок 38: | ||
| Відомий у зв’язку з = | | Відомий у зв’язку з = | ||
| Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра напівпровідникової електроніки]] | | Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра напівпровідникової електроніки]] | ||
| − | | Почесні звання = | + | | Почесні звання = [http://uk.wikipedia.org/wiki/%D0%9D%D0%B0%D0%B3%D1%80%D1%83%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%B7%D0%BD%D0%B0%D0%BA_%C2%AB%D0%92%D1%96%D0%B4%D0%BC%D1%96%D0%BD%D0%BD%D0%B8%D0%BA_%D0%BE%D1%81%D0%B2%D1%96%D1%82%D0%B8_%D0%A3%D0%BA%D1%80%D0%B0%D1%97%D0%BD%D0%B8%C2%BB «Відмінник освіти України»] |
| Державні нагороди = | | Державні нагороди = | ||
| Підпис = | | Підпис = | ||
| Рядок 92: | Рядок 92: | ||
Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 7 патентів на винаходи. | Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 7 патентів на винаходи. | ||
=====Вибраніпублікаці]==== | =====Вибраніпублікаці]==== | ||
| − | Наслідування дефектами плівоктермічного SiO2 дислокаційної структури підкладки /0. І. Логуш // Дванадцятавідкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки,7-9 квітня 2009 р. : тези доп. / Нац. ун-т | + | |
| − | + | Наслідування дефектами плівоктермічного SiO2 дислокаційної структури підкладки /0. І. Логуш // Дванадцятавідкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки,7-9 квітня 2009 р. : тези доп. / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л.: Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С. 42. | |
| − | Стабілізація параметрів МОН-структурпри гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / О. І. Логуш, В. А.Павлиш // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. | + | |
| + | Стабілізація параметрів МОН-структурпри гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / О. І. Логуш, В. А.Павлиш // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-воНац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С. 95-103. — (Вісник / Нац.ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 17 назв. | ||
Версія за 19:49, 13 січня 2014
| Логуш Олег Іларійович | |
 старший викладач | |
| Дата народження | 1968 р. |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Національність | українець |
| Alma mater | Львіський політехнічний інститут |
| Дата закінчення | 1972 р. |
| Спеціальність | електрофізика |
| Галузь наукових інтересів | дослідження структурних дефектів в системах діелектрик-напівпровідник. |
| Кваліфікаційний рівень | електрофізик |
| Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
| Почесні звання | «Відмінник освіти України» |
Логуш Олег Іларійович - старший викладач кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографія
Народився 3 січня 1951 року.
Закінчив у 1967 році середню школу.
З 1967 до 1972 р. навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.
Працює на кафедрі напівпровідникової електроніки з 1972 р. (на посадахінженер, ст.інженер, молодший та старший науковий співробітник, асистент).
З 1995 р. на посаді ст.викладач займається дослідженням структурних дефектівв системах діелектрик-напівпровідник.
З 1994 року — керівник відділу працевлаштування та зв’язків з виробництвом Національного університету «Львівська політехніка».
Педагогічна діяльність
Читає та веде практичні заняття з наступних дисціплін:
«Метрологія»,
«Кристалофізика»,
«Твердотільна електроніка».
Нагороди та відзнаки
Нагороджений
Нагрудним знаком Міністерства освіти і науки України «Відмінник освіти України»,
Почесним Знаком Державного центру зайнятості «За співпрацю»,
Подякою міністра освіти і науки України та Президента академіїпедагогічних наук України.
Основна тематика наукових досліджень накафедрі
Генерування дефектів в системах Si-SiO2
Наукові інтереси
дослідження структурних дефектів в системахдіелектрик-напівпровідник.
Видавнича діяльність
Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 7 патентів на винаходи.
=Вибраніпублікаці]
Наслідування дефектами плівоктермічного SiO2 дислокаційної структури підкладки /0. І. Логуш // Дванадцятавідкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки,7-9 квітня 2009 р. : тези доп. / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л.: Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С. 42.
Стабілізація параметрів МОН-структурпри гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / О. І. Логуш, В. А.Павлиш // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-воНац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С. 95-103. — (Вісник / Нац.ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 17 назв.
Контакти
ІТРЕ, каф. НПЕ, 319к. 3н.к.
logoi@lp.edu.ua
