Відмінності між версіями «Губа Сергій Костянтинович»

Версія за 17:50, 17 січня 2017

Губа Сергій Костянтинович
к.т.н., доцент
Дата народження	05.12.1959 р .
Громадянство	Україна
Національність	українець
Alma mater	Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення	1982 р.
Спеціальність	електрофізика
Галузь наукових інтересів	дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі
Кваліфікаційний рівень	інженер-електрофізик
Науковий ступінь	кандидат технічних наук
Дата присвоєння н.с.	1995 р.
Вчене звання	доцент
Дата присвоєння в.з.	2003 р.
Поточне місце роботи	Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Губа Сергій Костянтинович — кандидат технічних наук, доцент кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився 5 грудня 1959 року.

Закінчив середню школу у 1977 році.

З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.

Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).

Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.

Вчене звання доцента з 2003 року

Працює на кафедрі НПЕ з 1995 р. (на посадах асистент, доцент).

З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі Державного університету «Львівська політехніка».

Викладацька діяльність

Читає та веде практичні заняття з наступних дисциплін:

• «Функціональна електроніка»,
• «Технологічні основи електроніки»,
• «Мікросенсори фізичних величин»,
• «Гетероепітаксійні структури»,
• «Електроніка біохімічних процесів»,
• «Фізичні методи діагностики в медицині»,
• «Сенсори та фотоелектричні перетворювачі

Основна тематика наукових досліджень на кафедрі

• Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
• Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
• Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів та інжекційних лазерів.

Наукові інтереси

дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі.

Видавнича діяльність

Автор понад 100 наукових та методичних робіт, вт.ч. 6 патентів на винаходи.

Основні публікації

1. Основи технології напівпровідникових матеріалів [Текст] : навч. посіб. / І. В. Курило, С. К. Губа ; Нац. ун-т «Львів. Політехніка». — Л.: Вид-во Львів. політехніки, 2012. — 239 с. : рис., табл. - Бібліогр.: с.233-234. - 300 экз. - ISBN 978-617-607-236-2
2. Моделювання низькотемпературного осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V / С.К. Губа, Р.Й. Петрович // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. Третьої міжнар. наук.-практ. конф., Кременчук, 21–23трав. 2008 р. — Кременчук, 2008. — С. 207–208. — Бібліогр.: 5 назв.
3. Розрахунок і проектування функціональних пристроїв : метод. вказівки до викон. курс.роботи з курсу «Функціон. мікроелектроніка» для студ. спец. 8.090801 «Мікроелектрон.та напівпровідник. Прилади» / Нац. ун-т «Львів.політехніка» ; [уклад.: С.К.Губа, І.В. Курило]. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2008. — 24 с. — Бібліогр.: с. 23 (19 назв).
4. Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару сполук III-V/С.К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило // Актуальні проблеми фізики напівпровідників :тези доп. VI Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 23–26 верес. 2008 р. — Дрогобич,2008. — С. 40. — Бібліогр.: 3 назви.
5. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро- и наноструктур соединений III-V /В.А.Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электрон.аппаратуре. 2008. — № 5. — С. 36–40. — Библиогр.: 13 назв.
6. Хімічне осадження газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V / В.О. Воронін, С.К.Губа, І.В. Курило // Современные информационные и электронные технологии : тр. Девятоймеждунар. науч.-практ. конф., 19–23 мая 2008 г., Одесса, Украина. — Одесса, 2008. — Т. 2. — С. 108.
7. Modellingof growth of the A III B V hetero nanostructures by isothermal CVD-methods /S.K.Guba, R.Yo. Petrovich // XIV International seminar on physics and chemistry ofsolids :progr.collected abstr., Lviv, 1–4 June 2008 / I. Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci.Research Company «Carat». — Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 45. — Bibliogr.: 9 titles.
8. Кинетика роста вискеров GaAs в хлоридной системе GaAs-HCl-H2 / С. К. Губа, Я. Я. Кость // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІ Междунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — Т. 2. — С. 95. — Библиогр.: 4 назв.
9. Кінетика формування адсорбційного шару на грані (100) GaAs під час зародкоутворення квантових точок InAs в процесі хлоридної епітаксії / С. К. Губа, І. В. Курило, Р. Й. Петрович //Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп.четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С. 150-151. — Бібліогр.: 3 назви.
10. Переход неупорядоченного состояния в кристаллическое при формировании структуры пленок соединений II-VI и III-V / И.В. Курило, С. К. Губа, И. А. Рудый, И. С. Вирт // Наноструктурные материалы-2010: Беларусь - Россия - Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 792. — Библиогр.: 3 назв.
11. Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В. А.Воронин, С. К. Губа, И. В. Курило // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. 2010. — № 2. — С. 31-35. — Библиогр.: 13 назв.
12. V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53
13. Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40
14. L.V. Kurilo, S.K.Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
15. Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
16. I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
17. I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
18. R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V.Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quntum dots in GaAs matrices// Semicnductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
19. S.K. Guba and V.N. Yuzevich Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
20. С. К. Губа, В.М. Юзевич Характер температурних змін енергетичних характеристик поверхневого шару кванових точок InAs в матриці GaAs // Жургнал нано- та електронної фізики 2015, Том 7, № 4, сс. 0-4065-1 сс. 0-4065-1 – 0-4065-5.

Контакти

ІТРЕ, каф.НПЕ, 315к. 3 н.к.,

тел.: +38 (032) 258-26-27

e-mail: gubask@polynet.lviv.ua