|
|
| Рядок 92: |
Рядок 92: |
| | | | |
| | =====[[Вибрані публікації І.І. Іжніна|Вибрані публікації, патенти, тези конференцій]] ===== | | =====[[Вибрані публікації І.І. Іжніна|Вибрані публікації, патенти, тези конференцій]] ===== |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Аигина Н.Р., Берченко Н.Н.,Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Медведев Ю.В. Сверхрешетки HgTe-CdTe — новыйматериал ИК оптоэлектроники // ЗЭТ. — 1987. — № 11. — С. 3–46.
| |
| − |
| |
| − | Войцеховский А.В., Ижнин И.И.,Кемарский В.А., Кульчицкий Н.А. Приборы ИК оптоэлектроники на основе структурCdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ЗЭТ. — 1991. —№ 12. — С. 3–44.
| |
| − |
| |
| − | Берченко Н.Н., Войцеховский А.В. ИжнинаН.Ю., Ижнин И.И., Ланская О.Г., Лиленко Е.П., Савчин В.П. Катодолюминесценцияанодных оксидов CdxHg1-xTe // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1991. — №5. — С. 107–112.
| |
| − |
| |
| − | Берченко Н.Н., Батенчук М.М., ИжнинИ.И., Савчин В.П., Винникова А.И. Катодолюминесценция анодного оксида теллуридасвинца // ЖТФ. — 1994. — Т. 64, № 3. — С. 184–187.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I.I., Izhnin A.I., KurbanovK.R., Prytuljak B.B. p-to-n ion beam milling conversion in specially dopedCdxHg1-xTe // Proc. SPIE. — 1996. — Vol. 3182. — P. 383–387.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Izhnin I.I., SavchynV.P., Stakhira J.M., Voitsekhovskii A.V. Cathodoluminescence characterizationof a compound semiconductors — native dielectric interface // Material Scienceand Engineering. — 1997. — Vol. B44, N 1. — P. 139–142.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I.I. Temperature stability ofthe IBM formed CdxHg1-xTe p-n structure // Proc. SPIE. — 1998. — Vol. 3890. —P. 519–522.
| |
| − |
| |
| − | Savitsky V., Mansurov L., Fodchuk I.,Izhnin I.I.,Virt I., Lozynska M., Evdokimenko A. Peculiarities of MCT Etchingin RF Mercury Glow Discharge // Proc. SPIE. — 1998. — Vol. 3725. — P. 299–303.
| |
| − |
| |
| − | Іжнін І.І. Легкі дірки в CdxHg1-xTe //Вісник Державного університету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. —2000. — № 397. — С. 121–126.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизмконверсии типа проводимости при бомбардировке кристаллов p-Hg1-xCdxTe ионамималых энергий // Известия ВУЗОВ Сер. Физика. — 2000. — Т. 43, № 8. — С. 16–25.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Власов А.П., ИжнинИ.И. Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком р-CdxHg1-xTeпри ионно-лучевом травлении // Известия ВУЗОВ Сер. Физика. — 2001. — Т. 44, №1. — С. 50-59.
| |
| − |
| |
| − | Берченко М.М., Богобоящий В.В., ІжнінІ.І., Савицький Г.В., Юденков В.О. Модифікація електрофізичних властивостейепітаксійних шарів PbTe в умовах низькоенергетичного бомбардування // ВісникНаціонального університету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. — 2001 — №423. — С. 3–7.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Vlasov A.P. Defect structure rebuilding by ion beam milling of Asand Sb doped p-CdxHg1-xTe // Phys. Stat. Sol. (b). — 2002. — Vol. 229, N 1. —P. 279–282.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Vlasov A.P., Izhnin I.I., Ilyina Yu.S. Type conductivity conversion in As, Sbdoped p-CdxHg1-xTe under ion beam milling // Surface and Coatings Technol. —2002. — Vol.158/159C. — P. 732–736.
