Відмінності між версіями «Островський Ігор Петрович»
Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
(→Вибраніпублікаці) |
|||
| Рядок 48: | Рядок 48: | ||
=== Біографічна довідка === | === Біографічна довідка === | ||
| − | Народився | + | * Народився 5 червня 1965 року. |
| + | * У 1982 р. закінчив середню школу. | ||
| + | * У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. Івана Франка. | ||
| + | * У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАН України. | ||
| + | * Працює на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрi напівпровідникової електроніки]] з 1994 р. | ||
| + | * У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук. | ||
| + | * У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ «Кристал». | ||
| + | * Викладацьку діяльність розпочав у 1998 році: спочатку асистент, а з 2000 р. – доцент [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]]. | ||
| + | * У 2003 році отримав вчене звання доцента. | ||
| + | * У 2008-2010 рр. навчався в докторантурі [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]]. | ||
| + | * У 2011 році захистив докторську дисертацію. | ||
| + | * З 2011 р. працює на посаді професора [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]]. | ||
| + | * Член Вченої ради [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]]. | ||
| − | + | ===Лекційні курси:=== | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | + | ||
«Наноструктури», | «Наноструктури», | ||
«Квантова та оптоелектроніка». | «Квантова та оптоелектроніка». | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
=== Наукова діяльність === | === Наукова діяльність === | ||
| Рядок 93: | Рядок 79: | ||
====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі==== | ====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі==== | ||
| − | + | * Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первинних перетворювачів фізичних величин. | |
| − | + | * Вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію методом CVD. | |
| − | + | * Термоелектричні та магнетні характерристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин. | |
| − | + | ||
| − | + | ||
==== Наукові інтереси ==== | ==== Наукові інтереси ==== | ||
| Рядок 107: | Рядок 91: | ||
Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію. | Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію. | ||
| − | ==== | + | ==== Вибрані публікаці==== |
| − | Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]] з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :[[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»]],2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви. | + | # Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція [[Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки|Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]] з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :[[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»]],2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви. |
| − | + | # Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви. | |
| − | + | # Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Єрохов]], І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва. | |
| − | Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю. Єрохов]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви. | + | # Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]], В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв. |
| − | + | # Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв. | |
| − | + | # Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]],І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300. | |
| − | Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Єрохов]], І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва. | + | # Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181. |
| − | + | # Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О.Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви. | |
| − | + | # Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], 0. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]] // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв. | |
| − | Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]], В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв. | + | # Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|H. С. Лях-Кагуй]] // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9. |
| − | + | # Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126. | |
| − | + | # Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв. | |
| − | Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв. | + | # Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], 1. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви. |
| − | + | # Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], I. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Новітехнології. — 2010. — № 2 (28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв. | |
| − | + | # Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка»]], 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва). | |
| − | Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]],І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300. | + | # Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. А.Дружинин]], И. П. Островский, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. Н. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. И. Ничкало]] //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв. |
| − | + | # Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]],П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127. | |
| − | + | # One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, ком­п’ютерної інженерії : матеріалиX Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац.ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Львів. політехніки]], 2010. -C. 327-328.— Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ. | |
| − | Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М.Ховерко]], А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181. | + | # Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68. |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О.Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], 0. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|Н. С. Лях-Кагуй]] // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, [[Лях-Кагуй Наталія Степанівна|H. С. Лях-Кагуй]] // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], 1. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /[[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], I. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. І. Нічкало]] // Новітехнології. — 2010. — № 2 (28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка»]], 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва). | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. А.Дружинин]], И. П. Островский, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. Н. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С. И. Ничкало]] //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. П. Островський, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]],П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, ком­п’ютерної інженерії : матеріалиX Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац.ун-т «Львів. політехніка»]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Львів. політехніки]], 2010. -C. 327-328.— Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ. | + | |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68. | + | |
===Контакти=== | ===Контакти=== | ||
| − | ІТРЕ,каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ „Кристал”, тел. 258-26-27 | + | ІТРЕ,каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ „Кристал”, |
| + | |||
| + | тел. 258-26-27 | ||
| − | |||
iostrov@polynet.lviv.ua | iostrov@polynet.lviv.ua | ||
| − | |||
| − | |||
Версія за 20:14, 20 лютого 2015
| Островський Ігор Петрович | |
 д.т.н., професор | |
| Дата народження | 05.06.1965 р |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Alma mater | Львівський державний університет імені Івана Франка. |
| Дата закінчення | 1987 р. |
| Спеціальність | фізика |
| Галузь наукових інтересів | фізика і технологія напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі |
| Кваліфікаційний рівень | фізик |
| Науковий ступінь | доктор технічних наук |
| Дата присвоєння н.с. | 2012р. |
| Вчене звання | професор |
| Дата присвоєння в.з. | 2013р. |
| Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
Островський Ігор Петрович – доктор технічнх наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографічна довідка
- Народився 5 червня 1965 року.
- У 1982 р. закінчив середню школу.
- У 1982-1987 рр. навчався на фізичному факультеті Львівського державного університету ім. Івана Франка.
