Мищишин Володимир Михайлович
| Мищишин Володимир Михайлович | |
 к.т.н.,доцент | |
| Дата народження | 04.06.1963 р.. |
|---|---|
| Громадянство | Україна |
| Alma mater | Львівський політехнічний інститут |
| Дата закінчення | 1985 р. |
| Спеціальність | автоматика і телемеханіка |
| Галузь наукових інтересів | створення твердих планарнихджерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію втехнологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів тазінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні зарозподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур850-1150оС. |
| Науковий ступінь | кандидат технічних наук |
| Науковий керівник | доктор технічних наук, професор Воронін Валерій Олександрович, Національний університет«Львівська політехніка» |
| Дата присвоєння н.с. | 2005 р. |
| Вчене звання | доцент |
| Дата присвоєння в.з. | 2007 р. |
| Поточне місце роботи | кафедра комп’ютеризованих системавтоматики,Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології,Національний університет «Львівська політехніка». |
Мищишин Володимир Михайлович — кандидат технічних наук, доцент кафедри комп’ютеризованих систем автоматики,Інститутукомп’ютерних технологій, автоматики та метрології , Національного університету «Львівськаполітехніка».
Загальна інформація
Випускник Львівського політехнічногоінституту (1985 р.)
Кандидат технічних наук (2005 р.), на посаді доцента(2007р.).
Тема дисертації: Тверді планарні джерела для дифузії бору залюмоборосилікатних сполук [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 /Мищишин Володимир Михайлович ; Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л.,2005. — 129 арк. — арк. 116-126
Науковий керівник: доктор технічних наук, професор ВоронінВалерій Олександрович, Національний університет «Львівська політехніка»
Займається розробленням твердих планарних джерел бору тафосфору.
Педагогічна робота
Читає лекції з наступних дисциплін:
«Алгоритмічне та програмне забезпечення комп’ютеризованихсистем керування»,
«Автоматизовані системи обробки інформації з обмеженимдоступом»
Керує дипломнимпроектуванням та магістерськими роботами.
Наукові інтереси
Напрям наукових досліджень — створення твердих планарнихджерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію втехнологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів тазінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні зарозподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур850-1150оС.
Вибрані публікації
Кількість наукових публікацій: 32 публікації, з них 29наукових та 3 навчально-методичного характеру
Основні наукові праці:
1. Богдановський Ю.М., Гасько Л.З., Мищишин В.М. Оцінкатермічних напруг у дисках кремнію при вводі в зону реакції. Вісник Державногоуніверситету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілоїелектроніки. № 325, 1998, С.3-6.
2. А.с. 1738032 СССР МКИ H01L21/22. Способ изготовлениятвердых планарных источников для диффузии бора / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский,Л.З.Гасько, В.М. Мищишин. Приоритет изоб. 06.03.89 р. Зарегистрировано 01.02.92р.
3. Valeriy O. Voronin, Yuriy M.Bogdanovski, Lubomyr Z.Hasko,Volodymyr M.Myshchyshin. Diffusion Doping of 300 mm Silicon Plates by Means ofSolid Planar Sources of Boron and Phosphorus.- European Materials ResearchSociety. E-MRS’2002 Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg(France) June 18-21, 2002, O.
4. Voronin V.O., Bogdanovski Y.M., Hasko L.Z., MyshchyshinV.M. Solid Planar Sources of Boron and Phosphorus for Highly Uni-formal Dopingof Large Diameter Silicon Plates. European Materials Research Society.E-MRS’98Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg (France) June 16-19, 1998,.
5. Новый твердый планарный источник для диффузии бора вкремний. / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин и др. //Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции «Автоматизация, интенсификация,интеграция процессов технологии микроэлектроники» (АИ2ПТМ),г.Ленинград, 22-24ноября 1989. — Л.: Изд. ЛЭТИ, 1989. — С.62-64.
6. Мищишин В.М., Богдановский Ю.М. Оптимізація технологіївиготовлення твердих планарних джерел бору. Вісник Національного університету«Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. №491. 2003, c. 86-90.
7. Богдановський Ю.М., Мищишин В.М. Масоперенос в системітверде планарне джерело бору — пластина кремнію діаметром 300мм. «Фізика іхімія твердого тіла». Т.5, № 1, 2004, С.70-76.
8. Г.В.Кеньо, Ю.М. Богдановський, Л.З.Гасько, І.П.Полюжин,В.М.Мищишин. «Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердихпланарних джерел бору на термостійких підкладках», Вісник НУ «Львівськаполітехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 569, 2006,с.120-125. .
Контакти
вул. Ст. Бандери 28а, 79013,Львів;5-йкорпус,кімната603,тел..+38(032)258-24-64 , +38(032)258-21-97 E-mail: ksa@lp.edu.ua
