Відмінності між версіями «Вибрані публікації Кособуцький П.С.»

Версія за 01:09, 14 червня 2014

Співавтор 4 навчальних посібників, 2 методичних посібників,2 монографій. Започаткував видавничу серію навчальних посібників та монографій«Прикладна і комп’ютерна фізика».

Статті та тези

2013

Kosoboutskyy P., Karkulovska M. The regularities of multibeamacoustic waves interference in MEMS cavity-type structures without shearstress. Analysis by the envelope method. // Комп’ютерні системи проектування.Теорія і практика: [зб. наук. пр.] відп. ред. М.В. Лобур.-Л.: Вид-во Львівської політехніки, 2012. — С.117-124.- Вісник Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 747.

Kosobutsky P.S., Karkulovska M.S. Extrema Envelope Function Multibeam Interference Fabry-Perot. Part I. Properties and Applied Aspects for Plane-Parallel Single-Layer Systems. Science / Радіоелектроніка таінформатика-2012, No.4 59, — C.90-94.

Kosobutskyy P., Hanas Yu. Application of envelope functionmethod for multibeam interference extremums to the ellipsometry electromagneticwaves by single-layered coatings. // Комп’ютерні системи проектування. Теорія іпрактика: [зб. наук. пр.] відп. ред. М.В. Лобур.-Л.: Вид-во Львівської політехніки, 2012. — С.83-86. — Вісник Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 747.

Kosobutskyy Petro, Hanas Yuri. Research and Analysis Model Trajectory of Photons in Biological Environments Using Monte-Carlo Method //Перспективні технології і методи проектування МЕМС: матеріали дев’ятої міжнар.конф. MEMSTECH 2013, 16-20 квітня 2013, Поляна, Україна Нац. ун-т «Львів.політехніка». — Л.: Вежа і Ко, 2013. — C.119-122.

Kosobutskyy Petro, Karkulovska Mar’yana. Acoustic Method of Control of Parameters of Plane-parallel Surfaces of MEMS Elements //Перспективні технології і методи проектування МЕМС: матеріали дев’ятої міжнар.конф. MEMSTECH 2013, 16-20 квітня 2013, Поляна, Україна Нац. ун-т «Львів.політехніка». — Л.: Вежа і Ко, 2013. — C.50-55.

Mykhajlo Lobur, Petro Kosobutskyy, Andrzej Napieralski,Lyubomyr Monastyrski. Sensors on the basis of porsi for MEMS / // САПР в машинобудуванні: матеріали двадцять першої міжнар. конф. CADMD2013, 11-12жовтня 2013, Ланцут, Польща / В.: Видавництво Варшавської політехніки, 2013. —C.27-28.

Petro Kosobutskyy, Yuriy Hanas. Mathcad — algorithm formodeling spectral patterns of transmission of electromagnetic waves foot flatparallel layers of random fluctuations of indicators refracted // Досвід розробка і застосування САПР в мікроелектроніці: матеріали тринадцятої міжнар.конф. CADSM 2013, 19-23 лютого 2013, Поляна, Україна Нац. ун-т «Львів.політехніка». — Л.: Вежа і Ко, 2013. — C.443-444.

Bohdan Dupak, Mykhajlo Lobur, Roman Ivantsiv, PetroKosobutskyy. Analysis of the distorting effects of atomic force microscopy / //САПР в машинобудуванні: матеріали двадцять першої міжнар. конф. CADMD2013,11-12 жовтня 2013, Ланцут, Польща / В.: Видавництво Варшавської політехніки,2013. — C.11-12.

2012

Hanas Yuriy Yuriyovich, Kosobutskyy Peter Sidorovic.Reducing the impedance contrast border sections — a method of determining theparameters of layered structures of optical MEMS. Proceeding of the VIII-th International Conference MEMSTECH’2012 «Perspective Technologies and Methods in MEMS Design»,18-21 April 2012, Polyana-Svalyava (Zakarpattya), Ukraine.-Pp. 117-119.

Petro Kosobutskyy, Mykhaylo Lobur, Bohdan Dupak. AlgorithmApplication Operator Method for the Modeling of One-Dimensional Motion Cantilever of Mechanical Type. Proceeding of the VIII-th International Conference MEMSTECH’2012 «Perspective Technologies and Methods in MEMS Design»,18-21 April 2012, Polyana-Svalyava (Zakarpattya), Ukraine.-Pp. 215-217.

