Відмінності між версіями «Губа Сергій Костянтинович»
Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
(→=Викладацька діяльність) |
(оновлено список праць) |
||
| (Не показані 7 проміжних версій 4 користувачів) | |||
| Рядок 20: | Рядок 20: | ||
| Діти = | | Діти = | ||
| Відомі родичі = | | Відомі родичі = | ||
| − | | Громадянство =Україна | + | | Громадянство = Україна |
| Національність = українець | | Національність = українець | ||
| Alma mater = [[Львівський політехнічний інститут]] | | Alma mater = [[Львівський політехнічний інститут]] | ||
| Рядок 26: | Рядок 26: | ||
| Спеціальність = електрофізика | | Спеціальність = електрофізика | ||
| Військове звання = | | Військове звання = | ||
| − | | Галузь наукових інтересів= | + | | Галузь наукових інтересів= дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі |
| − | дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі | + | |
| Кваліфікаційний рівень = інженер-електрофізик | | Кваліфікаційний рівень = інженер-електрофізик | ||
| Науковий ступінь = кандидат технічних наук | | Науковий ступінь = кандидат технічних наук | ||
| Рядок 37: | Рядок 36: | ||
| Відомі команди = | | Відомі команди = | ||
| Відомий у зв’язку з = | | Відомий у зв’язку з = | ||
| − | | Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра | + | | Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань]] |
| Почесні звання = | | Почесні звання = | ||
| Державні нагороди = | | Державні нагороди = | ||
| Рядок 44: | Рядок 43: | ||
| Власний сайт = | | Власний сайт = | ||
}} | }} | ||
| − | '''Губа Сергій Костянтинович''' | + | '''Губа Сергій Костянтинович''' — кандидат технічних наук, доцент [[Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]]. |
==== Біографічна довідка ==== | ==== Біографічна довідка ==== | ||
| − | |||
Народився 5 грудня 1959 року. | Народився 5 грудня 1959 року. | ||
| − | + | ||
Закінчив середню школу у 1977 році. | Закінчив середню школу у 1977 році. | ||
| − | + | ||
З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті [[Львівський політехнічний інститут |Львівського політехнічного інституту]], спеціалізувався на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрі напівпровідникової електроніки]]. | З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті [[Львівський політехнічний інститут |Львівського політехнічного інституту]], спеціалізувався на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрі напівпровідникової електроніки]]. | ||
| − | + | ||
Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією). | Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією). | ||
| − | + | ||
Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році. | Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році. | ||
| − | + | ||
Вчене звання доцента з 2003 року | Вчене звання доцента з 2003 року | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | + | Працював на кафедрі НПЕ з 1995 р. по 2022 р. на на посадах асистента, доцента. | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | З 2022 року працює на кафедрі ТРР. | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі [[Державний університет «Львівська політехніка»|Державного університету «Львівська політехніка»]]. | |
| − | + | =====Викладацька діяльність===== | |
| + | ''Веде практичні та лабораторні заняття з наступних дисциплін:'' | ||
| + | * Аналогова схемотехніка | ||
| + | * Основи електротехніки | ||
| + | * Моделювання радіоелектронних засобів | ||
| + | * Системи інформаційної безпеки | ||
| + | |||
| + | ====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі==== | ||
| + | * Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії | ||
| + | * Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії | ||
| + | * Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів та інжекційних лазерів. | ||
==== Наукові інтереси ==== | ==== Наукові інтереси ==== | ||
| − | + | Дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі. | |
| − | + | ||
==== Видавнича діяльність ==== | ==== Видавнича діяльність ==== | ||
| + | Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 6 патентів на винаходи. | ||
| − | + | ==== Нагороди ==== | |
| + | * Диплом НУЛП 2009 р. | ||
| + | * Диплом НУЛП 2012 р. | ||
=====Основні публікації===== | =====Основні публікації===== | ||
| + | # Воронин В.А., Губа С.К., Сиверс В.Н., Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3 (63), - 2006, c. 50 – 55 | ||
| + | # І.В. Курило, С.К. Губа Основи технології напівпровідникових матеріалів. Навчальний посібник //Львів: Видавництво Національного Університету “Львівська політехніка”, 2012. – 240 с. | ||
| + | # V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53 | ||
| + | # Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40 | ||
| + | # L.V. Kurilo, S.K. Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332 | ||
| + | # Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35 | ||
| + | # I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823 | ||
| + | # I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20. | ||
| + | # R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices// Semiconductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353 | ||
| + | # S.K. Guba and V.N. Yuzevich. Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910 | ||
| + | # Guba S.K., Yuzevich V.N. The temperature changes of the energy characteristics of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(4), 0-4065-1–0-4065-504065 | ||
