Відмінності між версіями «Вибрані публікації»

Матеріал з Electronic Encyclopedia of Lviv Polytechnic
Перейти до: навігація, пошук
(Створена сторінка: Si and Si-Ge wires for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu.Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk // Physica Status Solidi ©. — 2011. — V. 8(3...)
 
м
 
(Не показані 15 проміжних версій 2 користувачів)
Рядок 1: Рядок 1:
 
+
'''Монографія'''
 
+
# Ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину кремній-германій в мікро- та наноелектроніці: [монографія] / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], [[Островський Ігор Петрович|І.П. Островський]], [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю.М. Ховерко]], [[Нічкало Степан Ігорович|С.І. Нічкало]].– Львів: Видавництво «Тріада плюс», 2016. – 264 с.
 
+
'''Статті в наукових журналах'''
Si and Si-Ge wires for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu.Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk // Physica Status Solidi ©. — 2011. — V. 8(3). — P. 867–870.
+
# M. Shepida, O. Kuntyi, S. Nichkalo, G. Zozulya, S. Korniy Deposition of gold nanoparticles via galvanic replacement in DMSO and their influence on formation of silicon nanostructures // Advances in Materials Science and Engineering.– 2019.– Vol. 2019, Article ID 2629464, 7 pages.
+
# [[Нічкало Степан Ігорович|S. Nichkalo]], [[Дружинін Анатолій Олександрович|A. Druzhinin]], O. Ostapiv, M. Chekaylo Role of Ag-catalyst morphology and molarity of AgNO3 on the size control of Si nanowires produced by metal-assisted chemical etching // Molecular Crystals and Liquid Crystals.– 2018.– Vol. 674(1).– P. 69–75.
+
# A.A. Druzhinin, V.Y. Yerokhov, S.I. Nichkalo, O.Y. Ostapiv Development of anti-reflecting surfaces based on Si micropyramids and wet-chemically etched Si nanowire arrays // Functional Materials.– 2018.– Vol. 25(4).– P. 675–680.
Seebeck’seffect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya.Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460.
+
# Iu. Kogut, S. Nichkalo, V. Ohorodniichuk, A. Dauscher, C. Candolfi, P. Masschelein, A. Jacquot and B. Lenoir Nanostructure Features, Phase Relationships and Thermoelectric Properties of Melt-Spun and Spark-Plasma-Sintered Skutterudites // Acta Physica Polonica A.– 2018.– Vol. 133.– P. 879–883.
+
# S. Nichkalo, A. Druzhinin, A. Evtukh, O. Bratus’, O. Steblova Silicon nanostructures produced by modified MacEtch method for antireflective Si surface // Nanoscale Research Letters.– 2017.– Vol. 12:106.
+
# A. Druzhinin, V. Yerokhov, S. Nichkalo, Y. Berezhanskyi Micro- and nanotextured silicon for antireflective coatings of solar cells // Journal of Nano Research.– 2016.– Vol. 39.– P. 89–95.
Особливостістворення нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський,Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Фізика і хімія твердого тіла. — 2009. — Т. 10, №4. — C. 777–780.
+
# A.A. Druzhinin, V.Yu. Yerokhov, S.I. Nichkalo, Y.I. Berezhanskyi, M.V. Chekaylo Texturing of the silicon substrate with nanopores and Si nanowires for anti-reflecting surfaces of solar cells // Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2015.– Vol. 7(2).P. 02030-1–02030-6.
+
# A.A. Druzhinin, A.P. Dolgolenko, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, S.I. Nichkalo, Iu.R. Kogut Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers // Functional Materials.– 2015.– Vol.22(1).– P. 27–33.
+
# A. Evtukh, A. Druzhinin, I. Ostrovskii, A. Kizjak, A. Grigoriev, O. Steblova, S. Nichkalo Formation of ordered Si nanowires arrays on Si substrate // Advanced Materials Research.– 2014.– Vol. 854.P. 83–88.
Получениенитевидных нанокристаллов Si и SiGe / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н.Ховерко, С.И. Ничкало // Зб. наук. праць «Наносистеми, наноматеріали,нанотехнології». — 2011. — Т. 9. — С. 925–931.