Petro Kosobutskyy. Planning and Generating Trajectory for 5D oF Serial. Link MCM Machine. Proceedings of the XX Ukrainian-Polish Conference CAD in Machinery Design — Implementation and Educational Issues. 11 — 13October 2012 Lviv, Ukraine.-Pp. 35..

Petro Kosobuckiy, Yuriy Khanas. Simulation of theStatistical Distribution Parameters Reflective Coatings Elements Single-LayeredMEMS Synthesis Methods Fresnel and Monte-Carlo. Proc. of the VII-th Intern.Conf. of Computer Science & Information Technologies 2012 (CSIT’2012). —Lviv: Publishing House Vezha&Co. 2012. — Pp. 57-59.

Petro Kosobutskyy, Yuriy Hanas. Applications of extremaenvelope spectra of Fabry-Perot layers for control parameter. 9th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (NN12), July 3-6, 2012,Thessaloniki, Greece. Pp. 8.

Petro Kosobutskyy, Yuriy Hanas. The principle of creatinginterferometric sensors. 2012 Fall Meeting Symposium — Warsaw, Poland. P. 15.

2011

Kosobutskyy P.S., Bilyj J. M. , Kushnir O. P. Optical beatingas a definitive factor for modulation of envelopes of Fabry-Perot interferencecontour for plane waves in multilayer structure. Ukr.Jour.Phys.Optics, 2(No2).-Lviv. 2011.- Pp.89-100.

P. Kosobutskyy, M. Karkulovska, A. Morgulis. The principleof multilayer plane-parallel structure antireflection. Optica Applicata(Poland) XL (4), 2010, Pp. 759-765.

Навчальні посібники

Збірник задач з фізики. Частина 1. Механіка. Молекулярна фізика і термодинаміка. Львів: В-во ЛПІ,1993, 100 с.

Кособуцький П.С, Сегеда М.С. Комплексні змінні в задачах фізики. Львів: ДУЛП. — 2000. — 192 с.

Кособуцький П.С. та інш. Фізичні основи напівпровідників та електронних структур. Навчальний посібник. Львів: ДУ "ЛП",2001.-345 с.

Кособуцький П.C. та інш. Моделювання фізичних процесів укристалах. Навчальний посібник. Львів: ДУ"ЛП",2002.- 345 с.

Кособуцький П.С., Каркульовська М.С., Сегеда М.С. Фізичніоснови моделювання хвильових електромагнітних процесів в оптиці. — Львів: НУ "ЛП". — 2003. — 207с.

Кособуцький П.С., Лобур М.В. Моделювання коливань простих систем.. Серія Прикладна, комп’ютерна фізика. — Львів: НУ "ЛП". — 2003. — 221с.

Кособуцький П.С., Романишин Б.М. Тести з фізики. Методичний посібник. Львів, В-во:ДУ "ЛП",1999.- 85 с.

Кособуцький П.С. та інші. Фізика в питаннях та відповідях.Методичний посібник. Львів: В-во Військового інституту при ДУ "ЛП", 1999.- 105 с.

Монографії

Кособуцький П.С. Метод обвідних в інтерферометрії Фабрі-Перо. Підготовлено до видання

М.Лобур. Моделювання коливних процесів простих систем.Монографія. Львів: НУЛП, 2003. — 220 с.

П. Кособуцький, М.Каркульовська, М.Сегеда. Фізичні основи моделювання хвильових електромагнітнизх процесів в оптиці. Монографія. Львів:НУЛП, 2003. — 207 с.

Методичні розробки

Кособуцький П.С. Романюк М.М., Каркульовська М.С. Основні математичні методи в курсі загальної фізики. Методична розробка. Львів: В-во ДУ "ЛП", 2008.- 39 с.

Кособуцький П.С., О.С.Гаркавенко, М.С.Каркульовська.Магнітооптичні явища у напівпровідниках. Методична розробка. Сила інтелекту в лабораторіях учених, 2009, 43 с.

