Відмінності між версіями «Мищишин Володимир Михайлович»

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Перейти до: навігація, пошук
(Створена сторінка: {{Особа |П.І.Б = Мищишин Володимир Михайлович |Зображення (фото) = A2159f9436.jpg‎ |Підпис зобр...)
 
(Контакти)
 
(Не показані 8 проміжних версій 4 користувачів)
Рядок 1: Рядок 1:
 
 
 
{{Особа
 
{{Особа
 
|П.І.Б = Мищишин Володимир Михайлович
 
|П.І.Б = Мищишин Володимир Михайлович
 
|Зображення (фото) = A2159f9436.jpg‎   
 
|Зображення (фото) = A2159f9436.jpg‎   
|Підпис зображення (фото) =к.т.н.,доцент
+
|Підпис зображення (фото) = к.т.н.,доцент
 
|Ім'я при народженні =
 
|Ім'я при народженні =
|Дата народження =04.06.1963 р..
+
|Дата народження = 04.06.1963 р.  
 
|Місце народження =
 
|Місце народження =
 
|Дата смерті =
 
|Дата смерті =
Рядок 22: Рядок 20:
 
|Діти =
 
|Діти =
 
|Відомі родичі =
 
|Відомі родичі =
|Громадянство =Україна
+
|Громадянство = Україна
 
|Національність =
 
|Національність =
|Alma mater =[[Львівський політехнічний інститут]]  
+
|Alma mater = [[Львівський політехнічний інститут]]  
|Дата закінчення =1985 р.
+
|Дата закінчення = 1985 р.
|Спеціальність =автоматика і телемеханіка
+
|Спеціальність = автоматика і телемеханіка
 
|Військове звання =
 
|Військове звання =
|Галузь наукових інтересів = створення твердих планарнихджерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію втехнологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів тазінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні зарозподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур850-1150оС.
+
|Галузь наукових інтересів = створення твердих планарних джерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію в технологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів та зінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні за розподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур 850-1150оС.
 
|Кваліфікаційний рівень =
 
|Кваліфікаційний рівень =
|Науковий ступінь =кандидат технічних наук
+
|Науковий ступінь = кандидат технічних наук
|Науковий керівник = доктор технічних наук, професор [[Воронін Валерій Олександрович]], [[Національний університет«Львівська політехніка»]]
+
|Науковий керівник = доктор технічних наук, професор [[Воронін Валерій Олександрович]], [[Національний університет «Львівська політехніка»]]
|Дата присвоєння н_с =2005 р.  
+
|Дата присвоєння н_с = 2005 р.  
 
|Вчене звання =доцент  
 
|Вчене звання =доцент  
|Дата присвоєння в_з =2007 р.
+
|Дата присвоєння в_з = 2007 р.
 
|Відомі учні =
 
|Відомі учні =
 
|Відомі команди =
 
|Відомі команди =
 
|Відомий у зв’язку з =
 
|Відомий у зв’язку з =
|Поточне місце роботи =[[кафедра комп’ютеризованих системавтоматики]],[[Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології]],[[Національний університет «Львівська політехніка»]].  
+
|Поточне місце роботи = [[кафедра комп’ютеризованих систем автоматики]], [[Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології]], [[Національний університет «Львівська політехніка»]].  
 
|Почесні звання =  
 
|Почесні звання =  
 
|Державні нагороди =  
 
|Державні нагороди =  
Рядок 45: Рядок 43:
 
|Власний сайт =
 
|Власний сайт =
 
}}
 
}}
''' Мищишин Володимир Михайлович
+
'''Мищишин Володимир Михайлович''' — кандидат технічних наук, доцент [[кафедра комп’ютеризованих систем автоматики|кафедри комп’ютеризованих систем автоматики]], [[Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології|Інституту комп’ютерних технологій, автоматики та метрології]], [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].
'''— кандидат технічних наук, доцент [[кафедракомп’ютеризованих систем автоматики|кафедри комп’ютеризованих систем автоматики]],[[Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології|Інститутукомп’ютерних технологій, автоматики та метрології]] , [[Національнийуніверситет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівськаполітехніка»]].  
+
 