+
# A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, Iu. Kogut Impedance spectroscopy of polysilicon in SOI structures // Physica Status Solidi (c).– Vol. 11, No(1). – 2014. P.156-159.
+
# A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, R. Koretskyy, Iu. Kogut Variable-range hopping conductance in Si whiskers // Physica Status Solidi (a). – Vol. 211, No(2). – 2014. P.504–508.
+
# A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, R.N. Koretskyy, S.I. Nichkalo Impedance of Si wires at metal-insulator transition // Physics and Chemistry of Solid State.– 2014.– Vol. 15, № 1.P.81–84.
Низкоразмерныекристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей / А.А. Дружинин, И.П.Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Е.И. Бережанский // Технология иконструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 11–13.
+
# Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Khoverko Yu.M., Kogut Iu.R., Nichkalo S.I., Warchulska J.K. Magnetic susceptibility of doped Si nanowhiskers // Journal of Nanoscience and Nanotechnology.– 2012. – Vol. 12.– P.8690–8693.  
+
# Si and Si-Ge wires for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu. Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk // Physica Status Solidi С. — 2011. — V. 8(3). — P. 867–870.  
+
# Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya. Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460.  
Моделюваннякінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П.Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2 (28).— С. 75.
+
# Аналіз кінетики росту нановіскерів кремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], С.І. Нічкало, Ю.Р. Когут, А.М. Вуйцик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. — 2011. — Т. 9. — С. 933–940.
+
# Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], [[Островський Ігор Петрович|І.П. Островський]], [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю.М. Ховерко]], С.І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2(28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
Аналізкінетики росту нановіскерів кремнію / А.О. Дружинін, С.І. Нічкало, Ю.Р. Когут,А.М. Вуйцик // Зб. наук. праць «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології». —2011. — Т. 9. — С. 933–940.
+
# Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В. Ю.Єрохов]], [[Островський Ігор Петрович|І.П. Островський]], [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю.М. Ховерко]], С.І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту.Сер. Хімічні науки. — 2010. — Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
+
# Особливості створення нанорозмірних кристалів кремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], [[Островський Ігор Петрович|І.П. Островський]], [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю.М. Ховерко]], С.І. Нічкало // Фізика і хімія твердого тіла. — 2009. — Т. 10, №4. — C. 777–780.  
+
# Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], [[Островський Ігор Петрович|І.П. Островський]], [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю.М. Ховерко]], С. І. Нічкало // Електроніка : [зб. наук. пр.] /відп. ред. Д. Заячук. — Л. : [[Видавництво Львівської політехніки|Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка»]], 2009. — С.11-16. -(Вісник / [[Національний університет «Львівська політехніка»|Нац. ун-т «Львів. політехніка»]] ; № 646). — Бібліогр.: 14 назв.
Використаннянаноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А.О. Дружинін, В.Ю.Єрохов, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Вісник ЧеркаськогоНаціонального університету ім. Б. Хмельницького. Серія «Хімічні науки». — 2010.— Вип. 175. — С.51—54.
+
'''Патенти'''
+
