Відмінності між версіями «Іжнін Ігор Іванович»

Версія за 20:37, 11 серпня 2014

Іжнін Ігор Іванович
д.ф-м.н., професор
Дата народження	08.11.1948р.
Громадянство	Україна
Alma mater	Львівський державний університет імені Івана Франка.
Дата закінчення	1974 р.
Спеціальність	фізика
Галузь наукових інтересів	фізика вузькощілинних напівпровідників CdHgTe та приладів на їх базі, низькорозмірні структури на базі CdHgTe, модифікація властивостей CdHgTe іоннимтравленням.
Кваліфікаційний рівень	фізик
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Науковий керівник	член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор Сизов Федір Федорович, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України (м. Київ)
Дата присвоєння н.с.	2007р.
Вчене звання	професор
Дата присвоєння в.з.	2010р.
Поточне місце роботи	НВП «Карат», Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Іжнін Ігор Іванович - доктор фізико-математичних наук, заступник начальника відділу Науково-виробничого підприємства «Карат», професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка», (сумісник).

Біографічна довідка

Народився 8 листопада 1948 року.

Освіта

У 1967 р. закінчив Львівський технікум радіоелектроніки.

У 1974 р. закінчив фізичний факультет Львівського державного університету імені Івана Франка.

У 1983 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.

У 1991 р. отримав наукове звання старший науковий співробітник.

У 2007 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук.

Професійна діяльність

З 1977 до 1987 працював у Львівському державному університеті (молодший,старший науковий співробітник).

1987 р. по даний час працює у Науково-виробничому підприємстві «Карат», м. Львів (старший науковий співробітник, начальник сектору, заст. начальника відділу).

З 1998 р. по 2006 р. працює доцентом, а з 2008 р. – професором кафедри напівпровідникової електроніки за сумісництвом.

На даний час професор кафедри НПЕ (за сумісництвом).

Керує науковою роботою студентів та аспірантів кафедри

Наукова діяльність

Тема докторської дисертації

Модифікація властивостей вузькощілинних твердих розчинівCdxHg1-xTe при іонному травленні [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10/ Іжнін Ігор Іванович ; Науково-виробниче підприємство «Карат». - Л., 2006. -357 арк. - арк. 305-344

Науковий керівник: член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор Сизов Федір Федорович, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України (м. Київ)

Наукові інтереси

Сфера наукових інтересів – фізика вузькощілинних напівпровідників CdHgTe та приладів на їх базі, низько розмірні структури набазі CdHgTe, модифікація властивостей CdHgTe іонним травленням.

Видавнича діяльність

Опублікував понад 180 наукових праць.

Вибрані публікації, патенти, тези конференцій

Аигина Н.Р., Берченко Н.Н.,Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Медведев Ю.В. Сверхрешетки HgTe-CdTe — новыйматериал ИК оптоэлектроники // ЗЭТ. — 1987. — № 11. — С. 3–46.

Войцеховский А.В., Ижнин И.И.,Кемарский В.А., Кульчицкий Н.А. Приборы ИК оптоэлектроники на основе структурCdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ЗЭТ. — 1991. —№ 12. — С. 3–44.

Берченко Н.Н., Войцеховский А.В. ИжнинаН.Ю., Ижнин И.И., Ланская О.Г., Лиленко Е.П., Савчин В.П. Катодолюминесценцияанодных оксидов CdxHg1-xTe // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1991. — №5. — С. 107–112.

Берченко Н.Н., Батенчук М.М., ИжнинИ.И., Савчин В.П., Винникова А.И. Катодолюминесценция анодного оксида теллуридасвинца // ЖТФ. — 1994. — Т. 64, № 3. — С. 184–187.

Izhnin I.I., Izhnin A.I., KurbanovK.R., Prytuljak B.B. p-to-n ion beam milling conversion in specially dopedCdxHg1-xTe // Proc. SPIE. — 1996. — Vol. 3182. — P. 383–387.