- У 1993 р. закінчив аспірантуру в Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- Працює на кафедрi напівпровідникової електроніки з 1994 р.
- У 1996 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.
- У 1994-1997 рр. працював науковим співробітником НДЦ «Кристал».
- Викладацьку діяльність розпочав у 1998 році: спочатку асистент, а з 2000 р. – доцент кафедри напівпровідникової електроніки.
- У 2003 році отримав вчене звання доцента.
- У 2008-2010 рр. навчався в докторантурі Національного університету «Львівська політехніка».
- У 2011 році захистив докторську дисертацію.
- З 2011 р. працює на посаді професора кафедри напівпровідникової електроніки.
- Член Вченої ради Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки.
Лекційні курси:
«Наноструктури»,
«Квантова та оптоелектроніка».
Наукова діяльність
Тема кандидатської дисертації
Електрофізичні, структурні і оптичні властивості субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію та твердих розчинів кремній- германій [Текст] : дис... канд.фіз.- мат. наук: 01.04.07 / Островський Ігор Петрович ; НАН України, Ін-тфізики напівпровідників. - К., 1996. - 159 л. - л.: 146-159
Тема докторської дисертації
Структурні особливості та фізичні властивості завпливу зовнішніх полів ниткоподібних кристалів Si1-xGex для сенсорної електроніки : дис ... д-ра техн. наук: 01.04.07 / Ігор Петрович Островський . – Львів : Б.в., 2011.
Основна тематика наукових досліджень на кафедрі
- Ниткоподібні кристали кремнію як модельні об’єкти для створення первинних перетворювачів фізичних величин.
- Вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію методом CVD.
- Термоелектричні та магнетні характерристики ниткоподібних кристалів твердихрозчинів кремній-германію та створення на їх основі сенсорів теплових величин.
Наукові інтереси
Сфера наукових інтересів охоплює фізику і технологію напівпровідникових ниткоподібних кристалів, мікро- і наноелектронних структур та сенсорів на їх основі.
Видавнича діяльність
Опублікував понад 170 публікацій, 10 патентів України, однумонографію.
Вибрані публікаці
- Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський// Тринадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій,радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»,2010. — С. 49. -Бібліогр.: 2 назви.
- Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Хімічні науки. — 2010. —Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
- Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дружинін, В. Єрохов, І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало// Органические и неорганические материалы для молекулярной электроники инанофотоники : тез. докл. междунар. конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас.нац. ун-т им. Б. Хмельницкого. -Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1назва.
- Вплив електронного опримінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / А. О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
- Вплив опромінення у-квантами на властивості ниткоподібнихкристалів Si-Ge / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський, Н. Т. Павловська, В. Ю. Поварчук // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. -С. 89-92. — Бібліогр.: 9 назв.
- Вплив опромінення у-квантами на зміни електро- та магнітоопору ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, А. О. Дружинін,І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць, Ю. В.Павловський, В. Ю. Поварчук // Сенсорна ефект-роніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип.2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.300.
- Вплив протонного опромінення на властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М.Ховерко, А. Я. Карпенко, Н. Т. Павловська, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн.конф., Україна, Одеса, 28 черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУкраїни, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2010. — С.181.
- Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О.Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, В. М.Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електроніка і мікро-систем. технології. —2010. — Т. 1 (7), № 4. — С. 5-8. — Бібліогр.: 4 назви.
- Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, 0. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
- Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, І. П.Островський, О. П. Кутраков, H. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напів&провідників ім.В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. — О. :Астропринт, 2010. — С. 8-9.
- Зміни фізичних параметрів ниткоподібних кристалів SiGe зумовлені радіаційним опроміненням / Н. Т. Павловська, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Ю. В. Павловський, B. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, А. Я. Карпенко, В. Ю. Поварчук // Актуальніпроблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич,Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С.125-126.
- Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si0.95Ge0.05 / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Н. Т.Павловская, Ю. В. Павловский, И. П. Островский // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44, вып. 5. - C. 649-653. — Библиогр.: 13 назв.
- Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, 1. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. —Кременчук, 2010. — С. 137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
- Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію /А. О. Дружинін, I. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Новітехнології. — 2010. — № 2 (28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
- Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердихрозчинів у сенсорній електроніці : [монографія] / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. Р. Когут ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Нац.ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — 200 с. : іл. -Бібліогр.: с. 183-199 (301назва).
- Получение нитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А.Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало //Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия — Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г.,Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438.— Библиогр.: 2 назв.
- Радіаційна стійкість ниткоподібних кристалів Si-Ge длясенсорыв фызичних величин / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко,П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, В. М. Цмоць, В. Ю.Поварчук // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХІМеждунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса,2010. — Т. 2. — С. 127.
- One-dimensional silicon-based crystals for thermoelectrics /A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблемирадіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріалиX Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют. 2010, Львів, Славське, Україна / Нац.ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2010. -C. 327-328.— Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит. арк. англ.
- Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.
Контакти
ІТРЕ,каф. НПЕ, 325к. 3 н.к., НДЦ „Кристал”,
тел. 258-26-27
iostrov@polynet.lviv.ua