Кособуцький П.С. Невідкладна допомога з фізики. Письмова консультація на шпальтах газети Аудиторія

Кособуцький П.С., Білий Я.М. Визначення ширини забороненої зони і типу оптичних переходів напівпровідникових матеріалів. Інструкція до л.р.Львів. В-во НУ "ЛП". 2002.-С.9.

Кособуцький П.С., Франів О., Лобойко В. Визначення моментуінерції маятника Максвелла. Інструкція до л.р .Львів. В-во НУ "Л2001. -С.8.

Кособуцький П.С., Франів О.В. Лабораторний практикум зфізики. Ч.1. Інструкція до л.р . Львів. С.69-74, В-во ДУ "ЛП". 2002. 183 с.

Кособуцький П.С., Скульський М., Рудковськи Є. Вимірювання потужності і екс позиційної дози природного гама-фону. Інструкція до л.р.Львів. В-во ДУ "ЛП".1999. -С.9.

Кособуцький П.С., Романишин Б. Тести з фізики. Методичний посібник.Львів, В-во:ДУ "ЛП",1999.- 85

Кособуцький П.С., Катеринчук Б., Колодій Р. Фізика впитаннях та відповідях. Методичний посібник. Львів: В-во ВI при ДУ "ЛП", 1999.- 105 с.

Кособуцький П.С., Когут О., Лосик М., Харамбура С., ЯцківО.О. Дифракція світла на двовимірних періодичних структурах. В-во кафедри фізики ДУ "ЛП", 1998 —8с.

Кособуцький П.С., Андрейко А., Багатопроменева інтерференція світла в плоскопаралельній пластині. Методична розробка. Львів: В-во ДУ "ЛП«, 1997.- 15 с.

Кособуцький П.С., Мороз Є. Вивчення оптичного повертання площини поляризації. Інструкція до л.р. Львів. В-во ЛПІ. 1990. -С.7.

Кособуцький П.С. Вивчення голографічної решітки. Інструкція до л.р.Львів. В-во ЛПІ. 1990. -С.6

Наукові статті в наукових виданнях, що входить до міжнародних науково метричних баз даних (SCOPUS, Webometries Master Journal List)

Kosobutskyy P.S., Bilyj J. M, Kushnir O. P. Optical beatingas a definitive factor for modulation of envelopes of Fabry-Perot interferencecontour for plane waves in multilayer structure. Ukr.Jour.Pphys.Optics, 2(No2), 2011, pp.89-100

Kosobutskyy P.S., M.Karkulovska A.Morgulis. The principle ofmultilayer plane-parallel structure antireflection. Optica Applicata XL (4),2010,pp.759-765.

Kosobutskyy P.S., Kushnir O.P. Envelopes of opticalinterference spectra for duplex and triplex layered structures. UkrainianJournal of Physical Optic, 2008,V.9,№ 2, p.73-81.

Kosobutskyy P.S. Analitycal envelope functions of theFabry-Perot spectra of multilayer structures. Technical Physics Letters.-2008.-Vol.34.-P.444-445.

Кособуцкий П.С. Определение параметров однослойных структурпо методу анализа огибающих спектров Фабри-Перо Оптический журнал. 2006.-T.73.- № 12. — С. 73-76.

Kosobutskyy P.S. Inversion on a nonmonotonic polarizationalangular dependence of light reflecting of coefficient from a thin on anabsorpbing substrate. J. of Appl.Spectr. 2005.V.72. No2. 277-280.

Кособуцкий П.С. Моргулис А. Оценка дисперсии коэффициентапоглощения в области резонансных переходов по спектрам отражения в интерферометреФабри-Перо. J. of Appl.Spectr. 2005.V.71.No5. 656-660.

Кособуцкий П.С., Моргулис А. Моделирование спектроскопии отражения и пропускания света однослойными интерферометрами Фабри-Перо методом огибающих. Оптический журнал.2004.-T.71.-№ 12.-С.63-68.

Kosobutskyy P.S., Morgulis A., Karkulewska M., Danilov A.B.Spike in Spectra of Light Reflection by Crystals as a Criterion of SpatialDispersion Appreance in Exciton Optical Properties. Ukrainan Journal ofPhysycal Optics. — 2004. — Vol. 5, № 3. — P. 100-103.

Кособуцкий П.С., Моргулис А. Оценка дисперсии коэффициента поглощения в области резонансных переходов по спектрам отражения в интерференции Фабри-Перо. Журнал прикладной спектроскопии. — 2004. — Т. 71, №5. — С. 672-675.