 
==Загальна інформація==
 
==Загальна інформація==
Випускник [[Львівський політехнічний інститут |Львівського політехнічногоінституту]] (1985 р.)
+
* Випускник [[Львівський політехнічний інститут |Львівського політехнічного інституту]] (1985 р.)
+
* Кандидат технічних наук (2005 р.), на посаді доцента(2007р.).
Кандидат технічних наук (2005 р.), на посаді доцента(2007р.).
+
+
Тема дисертації:  Тверді планарні джерела для дифузії бору залюмоборосилікатних сполук [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 /Мищишин Володимир Михайлович ; Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л.,2005. — 129 арк. — арк. 116-126
+
+
Науковий керівник: доктор технічних наук, професор ВоронінВалерій Олександрович, [[Національний університет «Львівська політехніка»]]
+
+
Займається розробленням твердих планарних джерел бору тафосфору.
+
 
   
 
   
 +
''Тема дисертації:'' Тверді планарні джерела для дифузії бору залюмоборосилікатних сполук [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 /Мищишин Володимир Михайлович ; Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л., 2005. — 129 арк. — арк. 116-126
 +
 +
''Науковий керівник:'' доктор технічних наук, професор Воронін Валерій Олександрович, [[Національний університет «Львівська політехніка»]]
 +
 +
Займається розробленням твердих планарних джерел бору та фосфору.
 +
 
==Педагогічна робота==
 
==Педагогічна робота==
 
'''Читає лекції з наступних дисциплін:'''  
 
'''Читає лекції з наступних дисциплін:'''  
+
 
«Алгоритмічне та програмне забезпечення комп’ютеризованихсистем керування»,
+
1. Планування експерименту та опрацювання результатів досліджень;
+
 
«Автоматизовані системи обробки інформації з обмеженимдоступом»
+
2. Алгоритмізація та програмування.
+
 
Керує дипломнимпроектуванням та магістерськими роботами.
+
Керує дипломним проектуванням та магістерськими роботами.
 +
 
 
==Наукові інтереси==
 
==Наукові інтереси==
Напрям наукових досліджень — створення твердих планарнихджерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію втехнологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів тазінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні зарозподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур850-1150оС.
+
''Напрям наукових досліджень'' — створення твердих планарних джерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію в технологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів та зінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні за розподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур 850-1150<sup>о</sup> С.
+
 
 
==Вибрані публікації==
 
==Вибрані публікації==
Кількість наукових публікацій: 32 публікації, з них 29наукових та 3 навчально-методичного характеру
+
Кількість наукових публікацій: 32 публікації, з них 29 наукових та 3 навчально-методичного характеру
+
 
 
'''Основні наукові праці:'''
 