Berchenko N.N., Izhnin I.I., SavchynV.P., Stakhira J.M., Voitsekhovskii A.V. Cathodoluminescence characterizationof a compound semiconductors — native dielectric interface // Material Scienceand Engineering. — 1997. — Vol. B44, N 1. — P. 139–142.

Izhnin I.I. Temperature stability ofthe IBM formed CdxHg1-xTe p-n structure // Proc. SPIE. — 1998. — Vol. 3890. —P. 519–522.

Savitsky V., Mansurov L., Fodchuk I.,Izhnin I.I.,Virt I., Lozynska M., Evdokimenko A. Peculiarities of MCT Etchingin RF Mercury Glow Discharge // Proc. SPIE. — 1998. — Vol. 3725. — P. 299–303.

Іжнін І.І. Легкі дірки в CdxHg1-xTe //Вісник Державного університету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. —2000. — № 397. — С. 121–126.

Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизмконверсии типа проводимости при бомбардировке кристаллов p-Hg1-xCdxTe ионамималых энергий // Известия ВУЗОВ Сер. Физика. — 2000. — Т. 43, № 8. — С. 16–25.

Богобоящий В.В., Власов А.П., ИжнинИ.И. Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком р-CdxHg1-xTeпри ионно-лучевом травлении // Известия ВУЗОВ Сер. Физика. — 2001. — Т. 44, №1. — С. 50-59.

Берченко М.М., Богобоящий В.В., ІжнінІ.І., Савицький Г.В., Юденков В.О. Модифікація електрофізичних властивостейепітаксійних шарів PbTe в умовах низькоенергетичного бомбардування // ВісникНаціонального університету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. — 2001 — №423. — С. 3–7.

Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Vlasov A.P. Defect structure rebuilding by ion beam milling of Asand Sb doped p-CdxHg1-xTe // Phys. Stat. Sol. (b). — 2002. — Vol. 229, N 1. —P. 279–282.

Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Vlasov A.P., Izhnin I.I., Ilyina Yu.S. Type conductivity conversion in As, Sbdoped p-CdxHg1-xTe under ion beam milling // Surface and Coatings Technol. —2002. — Vol.158/159C. — P. 732–736. 15. Іжнін І.І. Порівняльній аналізпроцесів конверсії типу провідності в p-CdxHg1-xTe // Вісник Національногоуніверситету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. — 2002. — № 455. — С.157–162.

Берченко М.М., Богобоящий В.В., ВласовА.П., Іжнін І.І., Яковина В.С. Низькотемпературні методи модифікаціївластивостей CdxHg1-xTe та структур на його основі // Вісник Національногоуніверситету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. — 2002. — № 459. — С.18–28.

Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Yudenkov V.A. Properties of n-layers formed by low energy ion beammilling of chalcogenides epitaxial films // Phys. Stat. Sol. ©. — 2003. — Vol.0, N 3. — P. 872–874.

Belas E., Bogoboyashchii V.V., GrillR., Izhnin I.I., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Time relaxation of points defectsin p- and n-(HgCd)Te after ion beam milling // J. Electron. Mater. — 2003. —Vol. 32, N 7. — P. 698–702.

Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Type conductivityconversion in p-CdxHg1-xTe // Opto-Electronics Review. — 2003. — Vol. 11, N 2.— Р. 93–98.

Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Peculiarities ofconductivity type conversion in p-CdxHg1-xTe under ion beam etching and anodicoxide annealing // Functional Materials. — 2003. — Vol. 10, N 2. — Р. 287–292.

Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Офизическом смысле огибающей спектров подвижности // Вісник Кременчуцькогодержавного політехнічного університету. — 2003. — № 2.— С. 10–13.

Богобоящий В.В., Іжнін І.І., СавицькийГ.В., Юденков В.О. Часова стабільність CdxHg1-xTe p-n структур, сформованихіонно-променевим травленням // Вісник Національного університету «Львівськаполітехніка», сер. Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 119–125.