| |
| − | 15. Іжнін І.І. Порівняльній аналізпроцесів конверсії типу провідності в p-CdxHg1-xTe // Вісник Національногоуніверситету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. — 2002. — № 455. — С.157–162.
| |
| − |
| |
| − | Берченко М.М., Богобоящий В.В., ВласовА.П., Іжнін І.І., Яковина В.С. Низькотемпературні методи модифікаціївластивостей CdxHg1-xTe та структур на його основі // Вісник Національногоуніверситету «Львівська політехніка» Сер. Електроніка. — 2002. — № 459. — С.18–28.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Yudenkov V.A. Properties of n-layers formed by low energy ion beammilling of chalcogenides epitaxial films // Phys. Stat. Sol. ©. — 2003. — Vol.0, N 3. — P. 872–874.
| |
| − |
| |
| − | Belas E., Bogoboyashchii V.V., GrillR., Izhnin I.I., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Time relaxation of points defectsin p- and n-(HgCd)Te after ion beam milling // J. Electron. Mater. — 2003. —Vol. 32, N 7. — P. 698–702.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Type conductivityconversion in p-CdxHg1-xTe // Opto-Electronics Review. — 2003. — Vol. 11, N 2.— Р. 93–98.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Peculiarities ofconductivity type conversion in p-CdxHg1-xTe under ion beam etching and anodicoxide annealing // Functional Materials. — 2003. — Vol. 10, N 2. — Р. 287–292.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Офизическом смысле огибающей спектров подвижности // Вісник Кременчуцькогодержавного політехнічного університету. — 2003. — № 2.— С. 10–13.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Іжнін І.І., СавицькийГ.В., Юденков В.О. Часова стабільність CdxHg1-xTe p-n структур, сформованихіонно-променевим травленням // Вісник Національного університету «Львівськаполітехніка», сер. Електроніка. — 2003. — № 482. — С. 119–125.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Елизаров А.И., ИжнинИ.И. Локальные механизмы диффузии меди в кристаллах Hg0,8Cd0,2Te // ВісникКременчуцького державного політехнічного університету. — 2003. — № 5. — С.131–137.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизмобразования источника диффузии ртути в р-CdxHg1-xTe при ионно-лучевом травлении// Прикладная физика. — 2003. — № 6. — С. 120–125.
| |
| − |
| |
| − | Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I.Mechanism for creation of the mercury diffusion source at type conductivityconversion in p-Hg1-xCdxTe under ion-beam milling // Proc. SPIE. — 2003. — Vol.5126. — P. 427–433.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Type conductivityconversion in p-CdxHg1-xTe // Proc. SPIE. — 2003. — Vol. 5136. — P. 424–429.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V.,Berchenko N.N., Yudenkov V.A. Mechanisms of conductivity conversion inextrinsically and intrinsically doped p-HgCdTe solid solutions under low energyion beam milling // Journal of Alloys and Compounds. — 2004. — Vol. 371, N 1–2.— P. 122–124.
| |
| − |
| |
| − | Bogoboyashchyy V.V., Dvoretsky S.A.,Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Sizov F.F., Varavin V.S., YudenkovV.A. Properties of MBE CdxHg1-xTe/GaAs structures modified by ion-beam milling// Phys. Stat. Sol. ©. — 2004. — Vol. 1, N 2. — P. 355–359.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Іжнін І.І., СизовФ.Ф., Юденков В.О. Релаксація електричних параметрів структур, сформованихіонним травленням у вузькощилинному CdxHg1-xTe // Доповіді НАН України. — 2004.— № 4. — С. 70–75.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Гаврилюк Ю.М., ИжнинИ.И., Курбанов К.Р. Влияние технологических особенностей получения р-CdxHg1-xTeна процессы релаксации p-n структур, созданных ионным травлением // Новітехнології. — 2004. — № 1–2. — С. 143–147.
