Відмінності між версіями «Островський Ігор Петрович»

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Перейти до: навігація, пошук
Рядок 1: Рядок 1:
 
{{Особа
 
{{Особа
 
| П.І.Б = Островський Ігор Петрович
 
| П.І.Б = Островський Ігор Петрович
−
| Зображення (фото) = 30.jpg‎
+
| Зображення (фото) = 30.jpg‎
 
| Підпис зображення (фото) = д.т.н., професор
 
| Підпис зображення (фото) = д.т.н., професор
 
| Ім'я при народженні =
 
| Ім'я при народженні =
Рядок 20: Рядок 20:
 
| Діти =
 
| Діти =
 
| Відомі родичі =
 
| Відомі родичі =
−
| Громадянство =Україна  
+
| Громадянство = Україна  
 
| Національність =  
 
| Національність =  
 
| Alma mater = Львівський державний університет імені Івана Франка.
 
| Alma mater = Львівський державний університет імені Івана Франка.
Рядок 44: Рядок 44:
 
| Власний сайт =
 
| Власний сайт =
 
}}
 
}}
−
'''Островський Ігор Петрович''' –  доктор технічнх наук, професор [[Кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].  
+
'''Островський Ігор Петрович''' — доктор технічних наук, професор [[Кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].  
−
+
 
 
=== Біографічна довідка ===
 
=== Біографічна довідка ===
−
 
 
* Народився  5 червня 1965 року.  
 
* Народився  5 червня 1965 року.  
 
* У 1982 р. закінчив середню школу.  
 
* У 1982 р. закінчив середню школу.  
 
* У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. Івана Франка.  
 
* У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. Івана Франка.  
 
* У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
 
* У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
−
* Працює на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрi напівпровідникової електроніки]] з 1994 р.  
+
* Працює на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрі напівпровідникової електроніки]] з 1994 р.  
 
* У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.  
 
* У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.  
 
* У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ  «Кристал».   
 
* У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ  «Кристал».   
Рядок 61: Рядок 60:
 
* З 2011 р. працює на посаді професора [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]].
 
* З 2011 р. працює на посаді професора [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]].
 
* Член Вченої ради [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]].
 
* Член Вченої ради [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]].
−
+
 
 
===Лекційні  курси:===  
 
===Лекційні  курси:===  
 +
* «Наноструктури»,
 +
* «Квантова та оптоелектроніка».
  
−
«Наноструктури»,
 
−
 
−
«Квантова та оптоелектроніка».
 
 
=== Наукова діяльність ===
 
=== Наукова діяльність ===
 +
''Тема кандидатської дисертації:'' Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1996. — 159 л. — л.: 146-159
  
−
====Тема кандидатської дисертації====
+
''Тема докторської дисертації:'' Структурні особливості та фізичні властивості за впливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський. — Львів : Б.в., 2011.
  
−
Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-тфізики напівпровідників. - К., 1996. - 159 л. - л.: 146-159
 
−
 
−
====Тема докторської дисертації====
 
−
 
−
Структурні особливості та фізичні властивості завпливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський . – Львів : Б.в., 2011.
 
−
 
 
====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі====
 
====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі====
−
 
 
* Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первин­них перетворювачів фізичних величин.
 
* Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первин­них перетворювачів фізичних величин.
 
* Вирощування субмікронних ниткоподіб­них кристалів кремнію методом CVD.
 
* Вирощування субмікронних ниткоподіб­них кристалів кремнію методом CVD.
−
* Термоелектричні та магнетні характер­ристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.
+
* Термоелектричні та магнетні характер­истики ниткоподібних кристалів твердих розчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.
  
 
==== Наукові інтереси ====
 
==== Наукові інтереси ====
−
 
 
Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.  
 
Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.  
 
   
 
   
 
=== Видавнича діяльність ===
 
=== Видавнича діяльність ===
 +
Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, одну монографію.
  
−
Опублікував понад  170  публікацій, 10 патентів України, однумонографію.
+
==== Вибрані публікації====
−
+
# Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]] з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :[[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац. ун-ту  «Львів. політехніка»]],2010. — С. 49. — Бібліогр.: 2 назви.
−
==== Вибрані публікаці====
+
−
 
+
−
# Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]] з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :[[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац. ун-ту  «Львів. політехніка»]],2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви.
+
 
# Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
 
# Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
−
# Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Єрохов]], І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
+
# Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Єрохов]], І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники и нанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. — Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
−
# Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]], В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
+
# Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]], В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. 2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
−
# Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
+
# Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
 
# Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]],І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
 
# Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]],І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
 
# Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова  НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.
 
# Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова  НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.
−
# Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О.Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
+
# Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О.Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. 2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
−
# Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], 0. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]] // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
+
# Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], 0. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]] // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. 2010. — Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
−
# Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|H. С. Лях-Кагуй]] // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9.
+
# Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|H. С. Лях-Кагуй]] // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С. 8-9.
−
# Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська,  І. П. Островський,  [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]],  Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць,  П. Г. Литовченко,  А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.
+
# Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська,  І. П. Островський,  [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]],  Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць,  П. Г. Литовченко,  А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.
−
# Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.
+
# Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.
−
# Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], 1. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
+
# Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], 1. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
−
# Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], I. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Новітехнології. — 2010. — № 2 (28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
+
# Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], I. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Новітехнології. 2010. — № 2 (28). — С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
 
# Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка»]], 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
 
# Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка»]], 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
−
# Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. А.Дружинин]], И. П. Островский, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. Н. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. И. Ничкало]] //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы  ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв.
+
# Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. А.Дружинин]], И. П. Островский, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. Н. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. И. Ничкало]] //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь — Россия — Украина : тезисы  ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438. — Библиогр.: 2 назв.
−
# Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]],П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127.
+
# Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge для сенсорів фізичних величин / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]],П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — Т. 2. — С. 127.
−
# One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, ком­п’ютерної інженерії : матеріалиX Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац.ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Львів. політехніки]], 2010. -C. 327-328.— Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
+
# One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали X Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац.ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Львів. політехніки]], 2010. — C. 327-328. — Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
 
# Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.
 
# Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.
  
 
===Контакти===
 
===Контакти===
−
ІТРЕ,каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ „Кристал”,  
+
ІТРЕ, каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ «Кристал»,  
 +
 
 +
тел. +38 (032) 258-26-27
 +
 
 +
e-mail: iostrov@polynet.lviv.ua 
  
−
тел. 258-26-27
 
−
 
−
iostrov@polynet.lviv.ua 
 
−
 
−
 
 
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]]
 
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]]
−
[[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]]
+
[[Категорія:Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]]
−
[[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]]
+
[[Категорія:Кафедра напівпровідникової електроніки]]
 
[[Категорія:Викладачі]]
 
[[Категорія:Викладачі]]

Версія за 11:58, 3 квітня 2015

Островський Ігор Петрович
30.jpg
д.т.н., професор
Дата народження 05.06.1965 р
Громадянство Україна
Alma mater Львівський державний університет імені Івана Франка.
Дата закінчення 1987 р.
Спеціальність фізика
Галузь наукових інтересів фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі
Кваліфікаційний рівень фізик
Науковий ступінь доктор технічних наук
Дата присвоєння н.с. 2012р.
Вчене звання професор
Дата присвоєння в.з. 2013р.
Поточне місце роботи Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Островський Ігор Петрович — доктор технічних наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Лекційні курси:

  • «Наноструктури»,
  • «Квантова та оптоелектроніка».

Наукова діяльність

Тема кандидатської дисертації: Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1996. — 159 л. — л.: 146-159

Тема докторської дисертації: Структурні особливості та фізичні властивості за впливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський. — Львів : Б.в., 2011.

Основна тематика наукових досліджень на кафедрі

  • Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первин­них перетворювачів фізичних величин.
  • Вирощування субмікронних ниткоподіб­них кристалів кремнію методом CVD.
  • Термоелектричні та магнетні характер­истики ниткоподібних кристалів твердих розчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.

Наукові інтереси

Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.

Видавнича діяльність

Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, одну монографію.

Вибрані публікації

  1. Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»,2010. — С. 49. — Бібліогр.: 2 назви.
  2. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
  3. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники и нанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. — Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
  4. Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. 2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
  5. Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
  6. Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
  7. Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.
  8. Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. 2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
  9. Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, 0. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. 2010. — Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
  10. Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С. 8-9.
  11. Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.
  12. Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.
  13. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
  14. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, I. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Новітехнології. 2010. — № 2 (28). — С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
  15. Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
  16. Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь — Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438. — Библиогр.: 2 назв.
  17. Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge для сенсорів фізичних величин / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко,П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — Т. 2. — С. 127.
  18. One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали X Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / Нац.ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2010. — C. 327-328. — Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
  19. Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.

Контакти

ІТРЕ, каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ «Кристал»,

тел. +38 (032) 258-26-27

e-mail: iostrov@polynet.lviv.ua

Отримано з https://wiki.lpnu.ua/wiki/index.php?title=Островський_Ігор_Петрович&oldid=27079