Відмінності між версіями «Губа Сергій Костянтинович»

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Перейти до: навігація, пошук
(оновлено список праць)
 
Рядок 87: Рядок 87:
  
 
=====Основні публікації=====
 
=====Основні публікації=====
−
# Основи технології напівпровідникових матеріалів [Текст]: навч. посіб. / [[Курило Іван Васильович|І. В. Курило]], С. К. Губа ; [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т «Львів. Політехніка»]]. — Л.: [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Львів. політехніки]], 2012. — 239 с. : рис., табл. - Бібліогр.: с.233-234. - 300 экз. - ISBN 978-617-607-236-2
+
# Воронин В.А., Губа С.К., Сиверс В.Н., Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3 (63), - 2006, c. 50 – 55
−
# Моделювання низькотемпературного осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V / С.К. Губа, [[Петрович Роман Йосипович|Р.Й. Петрович]] // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. Третьої міжнар. наук.-практ. конф., Кременчук, 21–23трав. 2008 р. — Кременчук, 2008. — С. 207–208. — Бібліогр.: 5 назв.
+
# І.В. Курило, С.К. Губа Основи технології напівпровідникових матеріалів. Навчальний посібник //Львів: Видавництво  Національного Університету “Львівська політехніка”, 2012. – 240 с.  
−
# Розрахунок і проектування функціональних пристроїв : метод. вказівки до викон. курс.роботи з курсу «Функціон. мікроелектроніка» для студ. спец. 8.090801 «Мікроелектрон.та напівпровідник. Прилади» / [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т  «Львів.політехніка»]] ; [уклад.: С.К.Губа, [[Курило Іван Васильович|І.В. Курило]]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац. ун-ту  «Львів. політехніка»]], 2008. — 24 с. — Бібліогр.: с. 23 (19 назв).
+
−
# Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару сполук III-V/С.К. Губа, [[Юзевич Володимир Миколайович|В.М. Юзевич]], [[Курило Іван Васильович|І.В. Курило]] // Актуальні проблеми фізики напівпровідників :тези доп. VI Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 23–26 верес. 2008 р. — Дрогобич,2008. — С. 40. — Бібліогр.: 3 назви.
+
−
# Химическое осаждение из паровой фазы гетеро- и наноструктур соединений III-V /В.А.Воронин, С.К. Губа, [[Курило Іван Васильович|И.В. Курило]] // Технология и конструирование в электрон.аппаратуре. 2008. — № 5. — С. 36–40. — Библиогр.: 13 назв.
+
−
# Хімічне осадження газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V / В.О. Воронін, С.К.Губа, [[Курило Іван Васильович|І.В. Курило]] // Современные информационные и электронные технологии : тр. Девятоймеждунар. науч.-практ. конф., 19–23 мая 2008 г., Одесса, Украина. — Одесса, 2008. — Т. 2. — С. 108.
+
−
# Modellingof growth of the A III B V hetero nanostructures by isothermal CVD-methods /S.K.Guba, R.Yo. Petrovich // XIV International seminar on physics and chemistry ofsolids :progr.collected abstr., Lviv, 1–4 June 2008 / I. Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci.Research Company «Carat». — Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 45. — Bibliogr.: 9 titles.
+
−
# Кинетика роста вискеров GaAs в хлоридной системе GaAs-HCl-H2 / С. К. Губа, Я. Я. Кость // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІ Междунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — Т. 2. — С. 95. — Библиогр.: 4 назв.
+
−
# Кінетика формування адсорбційного шару на грані (100) GaAs під час зародкоутворення квантових точок InAs в процесі хлоридної епітаксії / С. К. Губа, [[Курило Іван Васильович|І. В. Курило]], Р. Й. Петрович //Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп.четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С. 150-151. — Бібліогр.: 3 назви.
+
−
# Переход неупорядоченного состояния в кристаллическое при формировании структуры пленок соединений II-VI и III-V / [[Курило Іван Васильович|И.В. Курило]], С. К. Губа, И. А. Рудый, И. С. Вирт // Наноструктурные материалы-2010: Беларусь - Россия - Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 792. — Библиогр.: 3 назв.
+
−
# Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В. А.Воронин, С. К. Губа, И. В. Курило // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. 2010. — № 2. — С. 31-35. — Библиогр.: 13 назв.
+
 
# V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53  
 
# V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53  
 
# Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40  
 
# Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40  
−
# L.V. Kurilo, S.K.Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
+
# L.V. Kurilo, S.K. Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
 
# Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
 
# Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
 
# I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
 
# I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
 
# I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
 
# I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
−
# R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V.Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quntum dots in GaAs matrices// Semicnductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
+
# R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices// Semiconductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
−
# S.K. Guba and V.N. Yuzevich Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
+
# S.K. Guba and V.N. Yuzevich. Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
−
# С. К. Губа, В.М. Юзевич Характер температурних змін енергетичних характеристик поверхневого  шару кванових точок InAs в матриці GaAs // Жургнал нано- та електронної фізики 2015, Том 7, № 4, сс. 0-4065-1 сс. 0-4065-1 – 0-4065-5.
+
# Guba S.K., Yuzevich V.N. The temperature changes of the energy characteristics of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(4), 0-4065-1–0-4065-504065
 +
# Guba S.K., Formation InAs quantum dots in a matrix GaAs in kinetic mode for CVD-method // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03026
 +
# Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K. The effect of the electric 1eld on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation // Condensed Matter Physics, 2019, 22(1), 13801
 +
# Seneta, M.Y., Peleshchak, R.M., Nesterivskyi, A.I., Lazurchak, N.I., Guba, S.K. The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave // Condensed Matter Physics, 2021, 24(1), pp. 13401:1–13401:8
 +
# Smirnov O.B., Savkina R.K., Udovytska R.S., Guba S.K., Yuryev S.O., Malyi Y.V. Nanostructured ternary compound Hg(Cd)Te-based composite formed by ion bombardment Ag+ for hybrid photonics // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, 33(35), pp. 26178–26189
  
 
===Контакти===
 
===Контакти===

Поточна версія на 15:57, 22 лютого 2023

Губа Сергій Костянтинович
33.jpg
к.т.н., доцент
Дата народження 05.12.1959 р .
Громадянство Україна
Національність українець
Alma mater Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення 1982 р.
Спеціальність електрофізика
Галузь наукових інтересів дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі
Кваліфікаційний рівень інженер-електрофізик
Науковий ступінь кандидат технічних наук
Дата присвоєння н.с. 1995 р.
Вчене звання доцент
Дата присвоєння в.з. 2003 р.
Поточне місце роботи Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань

Губа Сергій Костянтинович — кандидат технічних наук, доцент Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився 5 грудня 1959 року.

Закінчив середню школу у 1977 році.

З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.

Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).

Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.

Вчене звання доцента з 2003 року

Працював на кафедрі НПЕ з 1995 р. по 2022 р. на на посадах асистента, доцента.

З 2022 року працює на кафедрі ТРР.

З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі Державного університету «Львівська політехніка».

Викладацька діяльність

Веде практичні та лабораторні заняття з наступних дисциплін:

  • Аналогова схемотехніка
  • Основи електротехніки
  • Моделювання радіоелектронних засобів
  • Системи інформаційної безпеки

Основна тематика наукових досліджень на кафедрі

  • Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
  • Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
  • Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів та інжекційних лазерів.

Наукові інтереси

Дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі.

Видавнича діяльність

Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 6 патентів на винаходи.

Нагороди

  • Диплом НУЛП 2009 р.
  • Диплом НУЛП 2012 р.
Основні публікації
  1. Воронин В.А., Губа С.К., Сиверс В.Н., Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3 (63), - 2006, c. 50 – 55
  2. І.В. Курило, С.К. Губа Основи технології напівпровідникових матеріалів. Навчальний посібник //Львів: Видавництво Національного Університету “Львівська політехніка”, 2012. – 240 с.
  3. V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53
  4. Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40
  5. L.V. Kurilo, S.K. Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
  6. Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
  7. I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
  8. I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
  9. R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices// Semiconductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
  10. S.K. Guba and V.N. Yuzevich. Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
  11. Guba S.K., Yuzevich V.N. The temperature changes of the energy characteristics of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(4), 0-4065-1–0-4065-504065
  12. Guba S.K., Formation InAs quantum dots in a matrix GaAs in kinetic mode for CVD-method // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03026
  13. Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K. The effect of the electric 1eld on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation // Condensed Matter Physics, 2019, 22(1), 13801
  14. Seneta, M.Y., Peleshchak, R.M., Nesterivskyi, A.I., Lazurchak, N.I., Guba, S.K. The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave // Condensed Matter Physics, 2021, 24(1), pp. 13401:1–13401:8
  15. Smirnov O.B., Savkina R.K., Udovytska R.S., Guba S.K., Yuryev S.O., Malyi Y.V. Nanostructured ternary compound Hg(Cd)Te-based composite formed by ion bombardment Ag+ for hybrid photonics // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, 33(35), pp. 26178–26189

Контакти

ІТРЕ, каф. ТРР, 106. ХІ н.к.,

тел. +38(032)258-21-56

e-mail: gubask@polynet.lviv.ua

Отримано з https://wiki.lpnu.ua/wiki/index.php?title=Губа_Сергій_Костянтинович&oldid=69828