Кособуцкий П.С., Моргулис А. Моделирование спектров отражения и пропускания света однослойными интерферометрами Фабри-Перо методом огибающих. Оптический журнал. — 2004. — Т. 71, № 12. — С. 63-68

Кособуцкий П.С., Кособуцкий Я.П., Каркулёвская М.С. Ширина,четкость и видность резонансов отражения и пропускания света свободными однослойными интерферометрами Фабри-Перо . Оптика и спектроскопия. 2003.94.Вып.1.С.77-80.

Кособуцкий П.С., Каркулёвская М., Кособуцкий Я. О фазово —амплитудной корреляции в спектрах отражения электромагнитных волн интерферометрами Фабри — Перо. Оптика и спектроскопия.2003. 94. Вып.3. С.494-496 .

Kosobutskyy P.S., Karkulovska M., Kosobutskyy Ya. Comment onthe paper «Method for measuring the cell gap in liquid-crystal displays» Opt.Eng. — 2003. — Vol. 42, № 8. — P. 2465-2466.

Kosobutskyy P.S., Karkulovska M., Kosobutskyy Ya. Onphase-amplitude correlation in the reflection spectra of Fabry-Perotinterferometers. Optics and Spectroscopy. 2003. — Vol. 94, No 3. — P. 479-481.

Kosobutskyy P.S., Karkulovska M., Kosobutskyy Ya. Bandwidth,Sharpness, and Visibility of Resonances in light reflectance and transmittanceof free monolayer Fabry-Perot iterferometers. Optics and Spectroscopy. 2003. —Vol. 94, No 1. — P. 77-80.

Kosobutskyy P.S. Amplitude-phase spectroscopy of resonantreflection of light by crystals with a Fabry-perot interferometer at thesuface. Low Temperature Physics. — 1999. — Vol. 25, No 10. — P. 818 — 822.

Kosobutskyy P.S. Амплитудно-фазовая спектроскопия отражения света кристаллами резонаторами Фабри-Перо на поверхности. ФНТ, 1999,25,в.10,1092 — 1098.

Kosobutskyy P.S. Effect of Parameters of the Spacing and Resonant Excitation on the Energy Position. Optica and Spektroskopia, 87 (1)1998, 420 — 421 .

Kosobutskyy P.S., Prokoptchuk O.,Kityk I.,Lizon J.,KasperchikJ. Observation of high temperature spikes in exciton reflection spectra of CdSesingle crystals. Functional Materials, 1996,vol.3,1.-P.74-76

Kosobutskyy P.S., Kityk I., Bilyi Ja.. Some features ofexiton reasonic in ZnSe crystal. Appl.Semicond.1996, Vol.16, No3, P.122-126

Kosobutskyy P.S. Resonant Light Reflection from SingleQuantum Well Heterostructures. Low Phys.Temp. 1996 , 22,4,P.258-259

Кособуцкий П.С., Прокопчук А.Л. О наблюдении высокотемпературного «спайка» в экситонных спектрах отражения СdSe. Физика низких температур, т. 22, № 1, с. 104 −106 (1996).

Kosobutskyy P.S., Kijak B.,Bibikov R. Investigation of thethermochemical reaction in ZnSe crystals from action by infrared light.Radiation Effectrs and Defects in Solids. 1995,vol.137.-P.39-43

Kosobutskyy P.S., Vodolazskiy P. Investigation films ZnSegrown at GGG,IYG. Radiation Effectrs and Defects in Solids.1995,vol.137.-P.35-38.

Kosobutskyy P.S., Shevel S.G., Brodin M.S. Non classicalexcitonic reflection spectra of mixed single crystal. PSS(b),1981.-Vol.103,K.47-K.50

Кособуцкий П.С., Бродин М., Шевель С.Г. О температурной зависимости неклассических экситонных спектров отражения ZnSe. ФТТ,1979,т.22,11, С.2510-2513

Наукові статті в інших журналах

П.С. Кособуцький, О. П. Кушнір. Закономірності похилого відбивання світла плівкою, зумовлені багатопроменевою інтерференцією. Журнал фізичних досліджень, 2008, Т.12, № 1, 1701_1-1701_5.

