Відмінності між версіями «Губа Сергій Костянтинович»

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Перейти до: навігація, пошук
(→‎Контакти)
(оновлено список праць)
 
(Не показано 4 проміжні версії 3 користувачів)
Рядок 20: Рядок 20:
 
| Діти =
 
| Діти =
 
| Відомі родичі =
 
| Відомі родичі =
−
| Громадянство =Україна  
+
| Громадянство = Україна  
 
| Національність = українець
 
| Національність = українець
 
| Alma mater = [[Львівський політехнічний інститут]]
 
| Alma mater = [[Львівський політехнічний інститут]]
Рядок 36: Рядок 36:
 
| Відомі команди =
 
| Відомі команди =
 
| Відомий у зв’язку з =  
 
| Відомий у зв’язку з =  
−
| Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра напівпровідникової електроніки]]
+
| Поточне місце роботи = [[Національний університет «Львівська політехніка»]] [[Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань]]
 
| Почесні звання =  
 
| Почесні звання =  
 
| Державні нагороди =  
 
| Державні нагороди =  
Рядок 43: Рядок 43:
 
| Власний сайт =
 
| Власний сайт =
 
}}
 
}}
−
'''Губа Сергій Костянтинович''' – кандидат технічнх наук, доцент [[Кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].  
+
'''Губа Сергій Костянтинович''' — кандидат технічних наук, доцент [[Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].  
  
 
==== Біографічна довідка ====
 
==== Біографічна довідка ====
−
 
 
Народився 5 грудня 1959 року.  
 
Народився 5 грудня 1959 року.  
−
+
 
 
Закінчив середню школу у 1977 році.  
 
Закінчив середню школу у 1977 році.  
−
+
 
 
З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті [[Львівський політехнічний інститут |Львівського політехнічного інституту]], спеціалізувався на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрі напівпровідникової електроніки]].  
 
З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті [[Львівський політехнічний інститут |Львівського політехнічного інституту]], спеціалізувався на [[кафедра напівпровідникової електроніки|кафедрі напівпровідникової електроніки]].  
−
+
 
 
Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).  
 
Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).  
−
+
 
 
Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.  
 
Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.  
−
+
 
 
Вчене звання доцента з 2003 року
 
Вчене звання доцента з 2003 року
−
 
−
Працює на кафедрі НПЕ з 1995 р. (на посадах асистент, доцент).
 
−
 
−
З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі [[Державний університет «Львівська політехніка»|Державного університету «Львівська політехніка»]].
 
−
 
−
=====Викладацька діяльність=====
 
  
−
''Читає та веде практичні заняття з наступних дисціплін:''
+
Працював на кафедрі НПЕ з 1995 р. по 2022 р. на на посадах асистента, доцента.
−
+
−
* «Функціональна електроніка»,
+
−
* «Технологічні основи електроніки»,
+
−
* «Мікросенсори фізичних величин»,
+
−
* «Гетероепітаксійні структури»,
+
−
* «Електроніка біохімічних процесів»,
+
−
* «Фізичні методи діагностики в медицині»,
+
−
* «Сенсори та фотоелектричні перетворювачі
+
  
−
====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі====
+
З 2022 року працює на кафедрі ТРР.  
−
+
−
1. Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
+
  
−
2. Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
+
З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі [[Державний університет «Львівська політехніка»|Державного університету «Львівська політехніка»]].  
  
−
3. Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів таінжекційних лазерів.
+
=====Викладацька діяльність=====
 +
''Веде практичні та лабораторні заняття з наступних дисциплін:''
 +
* Аналогова схемотехніка
 +
* Основи електротехніки
 +
* Моделювання радіоелектронних засобів
 +
* Системи інформаційної безпеки
 +
 
 +
====Основна тематика наукових досліджень на кафедрі====
 +
* Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
 +
* Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
 +
* Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів та інжекційних лазерів.
  
 
==== Наукові інтереси ====
 
==== Наукові інтереси ====
−
+
Дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі.  
−
дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВVметодом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електроннихпристроїв на їх основі.  
+
  
 
==== Видавнича діяльність ====
 
==== Видавнича діяльність ====
 +
Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 6 патентів на винаходи.
  
