Відмінності між версіями «Іващишин Федір Олегович»
(→Наукові ступені та вчені звання) |
|||
Рядок 22: | Рядок 22: | ||
В травні 2012 р. захистив кандидатську дисертацію на тему «Формування неорганічно/органічних наногібридизованих структур для пристроїв нанофотоелектроніки та сонячної енергетики». | В травні 2012 р. захистив кандидатську дисертацію на тему «Формування неорганічно/органічних наногібридизованих структур для пристроїв нанофотоелектроніки та сонячної енергетики». | ||
+ | |||
+ | [[Категорія: Національний університет «Львівська політехніка»]] | ||
+ | [[Категорія: Інститут прикладної математики та фундаментальних наук]] | ||
+ | [[Категорія: Кафедра прикладної фізики і наноматеріалознавства]] |
Поточна версія на 16:34, 7 липня 2014
Іващишин Федір Олегович | |
| |
Дата народження | 26 листопада 1985 р. |
---|---|
Громадянство | Українець |
Alma mater | Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника. |
Дата закінчення | 2007р. |
Спеціальність | Радіофізика і електроніка |
Галузь наукових інтересів | складні гетерофазні шаруваті структури ієрархічної архітектури |
Науковий ступінь | к.т.н. |
Поточне місце роботи | м.н.с. кафедри ПФН |
Освіта
У 2007 р. закінчив Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника. Отримав диплом магістра за спеціальністю «Радіофізика і електроніка»
Професійна діяльність
2007-2010 р.р. – аспірант кафедри Інженерного матеріалознавства та прикладної фізики НУ «Львівська політехніка»
2011 р. – молодший науковий співробітник теми ДБ/Енергія НУ «Львівська політехніка»
З 2012 р. до сьогодні – молодший науковий співробітник ДБ/Рутил НУ «Львівська політехніка» та по сумісництву асистент кафедри Прикладної фізики та наноматеріалознавства.
Наукові інтереси
Технологія створення та фізичні властивості складних гетерофазних шаруватих структур ієрархічної архітектури.
Опублікував 29 наукових праць, отримав 1 патент України.
Наукові ступені та вчені звання
В травні 2012 р. захистив кандидатську дисертацію на тему «Формування неорганічно/органічних наногібридизованих структур для пристроїв нанофотоелектроніки та сонячної енергетики».