Відмінності між версіями «Малик Орест Петрович»

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Перейти до: навігація, пошук
(Малик Ігор Петрович)
м
 
(Не показані 2 проміжні версії цього користувача)
Рядок 2: Рядок 2:
 
| П.І.Б = Малик Орест Петрович  
 
| П.І.Б = Малик Орест Петрович  
 
| Зображення (фото) =  32.jpg‎
 
| Зображення (фото) =  32.jpg‎
| Підпис зображення (фото) = д.ф.-м.н., доцент
+
| Підпис зображення (фото) = д.ф.-м.н., професор
 
| Ім'я при народженні =
 
| Ім'я при народженні =
| Дата народження = 12.011.1953 р  
+
| Дата народження = 12.11.1953 р  
 
| Місце народження =  
 
| Місце народження =  
 
| Дата смерті =
 
| Дата смерті =
Рядок 44: Рядок 44:
 
| Власний сайт =
 
| Власний сайт =
 
}}
 
}}
'''Малик Орест Петрович''' — доктор фізико-математичних наук, доцент [[Кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].  
+
'''Малик Орест Петрович''' — доктор фізико-математичних наук, професор [[Кафедра напівпровідникової електроніки|кафедри напівпровідникової електроніки]] [[Національний університет «Львівська політехніка»|Національного університету «Львівська політехніка»]].  
  
 
=== Біографічна довідка ===
 
=== Біографічна довідка ===

Поточна версія на 19:19, 29 серпня 2022

Малик Орест Петрович
32.jpg
д.ф.-м.н., професор
Дата народження 12.11.1953 р
Громадянство Україна
Національність українець
Alma mater Львівський політехнічний інститут
Дата закінчення 1976 р.
Спеціальність електрофізика
Галузь наукових інтересів дослідження процесів розсіяння носіїв заряду на дефектах кристалічної решітки в напівпровідниках А2В6 та А3В5
Кваліфікаційний рівень інженер-електрофізик
Науковий ступінь доктор фізико-математичних наук
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор Буджак Ярослав Степанович, Національний університет «Львівська політехніка»
Дата присвоєння н.с. 2018 р.
Вчене звання доцент
Дата присвоєння в.з. 1998 р.
Поточне місце роботи Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра напівпровідникової електроніки

Малик Орест Петрович — доктор фізико-математичних наук, професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету «Львівська політехніка».

Біографічна довідка

Народився 12 листопада 1953 року.

Закінчив середню школу у 1971 році, навчався на електрофізичному факультеті Львівського політехнічного інституту (1971-1976 рр.), спеціалізувався на кафедрі напівпровідникової електроніки.

Працює на кафедрі з 1979 р. (на посадах інженер, молодший науковий та науковий співробітник, асистент), на посаді доцента з 1996 р., вчене звання доцента з 1998 р.

Член Українського фізичного товариства.

Захистив докторську дисертацію у 2018 році.

Викладацька діяльність

Читає та веде практичні заняття з наступних дисциплін:

  • «Фізика напівпровідників та діелектриків»,
  • «Числова обробка експериментальних даних»,
  • «Програмне забезпечення досліджень в мікро- та наноелектроніці»,
  • «Матеріали та прилади інфрачервоної техніки».

Тема дисертації: Явища переносу і дефектоутворення вCd Hg Te при високій температурі [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук:01.04.10 / Малик Орест Петрович ; Університет «Львівська політехніка». — Львів,1994. — 136 л.

Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Буджак Ярослав Степанович, Національний університет «Львівська політехніка»

Основна тематика наукових досліджень на кафедрі

Застосування принципу близькодії для опису процесів розсіяння носіїв заряду в твердих розчинах сполук AIIBVI та AIIIBV

Наукові інтереси

  • дослідження процесів розсіяння носіїв заряду на дефектах кристалічної решітки в напівпровідниках А2В6 та А3В5.