# Патент № 137490 Україна, МПК B01J 37/03 (2006.01), C01B 33/00, B82B 3/00, B82Y 40/00. Спосіб одержання масиву нанодротин кремнію / [[Нічкало Степан Ігорович|С.І.Нічкало]], [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]]; заявник і власник патенту [[Національний університет «Львівська політехніка»]].— № u201903451; заявл. 05.04.2019, опублік. 25.10.2019, Бюл. № 20, 2019 р.
Вирощуваннянано- та мікродротин кремнію методом CVD та можливість їх сенсорних застосувань/ А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Наук.-техн.збірн. «Электроника и связь». — 2009. — № 2–3. — С. 56–60.
+
# Патент № 63926 Україна, МПК H01L 21/00, C30B 29/00 Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], [[Островський Ігор Петрович|І.П. Островський]], С.І. Нічкало, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю.М. Ховерко]]; заявник і власник патенту [[Національний університет «Львівська політехніка»]].— № u201103520; заявл. 24.03.2011; опубл. 25.10.2011, Бюл. № 20, 2011 р.
+
# Патент № 66137 Україна, МПК H01L 31/05 Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури / [[Дружинін Анатолій Олександрович|А.О. Дружинін]], [[Єрохов Валерій Юрійович|В.Ю. Єрохов]], [[Островський Ігор Петрович|І.П. Островський]], С.І. Нічкало, [[Ховерко Юрій Миколайович|Ю.М. Ховерко]]; заявник і власник патенту [[Національний університет «Львівська політехніка»]].— № u201106810; заявл. 30.05.2011, опубл. 26.12.2011, Бюл. № 24, 2011 р.
+
Вирощуваннянанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А.О. Дружинін, І.П.Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Вісник НУ «Львівська політехніка»«Електроніка». — 2009. — № 646. — С. 11–16.
+
+
+
Магнетоопірниткуватих кристалів Si-Ge з концентрацією домішки в околі концентраційногопереходу метал-діелектрик за кріогенних температур / А.О. Дружинін, І.П.Островський, Ю.Р. Когут, С.І. Нічкало // Вісник НУ «Львівська політехніка»«Електроніка». — 2008. — № 619. — С. 127–134.
+
+
+
Патент№ 63926 Україна, МПК H01L 21/00, C30B 29/00 Спосіб одержання масивівнанокристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М.Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201103520; заявл. 24.03.2011; опубл. 25.10.2011, Бюл. № 20, 2011 р.
+
+
+
Патент№ 66137 Україна, МПК H01L 31/05 Спосіб одержання поверхневої функціональноїнанотекстури / А.О. Дружинін, В.Ю. Єрохов, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М.Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівськаполітехніка». — № u201106810; заявл. 30.05.2011, опубл. 26.12.2011, Бюл. № 24,2011р.
+
+
+
Growthof Si wires array by CVD method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovski, Yu.M.Khoverko, S.I. Nichkalo // E-MRS 2009 Spring Meeting, Strasbourg (France), June8–12, 2009: Book of Abstracts. Symposium: I Advanced Silicon materials researchfor electronic and photovoltaic applications. — 2009. — P. 155.
+
+
+
MicroelectromechanicalSystem Design Based on Si Nanowires / A. Klimovskaya, I. Ostrovskii, Yu.Khoverko, S. Nichkalo // Proc. of the Xth Int. Conf. «The Experience ofDesigning and Application of CAD Systems in Microelectronics», February 28–29,2009, Svalyava, Ukraine. — 2009. P. 504–505.
+
+
+
Peculiaritiesof Si nanowires growth / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, S.I.Nichkalo // Materials of International Meeting «Clusters and nanostructuredmaterials (CNM-2)», September 27–30, 2009, Uzhgorod, Ukraine. — 2009. — P. 58.
+
+
+
One-dimensionalsilicon-based crystals for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu.Kogut, S. Nichkalo // Proceedings of the International Conference TCSET ’2010,February 23–27, 2010, Lviv-Slavske, Ukraine. — 2010. — P. 327-328.
+
+
+
Використаннякремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах / С.І. Нічкало,В.Ю. Єрохов, І.П. Островський // XIII наук.-техн. конф. Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки НУ «Львівськаполітехніка» з проблем електроніки, 13–15.04.2010, Львів: Тези доповідей. —2010. — С. 49.  