−
Автор понад 100 наукових та методичних робіт, вт.ч. 6 патентів на винаходи.  
+
==== Нагороди ====
 +
* Диплом НУЛП 2009 р.
 +
* Диплом НУЛП 2012 р.
  
 
=====Основні публікації=====
 
=====Основні публікації=====
−
 
+
# Воронин В.А., Губа С.К., Сиверс В.Н., Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3 (63), - 2006, c. 50 – 55
−
# Основи технології напівпровідникових матеріалів [Текст] :навч. посіб. / [[Курило Іван Васильович|І. В. Курило]], С. К. Губа ; [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т «Львів. Політехніка»]]. - Л.: [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Львів. політехніки]], 2012. - 239 с. : рис., табл. - Бібліогр.: с.233-234. - 300 экз. - ISBN 978-617-607-236-2
+
# І.В. Курило, С.К. Губа Основи технології напівпровідникових матеріалів. Навчальний посібник //Львів: Видавництво Національного Університету “Львівська політехніка”, 2012. – 240 с.  
−
# Моделювання низькотемпературного осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V / С.К. Губа, [[Петрович Роман Йосипович|Р.Й. Петрович]] // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. Третьої міжнар. наук.-практ. конф.,Кременчук, 21–23трав. 2008 р. — Кременчук, 2008. — С. 207–208. — Бібліогр.: 5 назв.
+
# V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53
−
# Розрахунок і проектування функціональних пристроїв : метод. вказівки до викон. курс.роботи з курсу «Функціон. мікроелектроніка» для студ. спец. 8.090801 «Мікроелектрон.та напівпровідник. Прилади» / [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т  «Львів.політехніка»]] ; [уклад.:С.К.Губа, [[Курило Іван Васильович|І.В. Курило]]]. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац. ун-ту  «Львів. політехніка»]], 2008. — 24 с. —Бібліогр.: с. 23 (19 назв).
+
# Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40
−
# Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару сполук III-V/С.К. Губа, [[Юзевич Володимир Миколайович|В.М. Юзевич]], [[Курило Іван Васильович|І.В. Курило]] // Актуальні проблеми фізикинапівпровідників :тези доп. VI Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 23–26 верес. 2008 р. — Дрогобич,2008. — С. 40. — Бібліогр.: 3 назви.
+
# L.V. Kurilo, S.K. Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
−
# Химическое осаждение из паровой фазы гетеро- и наноструктур соединений III-V /В.А.Воронин, С.К. Губа, [[Курило Іван Васильович|И.В. Курило]] // Технология и конструирование в электрон.аппаратуре.— 2008. — № 5. — С. 36–40. — Библиогр.: 13 назв.
+
# Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
−
# Хімічне осадження газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V / В.О. Воронін, С.К.Губа, [[Курило Іван Васильович|І.В. Курило]] // Современные информационные и электронные технологии : тр. Девятоймеждунар. науч.-практ. конф., 19–23 мая 2008 г., Одесса, Украина. — Одесса,2008.— Т. 2. — С. 108.
+
# I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
−
# Modellingof growth of the A III B V hetero nanostructures by isothermal CVD-methods /S.K.Guba, R.Yo. Petrovich // XIV International seminar on physics and chemistry ofsolids :progr.collected abstr., Lviv, 1–4 June 2008 / I. Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci.Research Company «Carat». — Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 45. — Bibliogr.: 9 titles.
+
# I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
−
# Кинетика роста вискеров GaAs вхлоридной системе GaAs-HCl-H2 / С. К. Губа, Я. Я. Кость // Современныеинформационные и электронные технологии : тр. ХІ Междунар. науч.-практ. конф.,24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. - Одесса, 2010. -Т. 2. - С. 95. - Библиогр.:4 назв.
+
# R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices// Semiconductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
−
# Кінетика формування адсорбційного шару на грані (100) GaAs під час зародкоутворення квантових точок InAs впроцесі хлоридної епітаксії / С. К. Губа, [[Курило Іван Васильович|І. В. Курило]], Р. Й. Петрович //Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп.четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна.- Кременчук, 2010. - С. 150-151. - Бібліогр.: 3 назви.
+
# S.K. Guba and V.N. Yuzevich. Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
−
# Переход неупорядоченного состояния в кристаллическое при формировании структуры пленок соединений II-VI и III-V / [[Курило Іван Васильович|И.В. Курило]], С. К. Губа, И. А. Рудый, И. С. Вирт // Наноструктурныематериалы-2010: Беларусь - Россия - Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф.,19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. -Киев, 2010. - С. 792. - Библиогр.: 3 назв.
+
# Guba S.K., Yuzevich V.N. The temperature changes of the energy characteristics of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(4), 0-4065-1–0-4065-504065
−
# Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В. А.Воронин, С. К. Губа, И. В. Курило // Технология и конструирование в электрон.аппаратуре. - 2010. - № 2. - С. 31-35. -Библиогр.: 13 назв.
+
# Guba S.K., Formation InAs quantum dots in a matrix GaAs in kinetic mode for CVD-method // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03026
 +
# Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K. The effect of the electric 1eld on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation // Condensed Matter Physics, 2019, 22(1), 13801
 +
# Seneta, M.Y., Peleshchak, R.M., Nesterivskyi, A.I., Lazurchak, N.I., Guba, S.K. The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave // Condensed Matter Physics, 2021, 24(1), pp. 13401:1–13401:8
 +
# Smirnov O.B., Savkina R.K., Udovytska R.S., Guba S.K., Yuryev S.O., Malyi Y.V. Nanostructured ternary compound Hg(Cd)Te-based composite formed by ion bombardment Ag+ for hybrid photonics // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, 33(35), pp. 26178–26189
  