Видавнича діяльність

Автор понад 100 наукових та методичних робіт

Серед них:

  1. Взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів кристалічної ґратки в твердому розчині CdxHg1-xTe (x=0,52 ; 0,59 ; 1) / О.П. Малик // V Міжнар. шк.-конф. «Акт. пробл. фізики напівпровідників» : Тези доп., Дрогобич, Україна, 27-30 черв. 2005 р. — Дрогобич, 2005. — С. 119.
  2. Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdxHg1-xTe (0 < х < 0,26) / О.П. Малик // Вісн. Нац. ун-ту «Львів. політехніка». — 2005. — № 540: Фізико-мат. науки. — С. 101-110. — Бібліогр.: 17 назв.
  3. Методичні вказівки до практичних занять з дисципліни «Фізико-технологічні основи ВІС» для студентів базового напрямку 6.0908 «Електроніка» / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; Уклад.: Г.В. Кеньо, О.П. Малик. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2005. — 24 с.
  4. Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdxHg1-xte (x=0,52 ; 0,59,1) / О.П. Малик, Г.В. Кеньо, І.В. Петрович // Вісн. Нац. ун-ту «Львів. політехніка». 2005. — № 532: Електроніка. — С. 117-126. — Бібліогр.: 16 назв.
  5. The modeling of the electron scattering on the short-range potential in CdHgTe solid solution / O.P. Malyk, Yu.E. Kynash, G.V. Kenyo, I.V. Petrovych // 10-th Intern. modelling school of AMSE — UAPL, 12-17 Sept. 2005, Alushta, Ukraine. — Rzeszow, 2005. — P. 135-138. -Bibliogr.: 4 titles.
  6. Локальна взаємодія носіїв заряду з потенціалом кристалічних дефектів у твердих розчинах ZnCdTe, ZnHgSe та ZnHgTe / О. П. Малик // IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : тези доп., Україна, Запоріжжя, 15-19 верес. 2009 р. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Запоріз. нац. техн. ун-т, Запоріз. нац. ун-т. — Запоріжжя, 2009. — Т. 2. — С. 187. — Бібліогр.: 3 назви.
  7. Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів в твердому розчині CdHgTe / О. П. Малик // Фізика і хімія твердого тіла. 2009. — Т. 10, № 2. — С. 253-257. — Бібліогр.: 20 назв.
  8. Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16<x<0.9)) / О. П. Малик // Електроніка : [зб. наук. пр.] / відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С. 158-163. — (Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 31 назва.
  9. Розсіяння носіїв заряду на близькодіючому потенціалі дефектів у твердих розчинах ZnCdTe та ZnHgTe / О. Р. Малик // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XII Міжнар. конф., 18-23 трав. 2009 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фіз.-хім. ін-т, НАН України. — Івано-Франківськ, 2009. — Т. 2. — С. 219-221. — Бібліогр.: 3 назви.
  10. Charge carrier mobility in ZnCdTe and ZnSe / O. P. Malyk // E-MRS 2009 Fall Meeting : sci. progr. and book of abstr., Sept. 14-18, 2009, Warsaw, (Poland) / Warsaw Univ. of Technology. — Warsaw, 2009. — [1 p.]. — Bibliogr.: 3 titles.
  11. Charge carrier scattering on the short-range potential of the crystal lattice defects in ZnCdTe, ZnHgSe and ZnHgTe solid solutions / O. P. Malyk // Defects in semiconductors : book of abstr. 25th Intern. conf., St. Petersburg, Russia, July 20-24, 2009. — St. Petersburg, 2009. — P. 313-314. — Bibliogr.: 3 titles.
  12. Charge carrier scattering on the short-range potential of the crystal lattice defects in ZnHgSe, ZnHgSe and ZnHgTe / O. P. Malyk // Physica B: Condensed Matter. 2009. — Vol. 404, iss. 23/24. — P. 5022-5024. — Bibliogr.: 11 titles.
  13. Electron mobility in CdxHg-i-xSe / O. P. Malyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics Optoelectronics. — 2009. — Vol. 12, № 3. — P. 272-275. — Bibliogr.: 10 titles.
  14. Electron mobility in ZnHgSe solid solution / O. P. Malyk // Intern. conf. «Funtional materials» : abstracts, Oct. 5-10, 2009, Partenit, Crimea, Ukraine / Taurida Nat. V. I. Vernadsky Univ. — Simferopol, 2009. — P. 50. — Bibliogr.: 3 titles.
