Відмінності між версіями «Большакова Інеса Антонівна»
(Створена сторінка: {{Особа | П.І.Б = Большакова Інеса Антонівна | Зображення (фото) = 28.jpg | Підпис зображенн...) |
|||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
| − | |||
| − | |||
{{Особа | {{Особа | ||
| П.І.Б = Большакова Інеса Антонівна | | П.І.Б = Большакова Інеса Антонівна | ||
| Зображення (фото) = 28.jpg | | Зображення (фото) = 28.jpg | ||
| − | | Підпис зображення (фото) = д. | + | | Підпис зображення (фото) = д.т.н., професор |
| Ім'я при народженні = | | Ім'я при народженні = | ||
| Дата народження = 1938 р. | | Дата народження = 1938 р. | ||
| Рядок 39: | Рядок 37: | ||
| Відомі команди = | | Відомі команди = | ||
| Відомий у зв’язку з = | | Відомий у зв’язку з = | ||
| − | | Поточне місце роботи = [[Національний університет | + | | Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра напівпровідникової електроніки]] |
| Почесні звання = | | Почесні звання = | ||
| Державні нагороди = | | Державні нагороди = | ||
| Рядок 69: | Рядок 67: | ||
[[Файл: За_наукові_досягнення.png]] | [[Файл: За_наукові_досягнення.png]] | ||
| − | [http://uk.wikipedia.org/wiki/%D0%9D%D0%B0%D0%B3%D1%80%D1%83%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%B7%D0%BD%D0%B0%D0%BA_%C2%AB%D0%97%D0%B0_%D0%BD%D0%B0%D1%83%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D1%96_%D0%B4%D0%BE%D1%81%D1%8F%D0%B3%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D1%8F%C2%BB | + | [http://uk.wikipedia.org/wiki/%D0%9D%D0%B0%D0%B3%D1%80%D1%83%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%B7%D0%BD%D0%B0%D0%BA_%C2%AB%D0%97%D0%B0_%D0%BD%D0%B0%D1%83%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D1%96_%D0%B4%D0%BE%D1%81%D1%8F%D0%B3%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D1%8F%C2%BB Нагрудний знак «За наукові досягнення» ]( 1989 р.) |
=== Наукова діяльність === | === Наукова діяльність === | ||
| + | |||
====Тема докторської дисертації==== | ====Тема докторської дисертації==== | ||
| − | Большакова Інеса Антонівна. Радіаційностійкі сенсоримагнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов | + | |
| + | Большакова Інеса Антонівна. Радіаційностійкі сенсоримагнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткого випромінювання : дис... д-ра техн. наук: 05.27.01 / Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л., 2007. — 361арк. — Бібліогр.: арк. 336-353. | ||
| − | =====[[Апробація | + | =====[[Апробація результатів дисертації Большаковой І.А.|Апробація результатівдисертації]]===== |
| − | ====Основна тематика наукових досліджень | + | ====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі==== |
| − | 1.Розробка технології вирощування ниткоподібних кристалів AIIIBVта їх твердих розчинів | + | 1. Розробка технології вирощування ниткоподібних кристалів AIIIBVта їх твердих розчинів |
| − | 2. Моделювання фізичних процесів в технології вирощування напівпровідниковихниткоподібних кристалів з газової фази | + | |
| − | 3. Розробка сенсорів фізичних величин на основінапівпровідникових ниткоподібних | + | 2. Моделювання фізичних процесів в технології вирощування напівпровідниковихниткоподібних кристалів з газової фази |
| + | |||
| + | 3. Розробка сенсорів фізичних величин на основінапівпровідникових ниткоподібних | ||
| + | |||
4. Дослідження властивостейнапівпровідникових матеріалів під дією радіаційного опромінення. | 4. Дослідження властивостейнапівпровідникових матеріалів під дією радіаційного опромінення. | ||
==== Наукові інтереси ==== | ==== Наукові інтереси ==== | ||
| − | Радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для | + | |
| + | Радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для сенсорної електроніки та вимірювальні сенсорні системи | ||