П.С. Кособуцький, О. П. Кушнір, А. Моргуліс. Закономірності прояву псевдобрюстерівської кутової умови в еліпсометричних спектрах одноплівкових структур сталої товщини. Фізика і хімія твердого тіла, 2008, 9, №1, с.193-197.

П.С. Кособуцький, О. П. Кушнір, А. Моргуліс. Обвідні спектрів багатопроменевої інтерференції плоскопаралельних структур:обґрунтування та основні закономірності. УФЖ, 2008, Т.53, № 9, с.858-862.

П.С. Кособуцький, О.П. Кушнір. Закономірності прояву брюстерівської і псевдобрюстерівської кутових умов в спектрах відбивання світлатонким прозорим шаром. УФЖ .-2007.- 52.-№ 3, c.226-229.

П.С. Кособуцький, Б.К. Остафійчук, А. Моргу ліс, О.П.Кушнір. Прикладні аспекти спектроскопії поверхневих плівок методом обвідних інтерферограм Фабрі-Перо. Фізика і хімія твердого тіла.-2007.-8.-№ 1, с.56-66.

П.С. Кособуцький, А. Моргуліс, А. Данилов, М. Каркульовська.Моделювання кутових закономірностей спектрів відбиття світла тришаровими структурами з резонатором Фабрі-Перо. Український фізичний журнал. − 2005. — Т.50. — С. 551-555.

Кособуцький П., Моргуліс А. Моделювання методом обвідних амплітудно-фазових спектрів інтерференції Фабрі-Перо в області резонансної дисперсії функції діелектричної проникності. УФЖ. 2005.-T.50.- № 3.-С.230-233.

Кособуцький П., Моргуліс А. Моделювання методом обвіднихамплітудно-фазових спектрів Фабрі-Перо тришарових прозорих структур при нормальному падінні променя. УФЖ . 2004 — T.49. — № 12. — С.1163-1169

P. Kosobutskyy, A.Morgulis. Simulation of three-layertransparent structures by the method of enveloping amplitude-phase Fabry-Perotspectra upon the normal incidence of light. Ukr.J.Phys.2004.V.49.No12.1163-1166

П.С. Кособуцький, Білий Я.М., Кособуцький Я.П.,Каркульовська М.С. Моделювання апаратних характеристик резонансів Фабрі-Перо у спектрах відбиття і пропускання світла тонкими плівками. Вісник НУ "ЛП«.-2002. — № 454. — С.42-47.

Кособуцький П.C., Прокопчук О.Л. Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням.Вісник НУ «Львівська Політехніка » № 454 , с. 71 (2002).

Kosobutskyy P., Lobur M. Method of parameter control ofdielectric layer phase thickness on Si crystal surface. Вісник НУ"ЛП", 2001, № 415, С.71 — 74.

Кособуцький П., Данилов А., Прохоренко С., Стахіра П.Акустична емісія в кристалах GaAs при неперервній лазерній дії. Фізичний збірник НТШ, т.4, 2001, 331 — 335

Кособуцький П., Данилов А., Прокопчук О. Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером. Вісник НУ"ЛП". 2000, № 397, С.66 —70.

Кособуцький П., Данилов А., Прокопчук О. Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів GaAs i CdTe, опромінених імпульсним лазером ІЧдіапазоу. Вісн.ДУ"ЛП",2000, № 393, 44-49.

Кособуцький П., Білінський Ю., Захар’яш О., Лахоцький Т.Оптико — механічні властивості селеніду цинку. Вісн.ДУ"ЛП",2000, №427, 121-125.

Кособуцький П.C., Прокопчук О.Л. Локалізація екстремумів екситонного відбивання світла надграткою з поодинокою квантовою ямою. УФЖ,т.41, № 4, с. 419-421 (1996).

Кособуцький П.C. Роль безекситонного шару і загасання у формування амплітудно-фазових спектрів екситонного відбивання ZnSe.УФЖ.1996.-T.41.-№ 4.-С.414 — 418.

Кособуцький П.C. Вплив просторової дисперсії на енергетичне положення мінімуму в екситонних спектрах відбивання. УФЖ,1995.-T.40.-№ 4.-С.309— 311.