 
===Контакти===
 
===Контакти===
−
ІТРЕ, каф.НПЕ, 315к. 3 н.к.,  
+
ІТРЕ, каф. ТРР, 106. ХІ н.к.,  
 +
 
 +
тел. +38(032)258-21-56
 +
 
 +
e-mail: gubask@polynet.lviv.ua 
  
−
тел. 258-26-27,
 
−
 
−
gubask@polynet.lviv.ua 
 
−
 
 
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]]
 
[[Категорія:Національний університет «Львівська політехніка»]]
−
[[Категорія: Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної  техніки]]
+
[[Категорія:Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної  техніки]]
−
[[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]]
+
[[Категорія:Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань]]
 
[[Категорія:Викладачі]]
 
[[Категорія:Викладачі]]

Поточна версія на 16:57, 22 лютого 2023

Губа Сергій Костянтинович
33.jpg
к.т.н., доцент
Дата народження 05.12.1959 р .
Громадянство Україна
Національність українець
Alma mater Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення 1982 р.
Спеціальність електрофізика
Галузь наукових інтересів дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі
Кваліфікаційний рівень інженер-електрофізик
Науковий ступінь кандидат технічних наук
Дата присвоєння н.с. 1995 р.
Вчене звання доцент
Дата присвоєння в.з. 2003 р.
Поточне місце роботи Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань

Губа Сергій Костянтинович — кандидат технічних наук, доцент Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився 5 грудня 1959 року.

Закінчив середню школу у 1977 році.

З 1977 до 1982 р. Навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту, спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.

Працював з 1984 до 1995 рр. в НВП «Карат» (на посадах інженер, ст.інженер, зав. лабораторією).

Захистив кандидатську дисертацію у 1994 році.

Вчене звання доцента з 2003 року

Працював на кафедрі НПЕ з 1995 р. по 2022 р. на на посадах асистента, доцента.

З 2022 року працює на кафедрі ТРР.

З 1996 р. до 1999 навчався в докторантурі Державного університету «Львівська політехніка».