Богобоящий В.В., Елизаров А.И., ИжнинИ.И. Локальные механизмы диффузии меди в кристаллах Hg0,8Cd0,2Te // ВісникКременчуцького державного політехнічного університету. — 2003. — № 5. — С.131–137.

Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизмобразования источника диффузии ртути в р-CdxHg1-xTe при ионно-лучевом травлении// Прикладная физика. — 2003. — № 6. — С. 120–125.

Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I.Mechanism for creation of the mercury diffusion source at type conductivityconversion in p-Hg1-xCdxTe under ion-beam milling // Proc. SPIE. — 2003. — Vol.5126. — P. 427–433.

Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Type conductivityconversion in p-CdxHg1-xTe // Proc. SPIE. — 2003. — Vol. 5136. — P. 424–429.

Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V.,Berchenko N.N., Yudenkov V.A. Mechanisms of conductivity conversion inextrinsically and intrinsically doped p-HgCdTe solid solutions under low energyion beam milling // Journal of Alloys and Compounds. — 2004. — Vol. 371, N 1–2.— P. 122–124.

Bogoboyashchyy V.V., Dvoretsky S.A.,Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Sizov F.F., Varavin V.S., YudenkovV.A. Properties of MBE CdxHg1-xTe/GaAs structures modified by ion-beam milling// Phys. Stat. Sol. ©. — 2004. — Vol. 1, N 2. — P. 355–359.

Богобоящий В.В., Іжнін І.І., СизовФ.Ф., Юденков В.О. Релаксація електричних параметрів структур, сформованихіонним травленням у вузькощилинному CdxHg1-xTe // Доповіді НАН України. — 2004.— № 4. — С. 70–75.

Богобоящий В.В., Гаврилюк Ю.М., ИжнинИ.И., Курбанов К.Р. Влияние технологических особенностей получения р-CdxHg1-xTeна процессы релаксации p-n структур, созданных ионным травлением // Новітехнології. — 2004. — № 1–2. — С. 143–147.

Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Pociask M., Sheregii E.M., Yudenkov V.A. Influence of the lowenergy ion beam milling on the electrical properties of InSb // Phys. Stat.Sol. ©. — 2005. — Vol. 2, N 4. — P. 1418–1422.

Богобоящий В.В., Ижнин И.И., КурбановК.Р. Конверсия типа проводимости в легированных примесями I группымонокристаллах CdxHg1-xTe при ионном травлении // Прикладная физика. — 2005. —№ 2.— С. 48–53.

Bogoboyashchyy V.V., Elizarov A.I.,Izhnin I.I. Conversion of conductivity type in Cu-doped Hg0.8Cd0.2Te crystalsunder ion beam milling // Semicond. Sci. Technol. — 2005. — Vol. 20, N 8. — P.726–732.

Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V.,Kurbanov K.R., Mynbaev K.D., Rjabikov V.M. Effect of internal electrical fieldon compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg1-xTe //Semicond. Phys., Quantum Electronics and Optoelectronics. — 2005. — Vol. 8, N1. — Р. 52–58.

Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., SizovF.F. Electrical characteristics relaxation of ion milled MCT layers // Proc.SPIE. — 2005. — Vol. 5881. — P. 5881OU-1—5881OU11.

Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I.,Mynbaev K.D. The nature of compositional dependence of p-n junction depth inion-milled p-CdxHg1-xTe // Semicond. Sci. Technol. — 2006.— Vol. 21, N 2. — P.116–123.

Izhnin I., Bogoboyashchyy V., KotkovA., Moiseev A., Grishnova N. Type conductivity conversion in MOCVDCdxHg1-xTe/GaAs hetero-structures under ion milling // Proc. SPIE. — 2005. —Vol. 5957. — P. 595716-1 — 595716-7.

Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., SizovF.F. Regularities of the CdxHg1-xTe p-n junction formation // Proc. SPIE. —2005. — Vol. 5957. — P. 595713-1 — 595713-12.

Izhnin I., Korbutyak D., Pociask M.,Savchyn V. Luminescence investigation of ion milled CdTe // Phys. Stat. Sol. ©.— 2006. — Vol. 3, N 4, P. 1063–1065.

Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I.,Mynbaev K.D., Pociask M, Vlasov A.P. Relaxation of electrical properties ofn-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-groupacceptors // Semicond. Sci. Technol. — 2006.— Vol. 21, N 8. — P. 1144–1149.

Пат. 54476 Україна, МКП Н01L31/0296.Спосіб виготовлення фотодіодів на основі CdxHg1-xTe : Пат. 54476 Україна, МКПН01L31/0296/ В.В.Богобоящий, І.І.Іжнін, К.Р.Курбанов (Україна); НВП «Карат». —№ 99063577; Заявл. 24.06.99; Опубл. 17.03.03, Бюл. № 3. — 3 с.

Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I. p- ton-type conductivity conversion mechanism in p- CdxHg1-xTe under ion-beammilling // Proc. 9-th International Conf. on Narrow Gap Semicond. — Berlin:Humboldt University of Berlin. — 1999. — P. 30–32.

Бончик О.Ю., Іжнін І.І., Кияк С.Г.,Савицький Г.В., Притуляк Б.Б., Юденков В.О. Автоматизований комплекс длядослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових матеріалів //Збірник наукових праць Фізико-механічного інституту ім. Г.В.Карпенка НАНУкраїни, Сер. «Фізичні методи та засоби контролю середовищ, матеріалів тавиробів», Вип. 7 «Неруйнівний контроль конструційних та функціональнихматеріалів». — Львів. — 2002. — С. 235–240.

Belas E., Bogoboyashchii V.V., GrillR., Izhnin I.I., Yudenkov V.A. Time relaxation of points defects in p- andn-(HgCd)Te after ion beam milling // Extended Abstracts «The 2002 U.S. Workshopon the Physics and Chemistry of II-VI Materials». — San Diego. — 2002. — P.191–194.

Савчин Володимир Павлович, Іжнін ІгорІванович, Ваків Микола Михайлович Напівпровідниковафотоелектроніка. — Львів : ЛНУ ім. І.Франка , 2010 . — 728 C

Arsenic incorporation in MBE-grownHgCdTe studied with the use of ion milling / I. I. Izhnin, S. A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sidorov, V. S. Varavin, R. Jakiela, M.Pociask, G. Savitsky // Physica Status Solidi ©. — 2010. — Vol. 7, № 6. -P.1612-1614.

Blue-shift in fotoluminescence ofion-milled HgCdTe films and relaxation of defects induced by the milling / M.Posiask, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, Yu. G.Sidorov, V. S. Varavin // Thin Solid Films. — 2010. — Vol. 518, iss. 14. -P.3879-3881.

Comparison of electrical properties ofHgCdTe subsurface layers formed by low energy ion beam milling or anodicoxidation / N. Berchenko, I. Izhnin, V. Yudenkov, M. Pociask, V. Yakovyna //Surface and Interface Analysis. — 2010. — Vol. 42, iss. 6/7. — P. 902-905.-Bibliogr.: 14 titles.

Ion milling-assisted study of defectstructure of HgCdTe films grown by liquid phase epitaxy / I. I. Izhnin, I. A.Denisov, N. A. Smirnova, M. Pociask, K. D. Mynbaev // Opto¬Electronics Rev. —2010. — Vol. 18, № 3. — P. 328-331. — Bibliogr.: 10 titles.

Ion milling-induced conductivity-typeconversion in p-type HgCdTe MBE-grown films with graded-gap surface layers / M.Pociask, I. I. Izhnin, S. A. Dvoretsky, Yu. G. Sidorov, V. S. Varavin, N. N.Mikhailov, N. H. Talipov, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii // Semicon¬ductorScience and Technology. — 2010. — Vol. 25, № 6. — [5 p.].

Контакти

ІТРЕ, каф. НПЕ, к.314-а 3 н.к., тел.258-26-96, м. Львів, вул. Стрийська, 202, НВПКарат; Тел.: (032) 2631065