|
|
| Рядок 1: |
Рядок 1: |
| | | | |
| − |
| |
| − | Електроніка [Текст] : [зб. наук. пр.] / відп. ред. : Д.Заячук. — Львів : Нац. ун-т «Львів. політехніка», 2002. — 222 с. : іл. —(Вісник Національного університету «Львівська політехніка» ; № 455). —Бібліогр. наприкінці ст.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Низькорозмірні структури і надгратки [Текст] : [Навч. посіб.для студ. вищ. навч. закл. за спец. «Мікроелектроніка та напівпровідник.прилади»] / Д.М.Заячук ; Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Львів : Нац. ун-тЛьвів. політехніка, 2006. — 219 с. : іл. — Бібліогр.: с. 218-219 (25 назв ). —ISBN 966-553-515-3
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Нонотехнології і наноструктури : навчальний посібник длявузів / Дмитро Михайлович Заячук . — Львів : Видавництво НУ «Львівськаполітехніка», 2009 . — 581 с. : іл. — Бібліогр.: с.574-576 (46 назв) . — Наукр. яз. — ISBN 978-966-553-773-1 .
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Домішки рідкісноземельних елементів у напівпровідниках А4В6/ Д.М. Заячук // Фізика і технологія тонких плівок : Матеріали ювіл. X Міжнар.конф., 16-21 трав. 2005, Івано-Франківськ. — Івано-Франківськ, 2005. — Т. 1. —С. 47-48.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарахAlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературноїрідинно-фазної епітаксії / Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін // Вісн.Нац. ун-ту «Львів. політехніка». — 2005. -№ 532: Електроніка. — С. 24-28. —Бібліогр.: 12 назв.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Отримання контрольованих по товщині тонких шарів p-AlGaAs :Mg для активної області лазерних гетероструктур / Д.М. Заячук, С.І.Круковський, І.О. Мрихін // Фізика і технологія тонких плівок : Матеріали ювіл.X Міжнар. конф., 16-21 трав. 2005, Івано-Франківськ. — Івано-Франківськ, 2005.— Т. 1. — С. 123.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Отримання лазерних гетероструктур GaAs/AlGaAs методом НТРФЕпід впливом РЗЕ / Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін // Відкританаук.-техн. конф. проф.-викл. складу Ін-ту телекомунікацій, радіоелектрон. таелектрон. техніки Нац. ун-ту «Львів. політехніка» з пробл. електрон. : Тезидоп., 5-7 квіт. 2005 р., Львів. — Л., 2005. — С. 19.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Заячук Д.М., Кемпник В.І., Полигач Є.О. Дослідження легованихгадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР // Вісник НУ«Львівська Політехніка» Електроніка. —2000. — 401. — C.86-92.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Заячук Д.М., Полигач Є.О., Слинько Є.І., Хандожко О.Г. ЕПРКристалів PbTe:Gd // Вісник НУ «Львівська Політехніка» Електроніка. — 2001. —423. — C.81-86.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., KempnykV., Baltrunas D. Native defects and rare-earth interactions in IV-VI crystals// Physica B: Condensed Matter. — 2001. — Vol.308-310. — P.1057-1060.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Zayachuk D.M., Polyhach Ye.O., Mikityuk V.I., Baltrunas D.A.Study of the Gd impurity influence on the defect structure of the Pb1-xSnxTecrystals by means of the 119Sn Mцssbauer spectroscopy // Phys. stat. sol. (b).— 2001. — Vol.225 — P.311-316.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Балтрунас Д.І., Заячук Д.М., Микитюк В.І., Полигач Є.О.Дослідження дефектної структури кристалів Pb1-xSnxTe:Gd методоммесcбауерівської спектроскопії на ядрах 119Sn // Фізика і хімія твердого тіла.— 2001. — Т.2. —C.559-563.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Заячук Д.М., Кемпник В.І., Полигач Є.О., Слинько Є.І.,Хандожко О.Г. Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердихрозчинів телуридів свинцю і олова // Вісник НУ «Львівська Політехніка»Електроніка. — 2002. — 455. — C.147-156.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., andRudowicz C. Peculiarity of the EPR spectra of impurity Gd ions in leadtelluride single crystals // Physica B: Condensed Matter. — 2002. — Vol. 322. —P.270-275.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., KempnykV., Baltrunas D. Native defects and rare-earth impurities interaction in IV-VIcrystals // Proc. The 21st Intern. Conference on Defects in Semiconductors ISDCXXI. — Giessen (Germany). — 2001. — P.347.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Балтрунас Д.І., Заячук Д.М., Микитюк В.І., Полигач Є.О.Дослідження дефектної структури кристалів Pb1-xSn1-yTe:Gd методоммесс-бауерівської спектроскопії на ядрах 119Sn // VIII міжнародна конференція зфізики і технології тонких плівок. Матеріали конференції. — Івано-Франківськ(Україна). — 2001. — С.236-237.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Заячук Д., Полигач Є. Домішково-структурні комплекситехнологічного походження у напівпровідниках А4В6 // Тези ІІІ міжнарод.школа-конф. «Сучасні проблеми фізики напівпро- відників». — Дрогобич (Україна).— 2001. — С.16.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O.,Rudowicz C. Peculiarities of the EPR activity of the Gd impurity in the Sn-richPb1-xSnxTe<Gd> solid solutions // Proc. of the XXXI Congress Ampere —Magnetic Resonance and Related Phenomenа. — Poznan (Poland) 2002. — P.260.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | S.I. Krukovsky, D.M. Zayachuk, O.V. Rybak, I.O. Mryhin.High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE //Semiconductor Phusics, Quantum Electronics and Optoelectronics. — 2003. — v.6.— № 1. — P.55-57.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р.Завербный, О.В. Рыбак,И.А. Мрыхин. Получение тандемных гетероструктур GaAs-In-GaAs-AlGaAs дляфотопреобразователей солнечной энергии // ТКЭА. — 2002. — № 3. — C.27-29.