+
+
+
Strain-inducedmagnetoresistance of Si1-xGex whiskers / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, N.S.Liakh-Kaguy, Iu.R. Kogut, S.I. Nichkalo // 8-th Int. Conf. on ElectronicProcesses in Organic and Inorganic Materials, May 17–22, 2010, Ivano-Frankivsk,Ukraine: Book of Abstracts. — 2010. P. 67–68.  
+
+
+
Growthof Si-based nanowires for alternative energy sources / A.A. Druzhinin, Yu.M.Khoverko, S.I. Nichkalo, Iu.R. Kogut // E-MRS 2010 Fall Meeting, Warsaw(Poland), September 13–17, 2010: Scientific Programme and Book of Abstracts.Symp.E: Nanoscaled Si, Ge based materials. — 2010. P.40.  
+
+
+
Hysteresisof magnetic susceptibility of Si nanowires / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii,S.I. Nichkalo, R.M. Koretskii // Materials of the Mediterranean-East-EuropeMeeting «Multifunctional nanomaterials (NanoEuroMed 2011)», 12–14.05.2011,Uzhgorod, Ukraine. — 2010. P. 47.  
+
+
+
Investigationof Ga-In contacts to Si and Ge wires for sensor application / A.O. Druzhinin,Yu.M. Khoverko, I.P. Ostrovskii, S.I. Nichkalo, A.A. Nikolaeva, L.A. Konopko,I. Stich // Materials of XIII Int. conf. Physics and technology of thin filmsand nanosystems, May 16–21, Ivano-Frankivsk. — 2011. — V. 1. P. 234.
+
+
+
Thewireless hardware-software system of strain measurement / R.M. Koretskii, S.I.Nichkalo, Ye.I. Berezhanskii, Iu.R. Kogut // Proceedings of the XIthInternational young scientists’ conference on applied physics, June 15–18,Kyiv. — 2011. P. 205–206.  
+
+
+
Si,Ge and SiGe wires for sensor application / A.A. Druzhinin, Yu.M. Khoverko, I.P.Ostrovskii, S.I. Nichkalo, A.A. Nikolaeva, L.A. Konopko, I. Stich //Proceedings of the 7th Int. conf. on «Microelectronics and computer science»,September 22–24, Chisinau, Moldova. — 2011. — P. 59–62.
+
+
+
Системамоніторингу температури та магнітного поля на основі нитчастих кристалів SiGe /А.О. Дружинін, Ю.М. Ховерко, І.П. Островський, А.М. Вуйцик, Р.М. Корецький,С.І. Нічкало // Матеріали І-ї Всеукр. наук.-практ. конф. «Фізико-технологічніпроблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- тамікроелектроніки» 13–15 жовтня, Чернівці, Україна. — 2011. — С. 201–203.
+
+
+
Використаннякремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворю¬вачах / С. І.Нічкало, В. Ю. Єрохов, І. П. Островський // Тринадцята відкританауково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки таелектронної техніки Національного університету «Львівська політехніка» зпроблем електроніки, 13-15 квітня 2010 р. : тези доп. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту«Львів. політехніка», 2010. — С. 49. — Бібліогр.: 2 назви.
+
+
Використаннянаноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. О. Дружинін, В. Ю.Єрохов, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту.Сер. Хімічні науки. — 2010. — Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
+
+
Використаннянаноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А. Дру-жинін, В. Єрохов,І. Островський, Ю. Ховерко, С. Нічкало // Органические и неор¬ганическиематериалы для молекулярной электроники и нанофотоники : тез. докл. Меж¬дунар.конф., Черкассы, 23-25 апр. 2010 / Черкас. нац. ун-т им. Б. Хмельницкого.-Черкассы, 2010. — С. 33-34. — Бібліогр.: 1 назва.
+
+
Моделюваннякінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Матеріали електронної техніки тасучасні інформаційні технології : тези доп. четвертої міжнар. наук.-практ.конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С.137-138. — Бібліогр.: 2 назви.
+
+
Моделюваннякінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2(28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
+
+