Кособуцкий П.C., Гаркавенко А.С., Мокрицкий В.А. Формирование омических контактов на поверхности полупроводниковых соединений. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1993, № 2, С.40-41

Кособуцкий П.C., Марчук Н.Д., Водолазский П.В., Гончар В.В.Использование лазерной технологи в обработке кристаллов. ЭТ,1991,сер.7, В,3,С.44-49.

П.C. Кособуцкий, Я.В.Бурак. Пространственно-периодические осцилляции интенсивности рассения света в кристаллах. УФЖ,1988.-т.33, №3.-С.533-540

П.C. Кособуцкий. Анализ условий возникновения добавочного минимума в области продольно-поперечного расщепления в экситонных спектрахотражения. УФЖ.1983. -T.28.- С.1090-1091.

П.C. Кособуцкий, М.С.Бродин, М.Г.Мацко. Свойства екситон-поляритонной люминесценции, комбинационного рассеяния света прирезонансном и зона-ззонном возбуждении кристаллов. УФЖ,1980.-т.25, №7.-С.1220-1222

П.C. Кособуцкий, Д.Б.Гоер, С.Г.Шевель. Аномалии в спектрах экситонного отражения смешанных кристалов. УФЖ,1980.-т.25, № 6.-С.1041-1042

П.C. Кособуцкий, Д.Б.Гоер. Особенности електрон-фононного взаимодействия в кубических монокристалах. УФЖ,1979.-т.24, № 11.-С.1762-1764

П.C. Кособуцкий. Особенности спектров экситонного излучения монокристаллов ZnSe. УФЖ,1979.-т.22б№ 6.-С.980-984

Кособуцкий П.C., Бродин М.С., Королько Б., Лысенко С.Ф.Влияние облучения электронами на экситонную люминесценцию монокристаллов ZnSe.УФЖ,1976.-т.21.7.-С.1085-1087

Конференції

P. Kosobutskyy, O. Kushnir. Simulation of ParameterFabry-Perot Resonator by envelope functions of Multi-beam SpectraInterferention. Proceedings of 8th IC on LFONM// Kharkiv, 2006, 29 June-01 JulyKNU- p.247.

Kosobutskyy P., Morgulis A. Fabry-Perot interferometry oflight by layer in the resonant region. V International School-Conferencesemiconductors Physics Urgent Problems. Drogobych, Ukraine June 27-30 2005.-P.100

Кособуцкий П.С., Каркулевская М.С.. Приборные возможности амплитудно-фазовой оптической спектроскопии плоских резонаторных структур.Седьмая МНТК"ОМИС" 24-27 июня 2003, Москва. Труды конференции. —2003. — С. 488 — 491.

Kosobutskyy P.S., Karkulovska M.S., Osypyshyn L.I.Processing the algorithm of experimental spectrograms of light reflected bythin films in polariton region of spectrum. IV МШК «АПФН» Дрогобич, 24-27червня 2003 року. С. 153.

Kosobutskyy P., Lobur M. Laser oxidation of surface and vethodof parameter control. Proceeding of the 8th IC MIXED DESING of IС and SYSTEMS.Zakopane,Poland. 2001,P.431

P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, O. Zahar’yash. In situ studyof heat parameters for CdTe and HgCdTe during melt — crystallization process.E-MRS 2001 Spring Meeting Strasbourg (France) June 5-8, 2001.

P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk. Simulation of heat flow andstructural surface modification in CdTe treated by IR laser pulses. Proceedingsof LASE 2001, San Jose, California USA, 20-26 January, 2001.

P. Kosobutskyy, A. Danylov, V. Pryyma, T. Slusarchik, et.al.Laser oxidation and parameter control of semiconductor crystal surfaces.Proceedings of 75 ACS Colloid and Surface Science Simposium, Pittsburgh, USA,10-13 June 2001.

P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, O. Zahar’yash. In situ studyof heat parameters for CdTe and HgCdTe during melt — crystallization process.E-MRS 2001 SMS Strasbourg , June 5-8, 2001.

P. Kosobutskyy, A. Danylov, V. Pryyma, T. Slusarchik, et.al.Laser oxidation and parameter control of semiconductor crystal surfaces.Proceedings of 75 ACS Simposium, Pittsburgh, USA, 10-13 June 2001.