'''Основні наукові праці:'''
+
# Богдановський Ю.М., Гасько Л.З., Мищишин В.М. Оцінка термічних напруг у дисках кремнію при вводі в зону реакції. Вісник Державного університету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. № 325, 1998, С.3-6.
1. Богдановський Ю.М., Гасько Л.З., Мищишин В.М. Оцінкатермічних напруг у дисках кремнію при вводі в зону реакції. Вісник Державногоуніверситету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілоїелектроніки. № 325, 1998, С.3-6.
+
# А.с. 1738032 СССР МКИ H01L21/22. Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии бора / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин. Приоритет изоб. 06.03.89 р. Зарегистрировано 01.02.92р.
+
# Valeriy O. Voronin, Yuriy M.Bogdanovski, Lubomyr Z.Hasko, Volodymyr M.Myshchyshin. Diffusion Doping of 300 mm Silicon Plates by Means ofSolid Planar Sources of Boron and Phosphorus. European Materials ResearchSociety. E-MRS’2002 Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg(France) June 18-21, 2002, O.
2. А.с. 1738032 СССР МКИ H01L21/22. Способ изготовлениятвердых планарных источников для диффузии бора / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский,Л.З.Гасько, В.М. Мищишин. Приоритет изоб. 06.03.89 р. Зарегистрировано 01.02.92р.
+
# Voronin V.O., Bogdanovski Y.M., Hasko L.Z., MyshchyshinV.M. Solid Planar Sources of Boron and Phosphorus for Highly Uni-formal Dopingof Large Diameter Silicon Plates. European Materials Research Society.E-MRS’98Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg (France) June 16-19, 1998,.
+
# Новый твердый планарный источник для диффузии бора в кремний. / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин и др. //Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции «Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники» (АИ2ПТМ), г.Ленинград, 22-24ноября 1989. — Л.: Изд. ЛЭТИ, 1989. — С.62-64.
3. Valeriy O. Voronin, Yuriy M.Bogdanovski, Lubomyr Z.Hasko,Volodymyr M.Myshchyshin. Diffusion Doping of 300 mm Silicon Plates by Means ofSolid Planar Sources of Boron and Phosphorus.- European Materials ResearchSociety. E-MRS’2002 Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg(France) June 18-21, 2002, O.
+
# Мищишин В.М., Богдановский Ю.М. Оптимізація технології виготовлення твердих планарних джерел бору. Вісник Національного університету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. №491. 2003, c. 86-90.
+
# Богдановський Ю.М., Мищишин В.М. Масоперенос в системі тверде планарне джерело бору — пластина кремнію діаметром 300мм. «Фізика і хімія твердого тіла». Т.5, № 1, 2004, С.70-76.
4. Voronin V.O., Bogdanovski Y.M., Hasko L.Z., MyshchyshinV.M. Solid Planar Sources of Boron and Phosphorus for Highly Uni-formal Dopingof Large Diameter Silicon Plates. European Materials Research Society.E-MRS’98Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg (France) June 16-19, 1998,.
+
# Г.В.Кеньо, Ю.М. Богдановський, Л.З.Гасько, І.П.Полюжин, В.М.Мищишин. «Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердих планарних джерел бору на термостійких підкладках», Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 569, 2006, с.120-125.
+
# Malyk O.P., Kynash Yu.E., Myshchyshyn V.M. The modeling of the electron scattering on the short-range potential in cadmium telluride: ab initio approach. // Технічні вісті = Technical news : наук.-соц. часопис / Укр. інж. т-во у Львові. - Л., 2016. - № 1(43), 2(44). - С.76-77.
5. Новый твердый планарный источник для диффузии бора вкремний. / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин и др. //Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции «Автоматизация, интенсификация,интеграция процессов технологии микроэлектроники» (АИ2ПТМ),г.Ленинград, 22-24ноября 1989. — Л.: Изд. ЛЭТИ, 1989. — С.62-64.
+
# The Short-range Charge Carrier Scattering Models in Indium Antimonide. Orest Malyk, Galyna Kenyo, Volodymyr Myshchyshyn, Stepan Voytusik. TCSET’2014, Міжнародна конференція. СУЧАСНІ ПРОБЛЕМИ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ, ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙ, КОМП’ЮТЕРНОЇ ІНЖЕНЕРІЇ. 25 лютого-1 березня, Львів-Славське-2014, с.340-342.
+
# С. Войтусік, В. Мищишин. Визначення динамічних характеристик розпилення твердих тіл методом  Монте – Карло. Міжнародна науково-технічна конференція  Системи – 2013. Tермографія і термометрія, метрологічне забезпечення вимірювань та випробувань. Тези доповідей 23–27 вересня 2013, с.202.
6. Мищишин В.М., Богдановский Ю.М. Оптимізація технологіївиготовлення твердих планарних джерел бору. Вісник Національного університету«Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. №491. 2003, c. 86-90.
+
# The Short-range Charge Carrier Scattering Models in Indium Antimonide. Orest Malyk, Galyna Kenyo, Volodymyr Myshchyshyn, Stepan Voytusik. TCSET’2014, Міжнародна конференція. СУЧАСНІ ПРОБЛЕМИ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ, ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙ, КОМП’ЮТЕРНОЇ ІНЖЕНЕРІЇ. 25 лютого-1 березня, Львів-Славське-2014, с.340-342.
+
# Malyk O.P., Kynash Yu.E., Myshchyshyn V.M. The modeling of the electron scattering on the short-range potential in cadmium telluride: ab initio approach. // Технічні вісті = Technical news : наук.-соц. часопис / Укр. інж. т-во у Львові. - Л., 2016. - № 1(43), 2(44). - С.76-77.
7. Богдановський Ю.М., Мищишин В.М. Масоперенос в системітверде планарне джерело бору — пластина кремнію діаметром 300мм. «Фізика іхімія твердого тіла». Т.5, № 1, 2004, С.70-76.
+
 