Получениенитевидных нанокристалов Si и SiGe / А. А. Дружинин, И. П. Ост¬ровский, Ю. Н.Ховерко, С. И. Ничкало // Наноструктурные материалы-2010: Беларусь -Россия —Украина : тезисы ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина /Ин-т металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 438. — Библиогр.: 2назв.
+
+
One-dimensionalsilicon-based crystals for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu.Kogut, S. Nichkalo // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій,комп’ю¬терної інженерії : матеріали X Міжнар. конф. TCSET’2010, 23-27 лют.2010, Львів, Славське, Україна / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-воЛьвів. політехніки, 2010. -C. 327-328. — Bibliogr.: 9 titles. — Парал. тит.арк. англ.
+
+
Strain-inducedmagnetoresistance of Sh-xGex whiskers / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N.S. Liakh-Kaguy, Yu. R. Kogut, S. M. Nichkalo // Electronic processes in organicmaterials : abstr. 8th Intern. conf., Synyogora residence, Ivano-Frankivskreg., Ukraine, May 17-22, 2010 / ed. Ya. A. Vertsimakha. — К. : Наук. світ,2010. — P. 67-68.
+
+
Вирощуваннянано- та мікродротин кремнію методом CVD та можливості їх сенсорних застосувань/ А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Электроникаи связь : науч.-техн. сб. / Нац. техн. ун-т Украины «Киев. политехн. ин-т»,Гос. ун-т информ.- коммуникац. технологий. — Киев, 2009. — № 2/3, темат. вып. :Электроника и нанотехнологии, Ч. 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 5 назв.
+
+
Вирощуваннянанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І.П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Електроніка : [зб. наук. пр.] /відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С.11-16. -(Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 14назв.
+
+
Вирощуваннянанорозмірних кристалів Si методом газофазової ерітаксії /A. О. Дружинін, І. П.Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Дванадцята відкританауково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інститутутелекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки,7-9 квітня 2009 р. : тези доп. / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. : Вид-воНац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С. 29.
+
+
Особливостістворення нанорозмірних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П. Островський,Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Фізика і технологія тонких плівок тана¬носистем : матеріали XII Міжнар. конф., 18-23 трав. 2009 р.,Івано-Франківськ, Україна / При¬карпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фіз.-хім.ін-т, НАН України. — Івано-Франківськ, 2009. . 1. — С. 46-47. — Бібліогр.: 3назви.
+
+
Microelectromechanicalsystem design based on Si nanowires / A. Klimovskaya, I. Ostrovskii, Yu.Khoverko, S. Nichkalo // Досвід розробки та застосування приладо-технологічнихСАПР в мікроелектроніці : матеріали X Міжнар. наук.-техн. конф. (CADSM), 24-28лют. 2009 р., Львів, Поляна, Україна / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. :Вежа і Ко, 2009. — С. 504-505.
+
+
Microelectromechanicalsystem design based on Si nanowires / A. Klimovskaya, I. Ostrovskii, Yu.Khoverko, S. Nichkalo // Досвід розробки та застосування приладо-технологічнихСАПР в мікроелектроніці : матеріали X Міжнар. наук.-техн. конф. (CADSM), 24-28лют. 2009 р., Львів, Поляна, Україна / Нац. ун-т «Львів. політехніка». — Л. :Вежа і Ко, 2009. — С. 504-505. — Bibliogr.: 4 titles.
+
+
Peculiaritiesof Si nanowires growth / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, S.I. Nichkalo // Clusters and nanostructured materials : book of abstr. the 2ndIntern. meet., Uzhgorod, Ukraine, 27-30 Sept. 2009 / Nat. Acad. of Sciences ofUkraine, G. V. Kurdyumov Inst. of Metal Physics, V. E. Lashkaryov Inst. ofsemiconductor Physics. — Uzhgorod, 2009. — P. 58.
+
 
