Перегляд вихідного коду сторінки Вибрані публікаці Лях-Кагуй Н.С.

# Druzhinin A., Ostrovskii I., Lavitska E., Liakh N., PalewskiT. Studies of piezoresistance in Si-Ge whiskers at cryogenic temperatures //Proc. SPIE. — 2003. — Vol. 5136. — P. 243–248.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинин А.А.]], [[Островський Ігор Петрович|Островский И.П.]], Лях Н.С. Миниатюрные сенсорытемпературы на основе нитевидных кристаллов Si-Ge // Термоэлектричество. —2003. — № 2. — С. 58–63.
# [[Буджак Ярослав Степанович|Буджак Я.С.]], [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинин А.А.]], [[Островський Ігор Петрович|Островский И.П.]], Лях Н.С.Термоэлектрические єффекты в нитевидных кристалах германия //Термоэлектричество. — 2003. — № 1. — С. 37–42.
# Варшава С.С., Лях Н.С., Стасюк Н.М. Нелінійні ефекти вточкових контактах метал-кремній, метал-кремній-германій // Фізика і хіміятвердого тіла. — 2001. — Т. 2, № 4. — С. 727–734.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С. Магнітоопір ниткоподібнихкристалів Ge-Si // Фізика і хімія твердого тіла. — 2003. — Т. 4, № 3. — С.485–490.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С. Термометри наоснові ниткоподібних кристалів Si-Ge для кріогенного діапазону температур //Вимірювальна техніка і метрологія. — 2003. — № 63. — С. 89–95.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], Лавитська О.М., Варшава С.С., [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С. Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Si-Ge // Вісн. [[Національний університет «Львівська політехніка»|НУ «Львівська політехніка»]],«Електроніка». — 2001. — № 423. — C. 76–80.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С.. Провідність імагнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик// Вісн. [[Національний університет «Львівська політехніка»|НУ «Львівська політехніка»]], «Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки». — 2002. — № 454. — С. 3–7.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], Лавитська О.М., [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С.Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердихрозчинів Ge-Si // Вісн. [[Національний університет «Львівська політехніка»|НУ «Львівська політехніка»]], «Електроніка». — 2002. — №455.— С. 126–133.
# Druzhinin A.O., Ostrovskii I.P., Liakh N.S. Design ofPhotoelectric Convertors on the Basis of Si-Ge Solid Solutions // Вісн. [[Національний університет «Львівська політехніка»|НУ «Львівська політехніка»]], «Елементи теорії та прилади твердотільноїелектроніки». — 2002. — № 458. — С. 52–55.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С., Матвієнко С.М.Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-Si // Вісн. [[Національний університет «Львівська політехніка»|НУ «Львівська політехніка»]], «Електроніка». — 2003. — № 482. —С.105—111.
# Варшава С.С., Лях Н.С., Стасюк Н.М. Нелінійні ефекти вточкових контактах метал-кремній, метал-кремній-германій // VIII Міжнарод.конференція з фізики і технології тонких плівок, Матеріали конференції. —Івано-Франківськ. — 2001. — C. 104-105.
# Tsmots V.M., Ostrovskii I.P., Lyach N.S., Druzhinin A.O.Perculiarities of magnetic properties of Si whiskers / /E-MPRS 2002 SpingMeeting. — Strasbourg (France). — 2002. — P. 41.
# Druzhinin A., Ostrovskij I., Lavitska E., Liakh N., PalewskiT. Studies of piezoresistance in Si-Ge whiskers at cryogenic temperatures //Intern. conference on solid state crystals. —Zakopane (Poland). — 2002. — P.142.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С. Магнітоопірниткоподібних кристалів Ge-Si // Матер. ІХ Міжнарод. конференції МКФТТП-ІХ «Фізика і технологія тонких плівок». Том 2. — Івано-Франківськ. — 2003. — С.148–149.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С., Матвієнко С.М.Термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів Si-Ge // IV Міжнарод. школа-конференція«Актуальні проблеми фізики напівпровідників». — Дрогобич. — 2003. — С. 146.
# Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Liakh N.S.Magnetoresistance of Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insulatortransition // Book of Abstracts. E-MRS 2003 Fall Meeting. —Warshawa (Poland). —2003. — P.145.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С. Термометри наоснові ниткоподібних кристалів Si-Ge для кріогенного діапазону температур //Тези доповідей. VIII Міжнародна конференція «Температура-2003». — Львів. —2003. — С. 92.
# [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинин А.А.]], [[Островський Ігор Петрович|Островский И.П.]], Лях Н.С. Нитевидныекристаллы Si-Ge для измерения уровней деформации при низких температурах //Труды 4-ой Международ. науч.-техн. конф. «Микроэлектронные преобразователи иприборы на их основе». —Баку-Сумгаит (Азербайджан). — 2003. — С. 58–59.
# Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh. GexSi1-x whiskers forstrain measurements // Materialy VIII Konferencja Naukowa CzujnikiOptoelektroniczne i Elektroniczne. — Wroclaw (Poland). — 2004. — S. 409–412.
# Деклараційний патент України № 3531 Спосіб визначеннякоефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів. / [[Дружинін |Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С., Матвієнко С. М.; Заявл. 06.04.2004р; Опубл.15.11.2004р.,бюл. №11. С.4.
# Рішення про видачу деклараційного патенту України стосовнозаявки № 20040504001 від 04.11.2004р. Сенсор температури. / [[Дружинін Анатолій Олександрович|Дружинін А.О.]], [[Островський Ігор Петрович|Островський І.П.]], Лях Н.С., Матвієнко С. М.
# Вплив деформації на низькотемпературну провідність легованихНК кремнію, опромінених електронами / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, О. П.Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тезидоп. VN Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. /Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб.п-во «Карат». — Дрогобич, 2010. — С. 164.
# Вплив електронного опромінення на низькотемпературнупровідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І.Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк,І. Г. Мегела // Фізика і хімія твердого тіла. −2010. — Т. 11, № 3. — С.588-592. — Бібліогр.: 6 назв.
# Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібнікристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, [[Островський Ігор Петрович|І. П.Островський]], [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю. М. Ховерко]], О. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсор. електронікаі мікросистем. технології. — 2010. -Т. 1 (7), № 3. — С. 45-54. — Бібліогр.: 9назв.
# Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібнікристали Si, SiGe та шари полікремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. О. Дружинін]], І. Й. Мар’ямова, [[Островський Ігор Петрович|І. П.Островський]], О. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка тамікросистемні технології : 4-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 28черв. — 2 лип. 2010 р. : тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є.Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. О : Астропринт,2010. — С. 8-9.
# Исследование влияния электронного облучения на кремниевыетензорезисторы / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А. А. Дружинин]], И. И. Марьямова, А. П. Кутраков, Н. С.Лях-Кагуй, В. Т. Маслюк, И. Г. Мегела // Технология и конструирование вэлектрон. аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 26¬29. — Библиогр.: 6 назв.
# Strain-induced magnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A.Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo //Electronic processes in organic materials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogoraresidence, Ivano-Frankivsk reg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A.Vertsimakha. — К. : Наук. світ, 2010. — P. 67-68.