+
8. Г.В.Кеньо, Ю.М. Богдановський, Л.З.Гасько, І.П.Полюжин,В.М.Мищишин. «Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердихпланарних джерел бору на термостійких підкладках», Вісник НУ «Львівськаполітехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», № 569, 2006,с.120-125.
+
.
+
 
==Контакти==  
 
==Контакти==  
вул. Ст. Бандери 28а, 79013,Львів;5-йкорпус,кімната603,тел..+38(032)258-24-64 , +38(032)258-21-97  
+
вул. Ст. Бандери 28а, 79013, Львів; 5-йкорпус, кімната 601,
E-mail: ksa@lp.edu.ua  
+
 
 +
тел.: +38(032)258-24-64, +38(032)258-21-97  
 +
 
 +
E-mail: ksa@lp.edu.ua
 +
 
 
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]]
 
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]]
[[Категорія: Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології]]  
+
[[Категорія:Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології]]  
[[Категорія: Кафедра комп’ютеризованих систем автоматики]]
+
[[Категорія:Кафедра комп’ютеризованих систем автоматики]]
 
[[Категорія:Викладачі]]
 
[[Категорія:Викладачі]]

Поточна версія на 12:49, 26 квітня 2019

Мищишин Володимир Михайлович
A2159f9436.jpg
к.т.н.,доцент
Дата народження 04.06.1963 р.
Громадянство Україна
Alma mater Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення 1985 р.
Спеціальність автоматика і телемеханіка
Галузь наукових інтересів створення твердих планарних джерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію в технологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів та зінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні за розподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур 850-1150оС.
Науковий ступінь кандидат технічних наук
Науковий керівник доктор технічних наук, професор Воронін Валерій Олександрович, Національний університет «Львівська політехніка»
Дата присвоєння н.с. 2005 р.
Вчене звання доцент
Дата присвоєння в.з. 2007 р.
Поточне місце роботи кафедра комп’ютеризованих систем автоматики, Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології, Національний університет «Львівська політехніка».

Мищишин Володимир Михайлович — кандидат технічних наук, доцент кафедри комп’ютеризованих систем автоматики, Інституту комп’ютерних технологій, автоматики та метрології, Національного університету «Львівська політехніка».

Загальна інформація

Тема дисертації: Тверді планарні джерела для дифузії бору залюмоборосилікатних сполук [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 /Мищишин Володимир Михайлович ; Національний ун-т «Львівська політехніка». — Л., 2005. — 129 арк. — арк. 116-126

Науковий керівник: доктор технічних наук, професор Воронін Валерій Олександрович, Національний університет «Львівська політехніка»

Займається розробленням твердих планарних джерел бору та фосфору.

Педагогічна робота

Читає лекції з наступних дисциплін:

1. Планування експерименту та опрацювання результатів досліджень;

2. Алгоритмізація та програмування.

Керує дипломним проектуванням та магістерськими роботами.

Наукові інтереси

Напрям наукових досліджень — створення твердих планарних джерел бору та фосфору на термостійких підкладках, для легування кремнію в технологічних процесах виготовлення напівпровідникових приладів та зінтегрованих схем, що дають змогу отримувати дифузійні шари, однорідні за розподілом по пластині кремнію довільного діаметру, в інтервалі температур 850-1150о С.