Викладацька діяльність

Веде практичні та лабораторні заняття з наступних дисциплін:

  • Аналогова схемотехніка
  • Основи електротехніки
  • Моделювання радіоелектронних засобів
  • Системи інформаційної безпеки

Основна тематика наукових досліджень на кафедрі

  • Кінетика осадження та формування гетеронаноструктур сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
  • Кінетика осадження та формування нановіскерів сполук AIIIBV методом газофазної епітаксії
  • Розробка технології створення структур на базі GaAs польових транзисторів та інжекційних лазерів.

Наукові інтереси

Дослідження кінетики росту та формування гетеронаноструктур сполук АIІІВV методом газофазної епітаксії та технологічними аспектами розробки електронних пристроїв на їх основі.

Видавнича діяльність

Автор понад 100 наукових та методичних робіт, в т.ч. 6 патентів на винаходи.

Нагороди

  • Диплом НУЛП 2009 р.
  • Диплом НУЛП 2012 р.
Основні публікації
  1. Воронин В.А., Губа С.К., Сиверс В.Н., Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 3 (63), - 2006, c. 50 – 55
  2. І.В. Курило, С.К. Губа Основи технології напівпровідникових матеріалів. Навчальний посібник //Львів: Видавництво Національного Університету “Львівська політехніка”, 2012. – 240 с.
  3. V.O. Voronin, S.K. Guba and I.V. Kurylo "Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi-GaAs-AsCl3-HCl-SnCl2-H2-He system by epitaxial deposition." // journal Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, V.9, N 4, - 2006 p. 48-53
  4. Воронин В.А.,Губа С.К., Курило И.В. Химическое осаждение из паровой фазы гетеро – и наноструктур соединений III-V // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 5 (77), - 2008, - c.36-40
  5. L.V. Kurilo, S.K. Guba, I.A. Rudyi Estimative Calculations of the dispersion limit for AIIBIII and AIIIBV Crystals // Inorganic materials, Vol. 45, N 12, - 2009, p. 1329-1332
  6. Воронин В.О., Губа С.К., Курило И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силових биполярних и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 2 (86), - 2010, - c.31-35
  7. I.V. Kurilo and S.K. Guba Misfit dislocatios and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures// Inorganic Materials, Vol.47, N. 8, - 2011, - pp.819-823
  8. I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt. Transition from a Disordered to a Crystalline State in II–V and III–V Films. Inorganic Materials, 2012. Vol. 48, No 1, pp.16–20.
  9. R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dank’iv Effect of Bi isovalent dopants on the formation of homogeneous coherently strained InAs quantum dots in GaAs matrices// Semiconductors, 2013, Vol. 47, № 3, pp. 349-353
  10. S.K. Guba and V.N. Yuzevich. Calculation of the Surface Characteristics and Pressures of InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix // Semiconductors, 2014, Vol.48, № 7, pp. 905-910
  11. Guba S.K., Yuzevich V.N. The temperature changes of the energy characteristics of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix Journal of Nano- and Electronic Physics, 2015, 7(4), 0-4065-1–0-4065-504065
  12. Guba S.K., Formation InAs quantum dots in a matrix GaAs in kinetic mode for CVD-method // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, 9(3), 03026
  13. Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K. The effect of the electric 1eld on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation // Condensed Matter Physics, 2019, 22(1), 13801
  14. Seneta, M.Y., Peleshchak, R.M., Nesterivskyi, A.I., Lazurchak, N.I., Guba, S.K. The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave // Condensed Matter Physics, 2021, 24(1), pp. 13401:1–13401:8
  15. Smirnov O.B., Savkina R.K., Udovytska R.S., Guba S.K., Yuryev S.O., Malyi Y.V. Nanostructured ternary compound Hg(Cd)Te-based composite formed by ion bombardment Ag+ for hybrid photonics // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, 33(35), pp. 26178–26189

Контакти

ІТРЕ, каф. ТРР, 106. ХІ н.к.,

тел. +38(032)258-21-56

e-mail: gubask@polynet.lviv.ua

Отримано з https://wiki.lpnu.ua/wiki/index.php?title=Губа_Сергій_Костянтинович&oldid=69828