Відмінності між версіями «Островський Ігор Петрович»
(Створена сторінка: {{Особа | П.І.Б = Островський Ігор Петрович | Зображення (фото) = 30.jpg | Підпис зображення ...) |
|||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
| − | |||
| − | |||
{{Особа | {{Особа | ||
| П.І.Б = Островський Ігор Петрович | | П.І.Б = Островський Ігор Петрович | ||
| Рядок 29: | Рядок 27: | ||
| Військове звання = | | Військове звання = | ||
| Галузь наукових інтересів= | | Галузь наукових інтересів= | ||
| − | фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- | + | фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі |
| Кваліфікаційний рівень = фізик | | Кваліфікаційний рівень = фізик | ||
| Науковий ступінь = доктор технічних наук | | Науковий ступінь = доктор технічних наук | ||
| Науковий керівник = | | Науковий керівник = | ||
| − | | Дата присвоєння н_с = | + | | Дата присвоєння н_с = 2012р. |
| Вчене звання = професор | | Вчене звання = професор | ||
| − | | Дата присвоєння в_з = | + | | Дата присвоєння в_з = 2013р. |
| Відомі учні | | Відомі учні | ||
| Відомі команди = | | Відомі команди = | ||
| Відомий у зв’язку з = | | Відомий у зв’язку з = | ||
| − | | Поточне місце роботи = [[Національний університет | + | | Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра напівпровідникової електроніки]] |
| Почесні звання = | | Почесні звання = | ||
| Державні нагороди = | | Державні нагороди = | ||
| Рядок 46: | Рядок 44: | ||
| Власний сайт = | | Власний сайт = | ||
}} | }} | ||
| − | Островський Ігор Петрович – доктор технічнх наук, професор [[Кафедра | + | '''Островський Ігор Петрович''' – доктор технічнх наук, професор [[Кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]]. |
=== Біографічна довідка === | === Біографічна довідка === | ||
| + | |||
Народився 05 червня 1965 року. | Народився 05 червня 1965 року. | ||
У 1982 р. закінчив середню школу. | У 1982 р. закінчив середню школу. | ||
| − | У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського | + | У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. Івана Франка. |
| − | У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників | + | У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАН України. |
| − | + | Працює на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрi напівпровідникової електроніки]] з 1994 р. | |
====Лекційні курси:==== | ====Лекційні курси:==== | ||
| + | |||
«Наноструктури», | «Наноструктури», | ||
| − | + | «Квантова та оптоелектроніка». | |
| − | У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня | + | У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук. |
У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ «Кристал». | У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ «Кристал». | ||
| − | Викладацьку діяльність розпочав у 1998 році: спочатку асистент, а з 2000 р. – доцент кафедри | + | Викладацьку діяльність розпочав у 1998 році: спочатку асистент, а з 2000 р. – доцент [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]]. |
У 2003 році отримав вчене звання доцента. | У 2003 році отримав вчене звання доцента. | ||
| − | У 2008-2010 рр. навчався в докторантурі Національного університету | + | У 2008-2010 рр. навчався в докторантурі [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]]. |
У 2011 році захистив докторську дисертацію. | У 2011 році захистив докторську дисертацію. | ||
| − | З 2011 р. працює на посаді професора кафедри напівпровідникової електроніки. | + | З 2011 р. працює на посаді професора [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]]. |
| − | Член Вченої ради Інституту телекомунікацій, | + | Член Вченої ради [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]]. |
=== Наукова діяльність === | === Наукова діяльність === | ||
| + | |||
====Тема кандидатської дисертації==== | ====Тема кандидатської дисертації==== | ||
| − | Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних | + | |
| + | Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-тфізики напівпровідників. - К., 1996. - 159 л. - л.: 146-159 | ||
====Тема докторської дисертації==== | ====Тема докторської дисертації==== | ||
| − | Структурні особливості та фізичні властивості завпливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1- | + | |
| + | Структурні особливості та фізичні властивості завпливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський . – Львів : Б.в., 2011. | ||
| − | ====Основна тематика наукових досліджень | + | ====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі==== |
| − | 1. Ниткоподібні кристали кремнію як | + | 1. Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первинних перетворювачів фізичних величин. |
2. Вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію методом CVD. | 2. Вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію методом CVD. | ||
3. Термоелектричні та магнетні характерристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин. | 3. Термоелектричні та магнетні характерристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин. | ||
| + | |||
==== Наукові інтереси ==== | ==== Наукові інтереси ==== | ||
| − | Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових | + | |
| + | Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі. | ||
==== Видавнича діяльність ==== | ==== Видавнича діяльність ==== | ||
| + | |||
Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію. | Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію. | ||
===== Вибраніпублікаці===== | ===== Вибраніпублікаці===== | ||
| − | Використання кремнієвих нанодротів в | + | |
| + | Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»,2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви. | ||
| − | Використання наноструктур кремнію в | + | Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви. |
| − | Використання наноструктур кремнію в | + | Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва. |
| − | Вплив електронного опримінення на | + | Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв. |
| Рядок 117: | Рядок 124: | ||
| − | Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- | + | Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300. |
| − | Вплив протонного опромінення на властивості | + | Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181. |
| − | Вплив протонного опромінення на фізичні | + | Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Хо­верко, А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви. |
| − | Дослідження впливу електронного опромінення на | + | Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, 0. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв. |
| − | Дослідження впливу електронного опромінення на | + | Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9. |
| − | Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів | + | Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126. |
| − | Исследование и моделирование магнитной | + | Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв. |
| − | Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // | + | Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви. |
| Рядок 147: | Рядок 154: | ||
| − | Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. | + | Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв. |
| Рядок 169: | Рядок 176: | ||
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]] | [[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]] | ||
| − | [[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та | + | [[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]] |
[[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]] | [[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]] | ||
[[Категорія:Викладачі]] | [[Категорія:Викладачі]] | ||
Версія за 01:01, 13 січня 2014
| Островський Ігор Петрович | |
 д.т.н., професор | |
| Дата народження | 05.06.1965 р |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Alma mater | Львівський державний університет імені Івана Франка. |
| Дата закінчення | 1987 р. |
| Спеціальність | фізика |
| Галузь наукових інтересів | фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі |
| Кваліфікаційний рівень | фізик |
| Науковий ступінь | доктор технічних наук |
| Дата присвоєння н.с. | 2012р. |
| Вчене звання | професор |
| Дата присвоєння в.з. | 2013р. |
| Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
Островський Ігор Петрович – доктор технічнх наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографічна довідка
Народився 05 червня 1965 року.
У 1982 р. закінчив середню школу.
У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. Івана Франка.
У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
Працює на кафедрi напівпровідникової електроніки з 1994 р.
Лекційні курси:
«Наноструктури»,
«Квантова та оптоелектроніка».
У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.
У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ «Кристал».
Викладацьку діяльність розпочав у 1998 році: спочатку асистент, а з 2000 р. – доцент кафедри напівпровідникової електроніки.
У 2003 році отримав вчене звання доцента.
У 2008-2010 рр. навчався в докторантурі Національного університету «Львівська політехніка».
У 2011 році захистив докторську дисертацію.
З 2011 р. працює на посаді професора кафедри напівпровідникової електроніки.
Член Вченої ради Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки.
Наукова діяльність
Тема кандидатської дисертації
Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-тфізики напівпровідників. - К., 1996. - 159 л. - л.: 146-159
Тема докторської дисертації
Структурні особливості та фізичні властивості завпливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський . – Львів : Б.в., 2011.
Основна тематика наукових досліджень на кафедрі
1. Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первинних перетворювачів фізичних величин.
2. Вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію методом CVD.
3. Термоелектричні та магнетні характерристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.
Наукові інтереси
Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.
Видавнича діяльність
Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію.
Вибраніпублікаці
Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»,2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви.
Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.
Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, 0. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9.
Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.
Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.
Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, I. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Новітехнології. — 2010. — № 2 (28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв.
Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко,П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127.
One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріалиX Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / Нац.ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2010. -C. 327-328.— Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.
Контакти
ІТРЕ,каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ „Кристал”, тел. 258-26-27
iostrov@polynet.lviv.ua