Вибрані публікації

Кількість наукових публікацій: 32 публікації, з них 29 наукових та 3 навчально-методичного характеру

Основні наукові праці:

  1. Богдановський Ю.М., Гасько Л.З., Мищишин В.М. Оцінка термічних напруг у дисках кремнію при вводі в зону реакції. Вісник Державного університету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — № 325, 1998, — С.3-6.
  2. А.с. 1738032 СССР МКИ H01L21/22. Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии бора / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин. Приоритет изоб. 06.03.89 р. Зарегистрировано 01.02.92р.
  3. Valeriy O. Voronin, Yuriy M.Bogdanovski, Lubomyr Z.Hasko, Volodymyr M.Myshchyshin. Diffusion Doping of 300 mm Silicon Plates by Means ofSolid Planar Sources of Boron and Phosphorus. — European Materials ResearchSociety. E-MRS’2002 Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg(France) June 18-21, 2002, O.
  4. Voronin V.O., Bogdanovski Y.M., Hasko L.Z., MyshchyshinV.M. Solid Planar Sources of Boron and Phosphorus for Highly Uni-formal Dopingof Large Diameter Silicon Plates. European Materials Research Society.E-MRS’98Scientifik/Technical Sym& Exhibition. Strasbourg (France) June 16-19, 1998,.
  5. Новый твердый планарный источник для диффузии бора в кремний. / В.А.Воронин, Ю.Н.Богдановский, Л.З.Гасько, В.М. Мищишин и др. //Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции «Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники» (АИ2ПТМ), г.Ленинград, 22-24ноября 1989. — Л.: Изд. ЛЭТИ, 1989. — С.62-64.
  6. Мищишин В.М., Богдановский Ю.М. Оптимізація технології виготовлення твердих планарних джерел бору. Вісник Національного університету «Львівська політехніка». Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — №491. 2003, — c. 86-90.
  7. Богдановський Ю.М., Мищишин В.М. Масоперенос в системі тверде планарне джерело бору — пластина кремнію діаметром 300мм. «Фізика і хімія твердого тіла». — Т.5, № 1, 2004, — С.70-76.
  8. Г.В.Кеньо, Ю.М. Богдановський, Л.З.Гасько, І.П.Полюжин, В.М.Мищишин. «Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердих планарних джерел бору на термостійких підкладках», — Вісник НУ «Львівська політехніка» «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки», — № 569, 2006, — с.120-125.
  9. Malyk O.P., Kynash Yu.E., Myshchyshyn V.M. The modeling of the electron scattering on the short-range potential in cadmium telluride: ab initio approach. // Технічні вісті = Technical news : наук.-соц. часопис / Укр. інж. т-во у Львові. - Л., 2016. - № 1(43), 2(44). - С.76-77.
  10. The Short-range Charge Carrier Scattering Models in Indium Antimonide. Orest Malyk, Galyna Kenyo, Volodymyr Myshchyshyn, Stepan Voytusik. TCSET’2014, Міжнародна конференція. СУЧАСНІ ПРОБЛЕМИ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ, ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙ, КОМП’ЮТЕРНОЇ ІНЖЕНЕРІЇ. 25 лютого-1 березня, Львів-Славське-2014, с.340-342.
  11. С. Войтусік, В. Мищишин. Визначення динамічних характеристик розпилення твердих тіл методом Монте – Карло. Міжнародна науково-технічна конференція Системи – 2013. Tермографія і термометрія, метрологічне забезпечення вимірювань та випробувань. Тези доповідей 23–27 вересня 2013, с.202.
  12. The Short-range Charge Carrier Scattering Models in Indium Antimonide. Orest Malyk, Galyna Kenyo, Volodymyr Myshchyshyn, Stepan Voytusik. TCSET’2014, Міжнародна конференція. СУЧАСНІ ПРОБЛЕМИ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ, ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙ, КОМП’ЮТЕРНОЇ ІНЖЕНЕРІЇ. 25 лютого-1 березня, Львів-Славське-2014, с.340-342.
  13. Malyk O.P., Kynash Yu.E., Myshchyshyn V.M. The modeling of the electron scattering on the short-range potential in cadmium telluride: ab initio approach. // Технічні вісті = Technical news : наук.-соц. часопис / Укр. інж. т-во у Львові. - Л., 2016. - № 1(43), 2(44). - С.76-77.

Контакти

вул. Ст. Бандери 28а, 79013, Львів; 5-йкорпус, кімната 601,

тел.: +38(032)258-24-64, +38(032)258-21-97

E-mail: ksa@lp.edu.ua