Відмінності між версіями «Вибрані публікації А.О. Дужиніна»

Поточна версія на 17:58, 21 лютого 2015

1. Дружинін Анатолій Олександрович. Твердотільна електроніка: фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів: Навч.посібник для студ. напрямку Електроніка / Національний ун-т Львівська політехніка. — Л. : Видавництво Національного ун-ту Львівська політехніка,2001. — 250с. : рис. — Бібліогр.: с. 250-251. — ISBN 966-553-206-5.
2. Твердотільна електроніка. Фізичні основи і властивостінапівпровідникових приладів [Текст] : навч. посіб. для студ. вищ. навч.закладів, які навч. за напр. «Електроніка», «Мікро- та наноелектроніка» / А. О.Дружинін ; Нац. ун-т «Львівська політехніка». — Л. : Вид-во Нац. ун-ту«Львівська політехніка», 2009. — 332 с. : іл. — ISBN 978-966-553-771-7
3. Створення мікроелектронних датчиків нового поколіннядля інтелектуальних систем : [монографія] / Ярослав Ілліч Лепіх, ЮрійОмелянович Гордієнко, Сергій Вікторович Дзядевич, Анатолій Олександрович Дружинін, Анатолій Антонович Євтух; За ред. Ярослав Ілліч Лепіх.— Одеса :Астропринт, 2010.— 301 с. Бібліогр.: с. 256-289 . —ISBN 966-19-0310-3
4. Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їхніхтвердих розчинів у сенсорній електроніці [Текст] : [монографія] / А.О.Дружинін, І.П. Островський, Ю.Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид Львів. політехніка, 2010. — 200 с. — ISBN 978-966-553-909-4
5. Кафедра напівпровідникової електроніки [Текст] : до 50-річчя заснування / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко ; Нац.ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2012. — 72 с. —ISBN 978-617-607-329-1
6. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Pankevich I.,Pankov Y. Electrical and piezoresistive characterisation of laserrecrystallized polysilicon layers in SOI stryctyres // Electron Technology.-1999.-V.32.-No.1/2.- P.146-150.
7. Druzhinin A., Maryamova I., Lavitska E., Pankov Y.Physical aspects of multifunctional sensors based on piezothermomagneticeffects in semiconductors // Sensors and Actuators: A. Physical.-1998.-V.68.- No.1-3.-P.229-233.
8. Лавитская Е.Н., Марьямова И.Й., Дружинин А.А., Панков Ю.М. Влияние структуры на пьезосопротивление тонких слоев поликремния //Неорганические материалы.-1996.- Т.32.- № 10.- С.1162-1164.
9. V.A.Voronin, I.I.Maryamova, A.A.Druzhinin,E.N.Lavitska, Y.M.Pankov SOI pressure sensors based on laser recrystallizedpolysilicon /Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices. Ed.By J.P.Collinge et al. Kluwer Academic Publishers, Netherlands.- 1995.- P.281-286.
10. Drushinin A.A., Maryamova I.I., Kogut I.T., PankovY.M. New generation of mechanical sensors on the basis of laser-recrystallized recrystallizedpoly-Si layers //Sensors and Actuators.-1992.V.30.- No.1-2.- P.27-33.
11. Дружинін А.А., Мар`ямова І.Й., Костур В.Г., Панков Ю.М. Дослідження тензорезистивних властивостей рекристалізованих полікремнієвихшарів//Фізична електроніка.-1992.- 42.- С.83-88.
12. Дружинин А.А., Марьямова И.Й., Костур В.Г., Панков Ю.М. Пьезорезистивные сенсоры на основе структур кремний-на-изоляторе//Метрология.-1991.-5.- С.20-25.
13. Пат. 23103 А Україна, МКB G01L9/06, H01L21/28.П’єзорезистивний датчик /Панков Ю.М., Дружинін А.А., Мар’ямова І.Й. (Україна).4с.; Опубл. 30.06.98, Бюл. № 3.
