Відмінності між версіями «Вибрані публікації»
| Рядок 2: | Рядок 2: | ||
| − | Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya.Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460. | + | Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya.Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460. |
Версія за 21:47, 1 жовтня 2014
Si and Si-Ge wires for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu.Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk // Physica Status Solidi С. — 2011. — V. 8(3). — P. 867–870.
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya.Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460.
Получение нитевидных нанокристаллов Si и SiGe / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н.Ховерко, С.И. Ничкало // Зб. наук. праць «Наносистеми, наноматеріали,нанотехнології». — 2011. — Т. 9. — С. 925–931.
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей / А.А. Дружинин, И.П.Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Е.И. Бережанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 11–13.
Аналіз кінетики росту нановіскерів кремнію / А.О. Дружинін, С.І. Нічкало, Ю.Р. Когут,А.М. Вуйцик // Зб. наук. праць «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології». — 2011. — Т. 9. — С. 933–940.
Патент№ 63926 Україна, МПК H01L 21/00, C30B 29/00 Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М.Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201103520; заявл. 24.03.2011; опубл. 25.10.2011, Бюл. № 20, 2011 р.
Патент № 66137 Україна, МПК H01L 31/05 Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури / А.О. Дружинін, В.Ю. Єрохов, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М.Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка». — № u201106810; заявл. 30.05.2011, опубл. 26.12.2011, Бюл. № 24,2011р.
Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2(28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю.Єрохов, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту.Сер. Хімічні науки. — 2010. — Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
Вирощування нано- та мікродротин кремнію методом CVD та можливості їх сенсорних застосувань / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Электроника и связь : науч.-техн. сб. / Нац. техн. ун-т Украины «Киев. политехн. ин-т»,Гос. ун-т информ.- коммуникац. технологий. — Киев, 2009. — № 2/3, темат. вып. :Электроника и нанотехнологии, Ч. 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 5 назв.
Особливості створення нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський,Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Фізика і хімія твердого тіла. — 2009. — Т. 10, №4. — C. 777–780.
Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І.П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Електроніка : [зб. наук. пр.] /відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С.11-16. -(Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 14назв.
Магнетоопір ниткуватих кристалів Si-Ge з концентрацією домішки в околі концентраційного переходу метал-діелектрик за кріогенних температур / А.О. Дружинін, І.П.Островський, Ю.Р. Когут, С.І. Нічкало // Вісник НУ «Львівська політехніка»«Електроніка». — 2008. — № 619. — С. 127–134.