| |
| − |
| |
| − | Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V.,Izhnin I.I., Pociask M., Sheregii E.M., Yudenkov V.A. Influence of the lowenergy ion beam milling on the electrical properties of InSb // Phys. Stat.Sol. ©. — 2005. — Vol. 2, N 4. — P. 1418–1422.
| |
| − |
| |
| − | Богобоящий В.В., Ижнин И.И., КурбановК.Р. Конверсия типа проводимости в легированных примесями I группымонокристаллах CdxHg1-xTe при ионном травлении // Прикладная физика. — 2005. —№ 2.— С. 48–53.
| |
| − |
| |
| − | Bogoboyashchyy V.V., Elizarov A.I.,Izhnin I.I. Conversion of conductivity type in Cu-doped Hg0.8Cd0.2Te crystalsunder ion beam milling // Semicond. Sci. Technol. — 2005. — Vol. 20, N 8. — P.726–732.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V.,Kurbanov K.R., Mynbaev K.D., Rjabikov V.M. Effect of internal electrical fieldon compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg1-xTe //Semicond. Phys., Quantum Electronics and Optoelectronics. — 2005. — Vol. 8, N1. — Р. 52–58.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., SizovF.F. Electrical characteristics relaxation of ion milled MCT layers // Proc.SPIE. — 2005. — Vol. 5881. — P. 5881OU-1—5881OU11.
| |
| − |
| |
| − | Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I.,Mynbaev K.D. The nature of compositional dependence of p-n junction depth inion-milled p-CdxHg1-xTe // Semicond. Sci. Technol. — 2006.— Vol. 21, N 2. — P.116–123.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I., Bogoboyashchyy V., KotkovA., Moiseev A., Grishnova N. Type conductivity conversion in MOCVDCdxHg1-xTe/GaAs hetero-structures under ion milling // Proc. SPIE. — 2005. —Vol. 5957. — P. 595716-1 — 595716-7.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., SizovF.F. Regularities of the CdxHg1-xTe p-n junction formation // Proc. SPIE. —2005. — Vol. 5957. — P. 595713-1 — 595713-12.
| |
| − |
| |
| − | Izhnin I., Korbutyak D., Pociask M.,Savchyn V. Luminescence investigation of ion milled CdTe // Phys. Stat. Sol. ©.— 2006. — Vol. 3, N 4, P. 1063–1065.
| |
| − |
| |
| − | Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I.,Mynbaev K.D., Pociask M, Vlasov A.P. Relaxation of electrical properties ofn-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-groupacceptors // Semicond. Sci. Technol. — 2006.— Vol. 21, N 8. — P. 1144–1149.
| |
| − |
| |
| − | Пат. 54476 Україна, МКП Н01L31/0296.Спосіб виготовлення фотодіодів на основі CdxHg1-xTe : Пат. 54476 Україна, МКПН01L31/0296/ В.В.Богобоящий, І.І.Іжнін, К.Р.Курбанов (Україна); НВП «Карат». —№ 99063577; Заявл. 24.06.99; Опубл. 17.03.03, Бюл. № 3. — 3 с.
| |
| − |
| |
| − | Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I. p- ton-type conductivity conversion mechanism in p- CdxHg1-xTe under ion-beammilling // Proc. 9-th International Conf. on Narrow Gap Semicond. — Berlin:Humboldt University of Berlin. — 1999. — P. 30–32.
| |
| − |
| |
| − | Бончик О.Ю., Іжнін І.І., Кияк С.Г.,Савицький Г.В., Притуляк Б.Б., Юденков В.О. Автоматизований комплекс длядослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових матеріалів //Збірник наукових праць Фізико-механічного інституту ім. Г.В.Карпенка НАНУкраїни, Сер. «Фізичні методи та засоби контролю середовищ, матеріалів тавиробів», Вип. 7 «Неруйнівний контроль конструційних та функціональнихматеріалів». — Львів. — 2002. — С. 235–240.