  15. Electron scattering on the short-range potential of the crystal defects in ZnHGSe and ZnHgTe solid solutions / O. Malyk // 13th International conference on defects recognition, imaging and physics in semiconductors : final progr., Sept. 13-17, 2009, Wheeling, West Virginia USA. — Wheeling, 2009. — [1 p.].
  16. The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions / O. P. Malyk // Functional Materials. 2009. — Vol. 16, № 2. — P. 179-182. — Bibliogr.: 16 titles.
  17. The local charge carrier scattering on the crystal lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solution / O. Malyk // Nanoelectronic devices for defense and security conference: device concepts, architecrural strategies and interfacing methodologies for realizing nanoscale sensors and systems : techn. progr. and abstr. digest, 28 Sept. — 2 Oct. 2009, Fort Lauderdale, Florida / U. S. Army RDECOM-ARDEC, U. S. Army Research Office. 2009. — P. 48.
  18. The local electron interaction with crystal lattice defects in CdHgSe solid solution / O. Malyk // Physica Status Solidi ©. 2009. — Vol. 6, № S1. — P. S86-S89. — Bibliogr.: 10 titles.
  19. The local electron interaction with crystal lattice defects in ZnHgSe and ZnHgTe solid solutions / O. P. Malyk // 14th International conference on II-VI compounds : progr. and abstr., St. Petersburg, Russia, Aug. 23-28, 2009. — St. Petrsburg, 2009. — P. 307. — Bibliogr.: 3 titles.
  20. The modeling of the electron scattering on the short-range potential in ZnxHg1-xSe (0 .02×1) / O. P. Malyk, Y. E. Kynash // Техн. вісті = Techn. news / Укр. інж. т-во у Львові. — Л., 2009. — № 1 (29)/2 (30). — С. 74-75. — Bibliogr.: 3 titles.
  21. The modeling of the electron scattering on the sort-range potential in CdxHg1-xSe (0<x<0268) / O. P. Malyk, Yu. E. Kynash // Техн. вісті / Укр. інж. т-во у Львові. — Л., 2010. — № 1 (31), 2 (32). — С. 99-100. — Bibliogr.: 7 titles.
  22. О.П. Малик, В.М. Родич, Г.А. Ільчук. Рухливість електронів в сульфіді кадмію. // Журнал нано- та електронної фізики. 2015. – Т.7. - №3. – p. 03019-1 –03019-7.
  23. O. Malyk, V. Rodych, H.Il’chuk. The local electron interaction with crystal defects in wurtzite CdS. Physica Status Solidi C. – 2016.–V.13, No. 7–9, P.494–497.
  24. О.П. Малик. Локальне розсіяння електронів на дефектах кристалічної гратки в InSb та InN.// Журнал нано- та електронної фізики. 2016. – Т.8. - №2. – p. 02018-1 – 02018-7.
  25. O. Malyk, S. Syrotyuk. New scheme for calculating the kinetic coefficients in CdTe based on first-principle wave function. // Computational Materials Science. 2017. – V. 139, November 2017, P. 387–394.
  26. O.P. Malyk, S.V. Syrotyuk. Electron Scattering on the Short-range Potential of the Point Defects in Sphalerite GaN: Calculation from the First Principles. // Journal of nano- and electronic physics. 2017. V. 9, No 6, pp. 06007-1 – 06007-6.
  27. O.P. Malyk, S.V. Syrotyuk. Local Electron Interaction with Point Defects in Sphalerite Zinc Selenide: Calculation from First Principles. // Journal of Electronic Materials. 2018. Volume 47. Issue 8. pp 4212–4218.
  28. O.P. Malyk, S.V. Syrotyuk. The local electron interaction with point defects in zinc blende GaN, CdTe and ZnTe: Ab initio calculation. // 2018 14th International Conference on Advanced Trends in Radioelecrtronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET-2018). IEEE Conference. 20-24 February 2018. Lviv-Slavske, Ukraine. Proceedings. P. 405 – 409.
  29. S.V. Syrotyuk, O.P. Malyk. Effect of Strong Correlations on the Spin-polarized Electronic Energy Bands of the CdMnTe Solid Solution. // Journal of nano- and electronic physics. 2019. V. 11, No 1, pp. 01009-1 – 01009-6.


Контакти

ІТРЕ, каф. НПЕ, 315к. 3 н.к.,

тел. +38 (032) 258-26-27

e-mail: omalyk@mail.lviv.ua