[[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]]
 
[[Категорія: Кафедра напівпровідникової електроніки]]

Поточна версія на 16:19, 27 жовтня 2019

Монографія

  1. Ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину кремній-германій в мікро- та наноелектроніці: [монографія] / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало.– Львів: Видавництво «Тріада плюс», 2016. – 264 с.

Статті в наукових журналах

  1. M. Shepida, O. Kuntyi, S. Nichkalo, G. Zozulya, S. Korniy Deposition of gold nanoparticles via galvanic replacement in DMSO and their influence on formation of silicon nanostructures // Advances in Materials Science and Engineering.– 2019.– Vol. 2019, Article ID 2629464, 7 pages.
  2. S. Nichkalo, A. Druzhinin, O. Ostapiv, M. Chekaylo Role of Ag-catalyst morphology and molarity of AgNO3 on the size control of Si nanowires produced by metal-assisted chemical etching // Molecular Crystals and Liquid Crystals.– 2018.– Vol. 674(1).– P. 69–75.
  3. A.A. Druzhinin, V.Y. Yerokhov, S.I. Nichkalo, O.Y. Ostapiv Development of anti-reflecting surfaces based on Si micropyramids and wet-chemically etched Si nanowire arrays // Functional Materials.– 2018.– Vol. 25(4).– P. 675–680.
  4. Iu. Kogut, S. Nichkalo, V. Ohorodniichuk, A. Dauscher, C. Candolfi, P. Masschelein, A. Jacquot and B. Lenoir Nanostructure Features, Phase Relationships and Thermoelectric Properties of Melt-Spun and Spark-Plasma-Sintered Skutterudites // Acta Physica Polonica A.– 2018.– Vol. 133.– P. 879–883.
  5. S. Nichkalo, A. Druzhinin, A. Evtukh, O. Bratus’, O. Steblova Silicon nanostructures produced by modified MacEtch method for antireflective Si surface // Nanoscale Research Letters.– 2017.– Vol. 12:106.
  6. A. Druzhinin, V. Yerokhov, S. Nichkalo, Y. Berezhanskyi Micro- and nanotextured silicon for antireflective coatings of solar cells // Journal of Nano Research.– 2016.– Vol. 39.– P. 89–95.
  7. A.A. Druzhinin, V.Yu. Yerokhov, S.I. Nichkalo, Y.I. Berezhanskyi, M.V. Chekaylo Texturing of the silicon substrate with nanopores and Si nanowires for anti-reflecting surfaces of solar cells // Journal of Nano- and Electronic Physics.– 2015.– Vol. 7(2).– P. 02030-1–02030-6.
  8. A.A. Druzhinin, A.P. Dolgolenko, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, S.I. Nichkalo, Iu.R. Kogut Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers // Functional Materials.– 2015.– Vol.22(1).– P. 27–33.
  9. A. Evtukh, A. Druzhinin, I. Ostrovskii, A. Kizjak, A. Grigoriev, O. Steblova, S. Nichkalo Formation of ordered Si nanowires arrays on Si substrate // Advanced Materials Research.– 2014.– Vol. 854.– P. 83–88.
  10. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, Iu. Kogut Impedance spectroscopy of polysilicon in SOI structures // Physica Status Solidi (c).– Vol. 11, No(1). – 2014. – P.156-159.
  11. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, R. Koretskyy, Iu. Kogut Variable-range hopping conductance in Si whiskers // Physica Status Solidi (a). – Vol. 211, No(2). – 2014. – P.504–508.
  12. A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.N. Khoverko, R.N. Koretskyy, S.I. Nichkalo Impedance of Si wires at metal-insulator transition // Physics and Chemistry of Solid State.– 2014.– Vol. 15, № 1.– P.81–84.
  13. Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Khoverko Yu.M., Kogut Iu.R., Nichkalo S.I., Warchulska J.K. Magnetic susceptibility of doped Si nanowhiskers // Journal of Nanoscience and Nanotechnology.– 2012. – Vol. 12.– P.8690–8693.
  14. Si and Si-Ge wires for thermoelectrics / A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu. Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk // Physica Status Solidi С. — 2011. — V. 8(3). — P. 867–870.
  15. Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya. Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — V.14 (4). — P. 456–460.
  16. Аналіз кінетики росту нановіскерів кремнію / А.О. Дружинін, С.І. Нічкало, Ю.Р. Когут, А.М. Вуйцик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. — 2011. — Т. 9. — С. 933–940.
  17. Моделювання кінетики росту нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Нові технології. — 2010. — № 2(28). -С. 75-78. — Бібліогр.: 13 назв.
  18. Використання наноструктур кремнію в фотоелектричних перетворювачах / А.О. Дружинін, В. Ю.Єрохов, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Вісн. Черкас. ун-ту.Сер. Хімічні науки. — 2010. — Вип. 175. — C. 51-54. — Бібліогр.: 4 назви.
  19. Особливості створення нанорозмірних кристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало // Фізика і хімія твердого тіла. — 2009. — Т. 10, №4. — C. 777–780.
  20. Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С. І. Нічкало // Електроніка : [зб. наук. пр.] /відп. ред. Д. Заячук. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту «Львів. політехніка», 2009. — С.11-16. -(Вісник / Нац. ун-т «Львів. політехніка» ; № 646). — Бібліогр.: 14 назв.

Патенти

  1. Патент № 137490 Україна, МПК B01J 37/03 (2006.01), C01B 33/00, B82B 3/00, B82Y 40/00. Спосіб одержання масиву нанодротин кремнію / С.І.Нічкало, А.О. Дружинін; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201903451; заявл. 05.04.2019, опублік. 25.10.2019, Бюл. № 20, 2019 р.
  2. Патент № 63926 Україна, МПК H01L 21/00, C30B 29/00 Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію / А.О. Дружинін, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М. Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201103520; заявл. 24.03.2011; опубл. 25.10.2011, Бюл. № 20, 2011 р.
  3. Патент № 66137 Україна, МПК H01L 31/05 Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури / А.О. Дружинін, В.Ю. Єрохов, І.П. Островський, С.І. Нічкало, Ю.М. Ховерко; заявник і власник патенту Національний університет «Львівська політехніка».— № u201106810; заявл. 30.05.2011, опубл. 26.12.2011, Бюл. № 24, 2011 р.