P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, O. Zahar’yash. In situ studyof heat parameters for CdTe and HgCdTe during melt — crystallization process.E-MRS 2001 SMS Strasbourg (France) June 5-8, 2001

P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk, Simulation of heat flow andstructural surface modification in CdTe treated by IR laser pulses. Proceedingsof LASE 2001, San Jose, California USA, 20-26 Jan., 2001.

P. Kosobutskyy, T. Slusarchik, Study of Te film adhesion atZnSe crystal surface. 2000 MRS SMS J: Laser-Solid Interactions .MaterialsProcessing , San Francisco.

Кособуцький П.,С., Данилов A.Б., Прокопчук О.Л.Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів CdTe i GaAs, опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону. Вісник ДУ «ЛП» т. 393, с. 44-49, 2000.

Кособуцький П.С., Данилов A.Б., Прокопчук О.Л. Розрахунокпрофілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхнінапівпровідникових кристалів, опромінених лазером. Вісник ДУ «ЛП», т. 397, с.66-70, 2000.

P. Kosobutskyy, A. Danylov, O. Prokopchuk. Laser oxidationof wide bandgap semiconductors by continious IR laser light. Proceedings of10th IC on Solid Surfaces, Birmingham, 31 Aug. — 4 Sept. 1998

P. Kosobutskyy, O. Prokopchuk. ATR-spectra calculations withsurface polaritons, Proceedings of 15th GCCMD, Baveno-Stresa, Italy, April22-25,1996 (163).

P. Kosobutskyy, Laser light produced microstructures at theZnSe crystal surface. Proceeding IS Heterostructures in Science and Technology.Wurzburg,Germany,13-17 March,1995.- P.89

Авторські свідоцтва

Кособуцький П.С., Кушнір О.П. Спосіб визначення показника загасання світла в плівці плоскопаралельної одноплівкової структури. Патент накорисну модель № 26018 Україна, G01N21/00. u 200705526.

Кособуцький П.С., Кушнір О.П. Спосіб визначення кута Брюстера для верхньої межі поділу багатошарової плоскопаралельної структури.Патент на корисну модель № 24663 Україна, G01N21/00. № u200701914

Кособуцький П.С., Каркульовська М.С., Кособуцький Я.П.,Моргуліс А.М. Спосіб визначення спектра фази плоскої світлової хвилі, відбитої плоскопаралельним середовищем. Деклараційний патент на корисну модель. Україна.(11) 5764 ; (19) UA (51) 7 G01R27/06, 2005

Кособуцький П.С., Крочук А.С., Пелещишин О.С. Методформування омічних контактів на поверхні н/п сполук А2В6 і А3В5. Позитивне рішення № 960735.32 від 27.07.1995

Кособуцкий П.С., Водолазский П.В., и др. Способ соединения полупроводникового кристалла с металлической оправой. А.С.СССР.№1709863.01.10.1991

Кособуцкий П.С., Водолазский П.В., и др. Способ получения пленок Те. А.С.СССР. № 1767049.8.06.1992

Буряк Я.В., Кособуцкий П.С. и др. Устройство для определения направления вращения плоскости поляризации. А.С.СССР.№ 1664023.15.03.1991

Кособуцкий П.С., Водолазкий П., Стецишин Т., Хапко З. Метод определения силы осцилляторов экситонных переходов в полупроводниковых кристаллах. А.С.СССР.№ 1498319.1.04.1989

Кособуцкий П.С., Бурак Я., Лысейко И. и др. Фотоупругий модулятор света. А.С.СССР .№ 1519403.1.07.1989

Кособуцкий П.С., Водолазкий П.,Мацко М., Кушнир С.Х., КиякБ.Р. Способ окисления поверхности монокристаллов ZnSe. А.С.СССР.№ 262303.1.10.1987

Кособуцкий П., Коваль И. Способ определения глубины нарушенного слоя на прямозонных полупроводниковых подложках. А.С.СССР.№1292613.22.10.1986

Кособуцкий П., Преварская Г. Устройство для одновременного измерения спектров отражения и пропускания. А.С.СССР.№ 1371188.1.10.1985

Кособуцкий П., Чегиль И. Вакив М. Способ неразрушающего контроля глубины нарушенного слоя на прямозонных кристаллов. А.С.СССР.№1220517.2.07.1984