| − | + | ====Видавнича діяльність ==== | |
| − | + | ||
| − | =====[[Вибраніпублікаці | + | Автор понад 150 наукових публікацій та 10 патентівУ країни. |
| + | =====[[Вибраніпублікаці І.А. Большакової|Вибрані публікаці]]===== | ||
===Контакти=== | ===Контакти=== | ||
| − | |||
| + | ІТРЕ, каф.НПЕ, НДЦ «Кристал», 20к. XVIII н.к., тел.:261-34-82 | ||
| Рядок 101: | Рядок 106: | ||
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]] | [[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]] | ||
| − | [[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та | + | [[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки]] |
[[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]] | [[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]] | ||
[[Категорія:Викладачі]] | [[Категорія:Викладачі]] | ||
Версія за 22:31, 12 січня 2014
| Большакова Інеса Антонівна | |
 д.т.н., професор | |
| Дата народження | 1938 р. |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Alma mater | Львівський державний університет імені Івана Франка. |
| Дата закінчення | 1959 р. |
| Спеціальність | фізика |
| Галузь наукових інтересів | радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для сенсорної електроніки тавимірювальні сенсорні системи. |
| Кваліфікаційний рівень | фізик |
| Науковий ступінь | доктор технічних наук |
| Дата присвоєння н.с. | 2008р. |
| Вчене звання | професор |
| Дата присвоєння в.з. | 2010р. |
| Поточне місце роботи | Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки |
Большакова Інеса Антонівна– доктор технічнх наук, науковий керівних науково-дослідноїлабораторії магнітних сенсорів центру «Кристал», професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».
Зміст
Біографія
Народилась у 1938 році.
Вищу освіту дістала на фізичномуфакультеті Львівського державного університету ім. І.Франка.
В аспірантурі навчалася на кафедрінапівпровідникової електроніки Львівського політехнічного інституту.
Трудову діяльність розпочалаасистентом кафедри фізики Національного університету «Львівська політехніка»,далі старшим науковим співробітником, ведучим науковим співробітником тазавідувачем створеної нею лабораторії магнітних сенсорів.
Керує держбюджетною тагоспдоговірною тематикою та темами Міністерства освіти і науки України та зміжнародного науково-технічного співробітництва.
Член Наукової Ради НАНУз проблем «Фізика плазми та плазмова електроніка».
Є членом Європейського та Американського фізичнихтовариств.
Керуєнауковою роботою аспірантів.
Нагороди та відзнаки
Нагрудний знак «За наукові досягнення» ( 1989 р.)
Наукова діяльність
Тема докторської дисертації
Большакова Інеса Антонівна. Радіаційностійкі сенсоримагнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткого випромінювання : дис... д-ра техн. наук: 05.27.01 / Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л., 2007. — 361арк. — Бібліогр.: арк. 336-353.
Апробація результатівдисертації
Основна тематика наукових досліджень на кафедрі
1. Розробка технології вирощування ниткоподібних кристалів AIIIBVта їх твердих розчинів
2. Моделювання фізичних процесів в технології вирощування напівпровідниковихниткоподібних кристалів з газової фази
3. Розробка сенсорів фізичних величин на основінапівпровідникових ниткоподібних
4. Дослідження властивостейнапівпровідникових матеріалів під дією радіаційного опромінення.
Наукові інтереси
Радіаційностійкі напівпровідникові матеріали для сенсорної електроніки та вимірювальні сенсорні системи
Видавнича діяльність
Автор понад 150 наукових публікацій та 10 патентівУ країни.
Вибрані публікаці
Контакти
ІТРЕ, каф.НПЕ, НДЦ «Кристал», 20к. XVIII н.к., тел.:261-34-82
inessa@mail.lviv.ua