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін. Керуванняконцентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур,вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії // ВісникНаціонального університету «Львівська Політехніка» (Електроніка). — 2005. — №532, — C.24-28.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский,И.О. Мрыхин. Установка электрохимического профилирования для диагностированияэпитаксиальных структур GaAs // ТКЭА. — 2005. — № 3. — C.41-45.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін, О. І. Іжнін,Д.Л. Вознюк. Особливості одержання лазерних структур GaAsметодом РФЕ підвпливом Yb // ФХТТ. — 2005. — Т.6. — № 4. — C. 661-665.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін. Діагностикаскладнолегованих гетероструктур GaAsметодом електрохімічного профілювання //Тези II Української Наукової Конференціі з Фізики Напівпровідників. —Чернівці-Вижниця — 2004. — т.2.— С.396.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | М.М. Ваків, Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін.Установка для визначення профілів розподілу концентрації вільних носіїв зарядув епітаксійних структурах GaAs // Доклады V международной научно-практическойконференции «Современные информационные и электронные технологии». — Одесса. —2004. — C.286.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін. Особливостівимірювання профілів розподілу концентрації вільних носіїв заряду по глибиніепітаксійних шарів AIIIBV методом електрохімічного профілювання // Тезивідкритої науково-технічної конференції професорсько-викладацького складуІнституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної технікиНаціонального університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки. —Львів. — 2004. — C.20.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І. О. Мрихін. Отриманнялазерних гетероструктур GaAs/AlGaAs методом НТРФЕ під впливом РЗЕ // Тезивідкритої науково-технічної конференції професорсько-викладацького складуІнституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної технікиНаціонального університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки. —Львів. — 2005. — C.19.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | S. I. Krukovsky, I. O. Mrykhin, D. M. Zayachuk.Peculiarities of p-AlGaAs:Mg Epitaxial layers growth by low temperatureliquid-phase epitaxy method for DH lasers // Proc. of International Conference«Crystal maerials’2005». — Kharkov. — 2005.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Д.М. Заячук, С.І. Круковський, І.О. Мрихін. Отриманняконтрольованих по товщині тонких шарів p-AlGaAs:Mg для активної областілазерних гетероструктур // Тези X Ювілейної Міжнародної Конференції з Фізики іТехнології Тонких Плівок. — Івано-Франківськ. — 2005. — C.123.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Дефектно-домішкові комплекси у кристалах телуриду свинцю,легованих європієм / Д. М. Заячук, В. І. Микитюк, В. М. Фрасуняк, В. В.Шлемкевич // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар.шк.-конф., Дрогобич, Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАНУкраїни, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». —Дрогобич, 2010. — С. 165.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Магнітна сприйнятливість домішок елементів з незаповненимивнутрішніми 3dI 4йоболонками у напівпровідниках і закон Кюрі-Вейса / Д. М.Заячук // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VN Міжнар.шк.-конф., Дрогобич, Україна, 28 верес. — 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАНУкраїни, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во «Карат». —Дрогобич, 2010. — С. 18.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Поведінка рідкісноземельної домішки Eu у монокристалах PbTe,вирощених із розплаву методом Бріджмена / Д. М. Заячук, В. І. Микитюк, А. В.Пашук, В. В. Шлемкевич, 0. Швед // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред.Д. Заячук. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010. — С. 112-118. —(Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 681). — Бібліогр.: 9 назв.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Поведінка рідкіснозельної домішки Eu у монокристалах PbTe,вирощених із розплаву методом Бріджмена / Д. М. Заячук, В. І. Микитюк, А. В.Пашук, В. В. Шлем-кевич // Тринадцята відкрита науково-технічна конференціяІнституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної технікиНаціонального університету «Львівська політехніка» з проблем електроніки, 13-15квітня 2010 р. : тези доп. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010.— С. 28.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур длядиодов Ганна / Н. М. Вакив, С. И. Круковський, Д. М. Заячук, Ю. С. Михащук, Р.С. Круковський // Тех¬нология и конструирование в электрон. аппаратуре. — 2010.— № 3. — С. 50-53. -Библиогр.: 6 назв. Технологія отримання віскерів GaAs увідкритому проточному реакторі /
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф.М. Шуригін // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. — Л. :Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2010. -С. 75-79. — (Вісник / Нац. ун-т«Львів. політехніка» ; № 681). — Бібліогр.: 7 назв.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Interaction between Mnions and free carriers in quantumwells with asymmetrical semimagnetic barriers / D. M. Zayachuk, T. Slobodskyy,G. Astakhov, C. Gould, G. Schmidt, W. Ossau, L. W. Molenkamp // EurophysicsLetters. — 2010. — Vol. 91, № 6. — P. 67007-1¬67007-5.
| |
| − |
| |
| − |
| |
| − | Magnetic susceptibility of the rare earth element impuritiesin the IV-VI semiconductors and Curie-Weiss law / D. M. Zayachuk // J.Magnetism and Magnetic Materials. — 2010. -Vol. 322, iss. 1. — P. 60-64.
| |
