Відмінності між версіями «Вибрані публікації»

Версія за 14:02, 27 жовтня 2019

Монографія

1. Ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину кремній-германій в мікро- та наноелектроніці: [монографія] / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало.– Львів: Видавництво «Тріада плюс», 2016. – 264 с.

Статті в журналах

1. M. Shepida, O. Kuntyi, S. Nichkalo, G. Zozulya, S. Korniy Deposition of gold nanoparticles via galvanic replacement in DMSO and their influence on formation of silicon nanostructures // Advances in Materials Science and Engineering.– 2019.– Vol. 2019, Article ID 2629464, 7 pages.
2. S. Nichkalo, A. Druzhinin, O. Ostapiv, M. Chekaylo Role of Ag-catalyst morphology and molarity of AgNO3 on the size control of Si nanowires produced by metal-assisted chemical etching // Molecular Crystals and Liquid Crystals.– 2018.– Vol. 674(1).– P. 69–75.
3. A.A. Druzhinin, V.Y. Yerokhov, S.I. Nichkalo, O.Y. Ostapiv Development of anti-reflecting surfaces based on Si micropyramids and wet-chemically etched Si nanowire arrays // Functional Materials.– 2018.– Vol. 25(4).– P. 675–680.
4. Iu. Kogut, S. Nichkalo, V. Ohorodniichuk, A. Dauscher, C. Candolfi, P. Masschelein, A. Jacquot and B. Lenoir Nanostructure Features, Phase Relationships and Thermoelectric Properties of Melt-Spun and Spark-Plasma-Sintered Skutterudites // Acta Physica Polonica A.– 2018.– Vol. 133.– P. 879–883.
5. S. Nichkalo, A. Druzhinin, A. Evtukh, O. Bratus’, O. Steblova Silicon nanostructures produced by modified MacEtch method for antireflective Si surface // Nanoscale Research Letters.– 2017.– Vol. 12:106.
6. A. Druzhinin, V. Yerokhov, S. Nichkalo, Y. Berezhanskyi Micro- and nanotextured silicon for antireflective coatings of solar cells // Journal of Nano Research.– 2016.– Vol. 39.– P. 89–95.
7. A.A. Druzhinin, V.Yu. Yerokhov, S.I. Nichkalo, Y.I. Berezhanskyi, M.V. Chekaylo Texturing of the silicon substrate with nanopores and Si nanowires for anti-reflecting surfaces of solar cells // Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2015.– Vol. 7(2).– P. 02030-1–02030-6.
8. A.A. Druzhinin, A.P. Dolgolenko, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, S.I. Nichkalo, Iu.R. Kogut Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers // Functional Materials.– 2015.– Vol.22(1).– P. 27–33.
9. A. Evtukh, A. Druzhinin, I. Ostrovskii, A. Kizjak, A. Grigoriev, O. Steblova, S. Nichkalo Formation of ordered Si nanowires arrays on Si substrate // Advanced Materials Research.– 2014.– Vol. 854.– P. 83–88.
10. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, Iu. Kogut Impedance spectroscopy of polysilicon in SOI structures // Physica Status Solidi (c).– Vol. 11, No(1). – 2014. – P.156-159.
11. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, R. Koretskyy, Iu. Kogut Variable-range hopping conductance in Si whiskers // Physica Status Solidi (a). – Vol. 211, No(2). – 2014. – P.504–508.
12. A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, R.N. Koretskyy, S.I. Nichkalo Impedance of Si wires at metal-insulator transition // Physics and Chemistry of Solid State.– 2014.– Vol. 15, № 1.– P.81–84.
13. Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Khoverko Yu.M., Kogut Iu.R., Nichkalo S.I., Warchulska J.K. Magnetic susceptibility of doped Si nanowhiskers // Journal of Nanoscience and Nanotechnology.– 2012. – Vol. 12.– P.8690–8693.
14. Si and Si-Ge wires for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu. Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk // Physica Status Solidi С. — 2011. — V. 8(3). — P. 867–870.
15. Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya. Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460.
16. Аналіз кінетики росту нановіскерів кремнію / А.О. Дружинін, С.І. Нічкало, Ю.Р. Когут, А.М. Вуйцик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. — 2011. — Т. 9. — С. 933–940.
17. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2(28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
18. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А.О. Дружинін, В. Ю.Єрохов, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту.Сер. Хімічні науки. — 2010. — Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
19. Вирощування нано- та мікродротин кремнію методом CVD та можливості їх сенсорних застосувань / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Электроника и связь : науч.-техн. сб. / Нац. техн. ун-т Украины «Киев. политехн. ин-т»,Гос. ун-т информ.- коммуникац. технологий. — Киев, 2009. — № 2/3, темат. вып. :Электроника и нанотехнологии, Ч. 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 5 назв.
20. Особливості створення нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Фізика і хімія твердого тіла. — 2009. — Т. 10, №4. — C. 777–780.
21. Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С. І. Нічкало // Електроніка : [зб. наук. пр.] /відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С.11-16. -(Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 14 назв.

Патенти

1. Патент № 137490 Україна, МПК B01J 37/03 (2006.01), C01B 33/00, B82B 3/00, B82Y 40/00. Спосіб одержання масиву нанодротин кремнію / Нічкало С.І., А.О. Дружинін; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201903451; заявл. 05.04.2019, опублік. 25.10.2019, Бюл. № 20, 2019 р.
2. Патент № 63926 Україна, МПК H01L 21/00, C30B 29/00 Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М. Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201103520; заявл. 24.03.2011; опубл. 25.10.2011, Бюл. № 20, 2011 р.
3. Патент № 66137 Україна, МПК H01L 31/05 Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури / А.О. Дружинін, В.Ю. Єрохов, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М. Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201106810; заявл. 30.05.2011, опубл. 26.12.2011, Бюл. № 24, 2011 р.