14. Druzhinin A., Lavitska Е., Maryamova I., Kogut І.,Khoverko Y. On possibility to extend the operation temperature range of SOIsensors with polysilicon piezoresistors // J. of Telecom. and Inform. Techn.—2001. — No 1. — P. 40–45.
15. Druzhinin А., Lavitska E., Maryamova I., Khoverko Y.Laser recrystallized SOI layers for sensor applications at cryogenictemperatures // F. Balestra et al. (eds.) Progress in SOI structures andDevices Operating at Extreme Conditions. Kluwer Acad. Publ. Printed in theNetherlands.— 2002. — P. 233–237.
16. Druzhinin A., Pankevich I., Khoverko Y. Recrystallizedpolysilicon on insulater substrates as a material for optoelectsensors // Proc.of SPIE. — 1999. — Vol. 3730. — P. 47–50.
17. Дружинін А.О., Когут I.Т., Литвин I.С., ТиханськийМ.В., Ховерко Ю.М. Дослідження фотоелектричних властивостей структур типу КНД// Вiсн. Держ. ун—ту «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотiльної електронiки». — 1998. — № 325. — С. 53–57.
18. Дружинін А.О., Лавитська О.М., Панков Ю.М., Мар’ямоваІ.Й., Ховерко Ю.М. Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ,рекристалізованих лазерним опроміненням // Вiсн. Держ. ун—ту «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотiльної електронiки». — 2000. —№ 393. — С. 7–12.
19. Дружинін А.О., Мар’ямова І.Й., Лавитська О.М.,Кутраков О.П., Панков Ю.М., Ховерко Ю.М. П’єзорезистивні сенсори механічнихвеличин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ-структур //Вісн. Нац. ун—ту «Львівська політехніка» «Електроніка». — 2002. — № 459. — С.75–91.
20. Дружинін А.О., Лавитська О.М., Мар’ямова І.Й., Ховерко Ю.М. Дослідження властивостей шарів полі—Si для створення на їх основі сенсорівпрацездатних при кріогенних температурах // Вісн. Нац. ун—ту «Львівська політехніка» «Електроніка». — 2002. — № 455. — С. 134–141.
21. Патент України № 32784А, 6H01L27/12. Спосібвиготовлення "кремній-на-ізоляторі«— структур / Дружинін А.О., Когут І.Т.,Ховерко Ю.М.; Заявл.10.04.98р; Опубл.15.02.2001 р., бюл № 1. С.4.
22. Патент України № 34721А, 6H01L27/12. Спосібвиготовлення структур кремній-на-ізоляторі / Дружинін А.О., Когут І.Т., ХоверкоЮ.М.; Заявл. 17.06.99р; Опубл. 15.03.2001 р., бюл. № 2. С.4.
23. Budjak Y., Druzhinin A., Pankevich I., Khoverko Y.Improving of temperature stability of polysilicon layer’s parameters by laserrecrystallization // 41. Intern.Wissensch. Kolloquium. 23–26.09.1996.Vortragsreihen. Ban 3.Technische Univ., Ilmenau (Germany). — 1996. — P.678–681.
24. Дружинін А.О., Когут I.Т., Панкевич I.М., Ховерко Ю.М. Структура та властивостi шарiв полiкремнiю на iзолюючих пiдклад-ках,рекристалiзованих лазерним випромінюванням // Труди Українсь-кого ВакуумногоТовариства, Харків (Україна). — 1997. — Т.3. — С. 271–274.
25. Druzhinin A., Maryamova I., Lavitska E. and KhoverkoY. Efof the Laser Recrystallization on the Temperature—DependentCharacteristics of SOI Piezoresistors // Proc. of 5th Nexuspan Workshop«Thermal Aspects in Microsystem Technology», Buda(Hungary ). — 1998. — P.63–65.
26. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Khoverko Y.Modification of the electrical and piezoresistive properties of polysiliconlayers by the laser recrystallization // Труды III Междунар. симпоз. «Вакуумные технологии и оборудование», Харьков (Украина).— 1999. — Т.1. — С. 148–152.
27. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Khoverko Y.Carrier transport in laser—recrystallized polysilicon layers formicroelectronic devices and sensors // Proc. of Intern. Semiconductor Conf.,CAS’99. — Sinaia (Romania). — 1999. — Vol. 1. — P. 327–330.
28. Druzhinin A.A., Lavitska E.N., Maryamova I.I.,Khoverko Y.M. Carrier Transport and Pezoresistance in Laser—RecrystallizedPolysilicon Layers // Proc. of Third Intern. School—Conf. «Physical Problems inMaterial Science of Semiconductors», Chernivtsi (Ukraine). — 1999. — P. 172.
29. Дружинин А.О., Марьямова И.И., Матвиенко С.Н., Ховерко Ю.Н. Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при креогенныхтемпературах для создания сенсора // Труды IV Междун. научно-практ. конф.«Современные информационные и электронные технорлогии». СИЭТ — 2003, Одесса(Украина). — 2003. — C. 265.
30. Druzhinin A., Ostrovskii I., Lavitska E., Liakh N.,Palewski T. Studies of piezoresistance in Si-Ge whiskers at cryogenic temperatures// Proc. SPIE. — 2003. — Vol. 5136. — P. 243–248.
31. Дружинин А.А., Островский И.П., Лях Н.С. Миниатюрныесенсоры температуры на основе нитевидных кристаллов Si-Ge //Термоэлектричество. — 2003. — № 2. — С. 58–63.
32. Буджак Я.С., Дружинин А.А., Островский И.П., Лях Н.С. Термоэлектрические єффекты в нитевидных кристалах германия //Термоэлектричество. — 2003. — № 1. — С. 37–42.
33. Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si // Фізика і хімія твердого тіла. — 2003. — Т. 4,№ 3. — С. 485–490.
34. Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Термометрина основі ниткоподібних кристалів Si-Ge для кріогенного діапазону температур //Вимірювальна техніка і метрологія. — 2003. — № 63. — С. 89–95.
35. Дружинін А.О., Лавитська О.М., Варшава С.С.,Островський І.П., Лях Н.С. Низькотемпературний транспорт носіїв заряду вскладнолегованих ниткоподібних кристалах Si-Ge // Вісн. НУ «Львівська політехніка», «Електроніка». — 2001. — № 423. — C. 76–80.
36. Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С.. Провідністьі магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик// Вісн. НУ «Львівська політехніка», «Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки». — 2002. — № 454. — С. 3–7.
37. Дружинін А.О., Лавитська О.М., Островський І.П., Лях Н.С. Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердихрозчинів Ge-Si // Вісн. НУ «Львівська політехніка», «Електроніка». — 2002. — №455.— С. 126–133.
38. Druzhinin A.O., Ostrovskii I.P., Liakh N.S. Design ofPhotoelectric Convertors on the Basis of Si-Ge Solid Solutions // Вісн. НУ«Львівська політехніка», «Елементи теорії та прилади твердотільноїелектроніки». — 2002. — № 458. — С. 52–55.
39. Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С., МатвієнкоС.М. Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердогорозчину Ge-Si // Вісн. НУ «Львівська політехніка», «Електроніка». — 2003. — №482. — С.105—111.
40. Tsmots V.M., Ostrovskii I.P., Lyach N.S., Druzhinin A.O.Perculiarities of magnetic properties of Si whiskers / /E-MPRS 2002 SpingMeeting. — Strasbourg (France). — 2002. — P. 41.
41. Druzhinin A., Ostrovskij I., Lavitska E., Liakh N., PalewskiT. Studies of piezoresistance in Si-Ge whiskers at cryogenic temperatures //Intern. conference on solid state crystals. —Zakopane (Poland). — 2002. — P.142.
42. Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Магнітоопірниткоподібних кристалів Ge-Si // Матер. ІХ Міжнарод. конференції МКФТТП-ІХ«Фізика і технологія тонких плівок». Том 2. — Івано-Франківськ. — 2003. — С.148–149.
43. Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С., Матвієнко С.М.Термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів Si-Ge // IV Міжнарод. школа-конференція«Актуальні проблеми фізики напівпровідників». — Дрогобич. — 2003. — С. 146.
44. Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Liakh N.S.Magnetoresistance of Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insulatortransition // Book of Abstracts. E-MRS 2003 Fall Meeting. —Warshawa (Poland). —2003. — P.145.
45. Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Термометри на основіниткоподібних кристалів Si-Ge для кріогенного діапазону температур // Тезидоповідей. VIII Міжнародна конференція «Температура-2003». — Львів. — 2003. —С. 92.
46. Дружинин А.А., Островский И.П., Лях Н.С. Нитевидные кристаллы Si-Ge для измерения уровней деформации при низких температурах //Труды 4-ой Международ. науч.-техн. конф. «Микроэлектронные преобразователи иприборы на их основе». —Баку-Сумгаит (Азербайджан). — 2003. — С. 58–59.
47. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh. GexSi1-x whiskers forstrain measurements // Materialy VIII Konferencja Naukowa CzujnikiOptoelektroniczne i Elektroniczne. — Wroclaw (Poland). — 2004. — S. 409–412.
48. Деклараційний патент України № 3531 Спосіб визначеннякоефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів. / Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С., Матвієнко С. М.; Заявл. 06.04.2004р; Опубл.15.11.2004р.,бюл. №11. С.4.
49. Рішення про видачу деклараційного патенту України стосовнозаявки № 20040504001 від 04.11.2004р. Сенсор температури. / Дружинін А.О.,Островський І.П., Лях Н.С., Матвієнко С. М.
50. Аналіз кінетики росту нановіскерів кремнію / А. О. Дружинін,С. І. Нічкало, Ю. Р. Когут, А. М. Вуйцик // Сучасні проблеми фізики конденсованого стану : пр. ІІ Міжнар. конф., 6-9 жовт. 2010 р., Київ / Київ.нац. ун-т ім. Т. Шевченка. — К., 2010. — С. 49-50. -Бібліогр.: 2 назви.
51. Багатофункціональна вимірювальна система на основіниткоподібних кристалів Sii-xGex та КНІ-структур / А. О. Дружинін, Ю. М.Ховерко, Ю. Р. Когут, А. М. Вуйцик // Радіоелектроніка та телекомунікації :[зб. наук. пр.] / відп. ред. Б. А. Мандзій. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів.політехніка», 2010. — С. І52-159. — (Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ;№ 680). — Бібліогр.: 14 назв.
52. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричнихперетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
53. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричнихперетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неор¬ганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
54. Вплив деформації на низькотемпературну провідність легованихНК кремнію, опромінених електронами / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, О. П.Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тезидоп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. /Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб.п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С. 164.
55. Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
56. Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
57. Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- тамагнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна елект¬роніка та мікросистемнітехнології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
58. Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікро-системні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І.Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С. 181.
59. Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. — 2010. — Т. 1(7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
60. Двофункційна багатоканальна система вимірювання деформаціїна основі ниткоподібних кристалів Sh-x-Gex для кріогенних температур / А. М.Вуйцик, Ю. М. Ховерко, А. О. Дружинін // Тринадцята відкрита науково-технічнаконференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010.— С. 20.
61. Детекторы ионизирующих излучений для систем радиационнойбезопасности / С. В. Ленков, Я. И. Лепих, А. А. Дружинин // Сучас. спец.техніка. — 2010. — № 2 (21). -С. 86-99. — Библиогр.: 28 назв.
62. Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібнікристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, О. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор.електроніка і мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. —Бібліогр.: 9 назв.
63. Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібнікристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П. Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є.Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. О : Астропринт,2010. — С. 8-9.
64. Исследование влияния электронного облучения на кремниевыетензорезисторы /A. А. Дружинин, И. И. Марьямова, А. П. Кутраков, Н. С.Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк, И. Г. Ме-гела // Технология и конструирование вэлектрон. аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 26¬29. — Библиогр.: 6 назв.
65. Исследование радиационной стойкости слоев поликремния вкни-структурах при электронном облучении / А. А. Дружинин, И. И. Марьямова, И.Т. Когут, Ю. М. Ховерко // Современные информационные и электронные технологии: тр. Хі Междунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. —Одесса, 2010. — Т. 2. — С. 128. -Библиогр.: 1 назва.
66. Микро- и нанопористые покрытия кремниевых подложек вструктурах солнечных элементов / В. Ю. Ерохов, А. А. Дружинин // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІ Междунар. науч.-практ. конф.,24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — Т. 2. — С. 129.
67. Мікроелектронні датчики нового покоління для інтелектуальнихсистем / Я. І. Лепіх, Ю. О. Гордієнко, С. В. Дзядевич, А. О. Дружинін, А. А.Євтух, С. В. Лєнков, В. Г. Мельник,B. О. Романов // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є.Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — 0. : Астропринт,2010. — С. 17-18.
68. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, I. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертоїміжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.\
69. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2 (28). — C. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
70. Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
71. Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало // Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф.,19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. —Киев, 2010. — С. 438. — Библиогр.: 2 назв.
72. Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко,П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные инфор¬мационные и электронные технологии : тр. ХіМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127.
73. Створення мікроелектронних датчиків нового покоління дляінтелектуальних систем : монографія / Я. І. Лєпіх, Ю. О. Гордієнко, С. В.Дзядевич, А. О. Дружинин, A. А. Євтух, С. В. Лєнков, В. Г. Мельник, В. О.Романов ; Одес. Нац. ун-т ім. І. І. Меч¬никова. — О., 2010. — 296 с.
74. Термосенсорные системы с уравновешиванием теплових потоков /А. А. Дружинин, B. Г. Мельник, М. П. Рубанчук, Я. І. Лепих, С. В. Ленков //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізикинапівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І.Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С. 135.
75. 3D SOI elements for silicon-on-chip applications / I. T.Kogut, A. A. Druzhinin, V. I. Golota // 1st Ukrainian-French seminar«Semiconductor-on-insulator materials, devices and circuits: physics,technology and diagnostics». 6th International semOI workshop «Nanoscaledsemiconductor-on-insulator materials, sensors and deevices» : conf. abstr.,26¬30 Apr., 2010, Kyiv, Ukraine. — Kyiv, 2010. — P. 46-47. — Bibliogr.: 6titles.
76. Investigation of electron irradiation influence onproperties of polycrystalline layers in SOI structures / A. A. Druzhinin, I. T.Kogut, Yu. M. Khoverko // Electronic processes in organic materials : abstr.8th Intern. conf., Synyogora residence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May17-22, 2010 / ed. Ya. A. Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 115-116.
77. One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, ком¬п’ютерної інженерії : матеріали XМіжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2010. — C. 327-328. —Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
78. Polysilicon on insulator structures for sensors applicationat harsh conditions / A. A. Druzhinin, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko // 1stUkrainian-French seminar «Semiconductor-on-insulator materials, devices andcircuits: physics, technology and diagnostics». 6th International semOIworkshop «Nanoscaled semiconductor-on-insulator materials, sensors and deevices»: conf. abstr., 26-30 Apr., 2010, Kyiv, Ukraine. — Kyiv, 2010. — P. 44-45. —Bibliogr.:6 titles.
79. Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.