| + | # Guba S.K., Formation InAs quantum dots in a matrix GaAs in kinetic mode for CVD-method // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03026 | ||
| + | # Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K. The effect of the electric 1eld on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation // Condensed Matter Physics, 2019, 22(1), 13801 | ||
| + | # Seneta, M.Y., Peleshchak, R.M., Nesterivskyi, A.I., Lazurchak, N.I., Guba, S.K. The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave // Condensed Matter Physics, 2021, 24(1), pp. 13401:1–13401:8 | ||
| + | # Smirnov O.B., Savkina R.K., Udovytska R.S., Guba S.K., Yuryev S.O., Malyi Y.V. Nanostructured ternary compound Hg(Cd)Te-based composite formed by ion bombardment Ag+ for hybrid photonics // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, 33(35), pp. 26178–26189 | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
===Контакти=== | ===Контакти=== | ||
| − | ІТРЕ, каф. | + | ІТРЕ, каф. ТРР, 106. ХІ н.к., |
| − | + | ||
| − | gubask@polynet.lviv.ua | + | тел. +38(032)258-21-56 |
| − | + | ||
| − | + | e-mail: gubask@polynet.lviv.ua | |
| − | [[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]] | + | |
| − | [[Категорія: Кафедра | + | [[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]] |
| + | [[Категорія:Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]] | ||
| + | [[Категорія:Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань]] | ||
[[Категорія:Викладачі]] | [[Категорія:Викладачі]] | ||
Поточна версія на 15:57, 22 лютого 2023
| Губа Сергій Костянтинович | |
 к.т.н., доцент | |
| Дата народження | 05.12.1959 р . |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Національність | українець |
| Alma mater | Львівський політехнічний інститут |
| Дата закінчення | 1982 р. |
| Спеціальність | електрофізика |
| Галузь наукових інтересів | дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі |
| Кваліфікаційний рівень | інженер-електрофізик |
| Науковий ступінь | кандидат технічних наук |
| Дата присвоєння н.с. | 1995 р. |
| Вчене звання | доцент |
| Дата присвоєння в.з. | 2003 р. |
| Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань |
Губа Сергій Костянтинович — кандидат технічних наук, доцент Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографічна довідка
Народився 5 грудня 1959 року.
Закінчив середню школу у 1977 році.
З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.
Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).
Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.
Вчене звання доцента з 2003 року
Працював на кафедрі НПЕ з 1995 р. по 2022 р. на на посадах асистента, доцента.
З 2022 року працює на кафедрі ТРР.
З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі Державного університету «Львівська політехніка».
Викладацька діяльність
Веде практичні та лабораторні заняття з наступних дисциплін:
- Аналогова схемотехніка
- Основи електротехніки
- Моделювання радіоелектронних засобів
- Системи інформаційної безпеки
Основна тематика наукових досліджень на кафедрі
- Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
- Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
- Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів та інжекційних лазерів.
Наукові інтереси
Дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі.
Видавнича діяльність
Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 6 патентів на винаходи.
Нагороди
- Диплом НУЛП 2009 р.
- Диплом НУЛП 2012 р.
Основні публікації
- Воронин В.А., Губа С.К., Сиверс В.Н., Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3 (63), - 2006, c. 50 – 55
- І.В. Курило, С.К. Губа Основи технології напівпровідникових матеріалів. Навчальний посібник //Львів: Видавництво Національного Університету “Львівська політехніка”, 2012. – 240 с.
- V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53
- Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40
- L.V. Kurilo, S.K. Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
- Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
- I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
- I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
- R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices// Semiconductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
- S.K. Guba and V.N. Yuzevich. Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
- Guba S.K., Yuzevich V.N. The temperature changes of the energy characteristics of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(4), 0-4065-1–0-4065-504065
- Guba S.K., Formation InAs quantum dots in a matrix GaAs in kinetic mode for CVD-method // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03026
- Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K. The effect of the electric 1eld on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation // Condensed Matter Physics, 2019, 22(1), 13801
- Seneta, M.Y., Peleshchak, R.M., Nesterivskyi, A.I., Lazurchak, N.I., Guba, S.K. The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave // Condensed Matter Physics, 2021, 24(1), pp. 13401:1–13401:8
- Smirnov O.B., Savkina R.K., Udovytska R.S., Guba S.K., Yuryev S.O., Malyi Y.V. Nanostructured ternary compound Hg(Cd)Te-based composite formed by ion bombardment Ag+ for hybrid photonics // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, 33(35), pp. 26178–26189
Контакти
ІТРЕ, каф. ТРР, 106. ХІ н.к.,
тел. +38(032)258-21-56
e-mail: gubask@polynet.lviv.ua