| |
| − |
| |
| − | Belas E., Bogoboyashchii V.V., GrillR., Izhnin I.I., Yudenkov V.A. Time relaxation of points defects in p- andn-(HgCd)Te after ion beam milling // Extended Abstracts «The 2002 U.S. Workshopon the Physics and Chemistry of II-VI Materials». — San Diego. — 2002. — P.191–194.
| |
| − |
| |
| − | Савчин Володимир Павлович, Іжнін ІгорІванович, Ваків Микола Михайлович Напівпровідниковафотоелектроніка. — Львів : ЛНУ ім. І.Франка , 2010 . — 728 C
| |
| − |
| |
| − | Arsenic incorporation in MBE-grownHgCdTe studied with the use of ion milling / I. I. Izhnin, S. A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sidorov, V. S. Varavin, R. Jakiela, M.Pociask, G. Savitsky // Physica Status Solidi ©. — 2010. — Vol. 7, № 6. -P.1612-1614.
| |
| − |
| |
| − | Blue-shift in fotoluminescence ofion-milled HgCdTe films and relaxation of defects induced by the milling / M.Posiask, I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, Yu. G.Sidorov, V. S. Varavin // Thin Solid Films. — 2010. — Vol. 518, iss. 14. -P.3879-3881.
| |
| − |
| |
| − | Comparison of electrical properties ofHgCdTe subsurface layers formed by low energy ion beam milling or anodicoxidation / N. Berchenko, I. Izhnin, V. Yudenkov, M. Pociask, V. Yakovyna //Surface and Interface Analysis. — 2010. — Vol. 42, iss. 6/7. — P. 902-905.-Bibliogr.: 14 titles.
| |
| − |
| |
| − | Ion milling-assisted study of defectstructure of HgCdTe films grown by liquid phase epitaxy / I. I. Izhnin, I. A.Denisov, N. A. Smirnova, M. Pociask, K. D. Mynbaev // Opto¬Electronics Rev. —2010. — Vol. 18, № 3. — P. 328-331. — Bibliogr.: 10 titles.
| |
| − |
| |
| − | Ion milling-induced conductivity-typeconversion in p-type HgCdTe MBE-grown films with graded-gap surface layers / M.Pociask, I. I. Izhnin, S. A. Dvoretsky, Yu. G. Sidorov, V. S. Varavin, N. N.Mikhailov, N. H. Talipov, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii // Semicon¬ductorScience and Technology. — 2010. — Vol. 25, № 6. — [5 p.].
| |
| | | | |
| | ===Контакти=== | | ===Контакти=== |
Народився 8 листопада 1948 року.
У 1967 р. закінчив Львівський технікум радіоелектроніки.
У 1974 р. закінчив фізичний факультет Львівського державного університету імені Івана Франка.
У 1983 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.
У 1991 р. отримав наукове звання старший науковий співробітник.
У 2007 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук.
З 1977 до 1987 працював у Львівському державному університеті (молодший,старший науковий співробітник).
1987 р. по даний час працює у Науково-виробничому підприємстві «Карат», м. Львів (старший науковий співробітник, начальник сектору, заст. начальника відділу).
Модифікація властивостей вузькощілинних твердих розчинівCdxHg1-xTe при іонному травленні [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10/ Іжнін Ігор Іванович ; Науково-виробниче підприємство «Карат». - Л., 2006. -357 арк. - арк. 305-344
Науковий керівник: член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор Сизов Федір Федорович, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України (м. Київ)
Сфера наукових інтересів – фізика вузькощілинних напівпровідників CdHgTe та приладів на їх базі, низько розмірні структури набазі CdHgTe, модифікація властивостей CdHgTe іонним травленням.
Опублікував понад 180 наукових праць.
ІТРЕ, каф. НПЕ, к.314-а 3 н.к., тел.258-26-96,
м. Львів, вул. Стрийська, 202, НВПКарат; Тел.: (032) 2631065
